650 V CoolSiC?混合
分立器件,該器件包含一個50A TRENCHSTOP? 快速開關(guān)
IGBT 和一個 CoolSiC 肖特基二極管,能夠提升性價比并帶來高可靠性。這種組合為硬開關(guān)拓?fù)?/div>
2021-03-29 11:00:47
分立元件構(gòu)成的IGBT驅(qū)動電路
2019-09-24 09:13:35
650V IGBT4,旨在提供更大的設(shè)計自由度。這款全新的IGBT4器件具備更好的關(guān)斷軟度,并且由于關(guān)斷電流變化率di/dt的降低,帶來了更低的關(guān)斷電壓尖峰。該器件專門設(shè)計用于中高電流應(yīng)用。相對于
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
LND12N65 n溝道650V 12A功率mosfet管特征 ■ 低RDS(on) ■ 低柵極電荷( (typ. Qg = 41.9 nC
2021-11-22 10:44:13
SVF4N65F 場效應(yīng)管特點■ 4A,650V,RDs(on)(典型值)=2.3Ω @Vcs=10V■ 低柵極電荷量■ 低反向傳輸電容■ 開關(guān)速度快■ 提升了dv/dt能力驪微電子供應(yīng)
2022-03-30 15:29:34
svf7n65f場效應(yīng)管7a 650v mos管特點■ 7A,650V,RDs(on)(典型值)=1.1Ω @Vcs=10V■ 低柵極電荷量■ 低反向傳輸電容■ 開關(guān)速度快■ 提升了dv/dt能力驪
2022-03-30 15:41:09
SVF10N65F 650v 10a大功率mos管特征■ 10A,650V,RDs(on)(典型值)=0.8Ω @Vcs=10V■ 開關(guān)速度快■ 低柵極電荷量■ 低反向傳輸電容■ 提升
2022-03-30 15:52:04
供應(yīng)igbt雙極性晶體管650V、75A 大功率igbt開關(guān)電源SGTP75V65SDS1P7 ,具有較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,SGTP75V65SDS1P7可應(yīng)用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:11:03
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)(SJ)器件的優(yōu)勢(如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗)與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:26
1672 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結(jié)型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列,以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:37
1290 英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:17
1845 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型(NPT)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品,備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計,尤其適用于太陽能逆變器、焊接機(jī)和開關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-19 16:08:18
863 東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布,該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動。
2014-06-09 10:33:26
731 
2014年10月21日,北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以擴(kuò)充絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2014-10-21 15:27:42
1975 2015年3月2日,德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)發(fā)布了能夠讓應(yīng)用于汽車中的高速開關(guān)實現(xiàn)最高效率的高堅固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:29
1443 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數(shù),易于并聯(lián)使用?
不受溫度影響的開關(guān)特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:19
0 意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT,為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,新款M系列650V IGBT,為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC
2016-11-02 17:19:43
1958 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(相比第二代)ROHM第三代設(shè)計應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中,包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:29
9042 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()FGA30N65SMD相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有FGA30N65SMD的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,F(xiàn)GA30N65SMD真值表,F(xiàn)GA30N65SMD管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-04-18 23:11:10
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()FGA30T65SHD相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有FGA30T65SHD的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,F(xiàn)GA30T65SHD真值表,F(xiàn)GA30T65SHD管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-04-18 23:10:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()FGH30T65UPDT相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有FGH30T65UPDT的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,F(xiàn)GH30T65UPDT真值表,F(xiàn)GH30T65UPDT管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-04-18 18:49:09
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:50
4268 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)宣布,在其TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:23
1117 
前言背景: 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:20
2349 
近日,東芝新推出了一款額定值為1350V/30A的分立IGBT——GT30N135SRA,擴(kuò)充了其IGBT產(chǎn)品陣容。新產(chǎn)品主要適用于采用AC200V輸入電壓諧振電路的家用電器,例如IH電磁爐、IH
2021-08-16 16:33:16
2467 
東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 (“東芝
2022-03-18 17:35:26
4582 具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點。而今天要給大家介紹的是由東芝半導(dǎo)體新研發(fā)的具備低功耗節(jié)能屬性的IGBT器件——GT30N135SRA,其有助于家電產(chǎn)品能耗進(jìn)一步降低。
2022-04-19 09:41:31
2034 如今,市場對于高效率電源的需求日益增漲,在此背景下,東芝拓展了新一代650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”,推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65
2022-04-26 14:11:29
1093 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29
539 
ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速開關(guān)型)”共21種機(jī)型,該系列產(chǎn)品同時實現(xiàn)了業(yè)界頂級的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)特性,并大大減少了開關(guān)時的過沖。
2023-02-09 10:19:25
724 
編輯-Z Infineon/英飛凌AIGW50N65H5車規(guī)級IGBT參數(shù): 型號:AIGW50N65H5 脈沖集電極電流(ICpuls):150A 功耗(Ptot):270W 工作結(jié)溫度(Tvj
2023-02-24 15:19:35
0 GT30J65MRB用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導(dǎo)體器件經(jīng)過業(yè)界驗證,對于節(jié)能工作意義重大,其中包括助力實現(xiàn)碳中和目標(biāo)。由于在高功率
2023-03-16 14:58:09
653 
RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-03-22 18:36:59
0 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:10
0 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:25
0 RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 數(shù)據(jù)表(650V-15A-IGBT Application:Inverter)
2023-03-29 18:45:33
0 RJH65T46DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650 V - 40 A - IGBT Application: Power Factor Correction circuit)
2023-05-15 19:08:28
0 Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57
300 上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-19 09:54:26
705 
新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應(yīng)加熱半橋評估板采用新一代650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT和SOI技術(shù)的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動器,產(chǎn)品針對100kHz的諧振開關(guān)應(yīng)用感應(yīng)
2022-03-01 09:32:40
559 
RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:12
0 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:43
0 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:51
0 RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 數(shù)據(jù)表(650V-15A-IGBT Application:Inverter)
2023-07-11 19:09:56
0 RJH65T46DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650 V - 40 A - IGBT Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-11 20:19:44
0 圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27
522 
)—— “ TRSxxx65H 系列” 。首批12款產(chǎn)品(均為650V)中有7款產(chǎn)品采用TO-220-2L封裝,其余5款采用DFN8×8封裝,于今日開始支持批量出貨。 新產(chǎn)品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種
2023-07-13 17:40:02
184 
SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件,30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:27
1008 
驪微電子供應(yīng)SVF4N65F/M/MJ/D650vmos管n溝道大電流4a提供-svf4n65f詳細(xì)參數(shù)、典型電路、規(guī)格書等,是士蘭微MOS代理商,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2022-03-30 15:33:43
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:57
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:12:25
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:30:15
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:33:49
0 供應(yīng)40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:18:47
3 供應(yīng)SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源,提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:12:19
5 SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超結(jié)mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:57:50
7 供應(yīng)無錫士蘭微mos管SVS11N65FJD211A,650V高壓超結(jié)mos管,適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)洌彰?,適配器等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:07:35
0 供應(yīng)SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:17:06
1 驪微電子供應(yīng)士蘭微高壓MOS管SVF65R950CD 9A,650V N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管,廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源,DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動,是士蘭微mos代理商,提供產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)及樣品申請。>>
2022-11-02 16:24:49
3 供應(yīng)STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源電機(jī)igbt管600V、30A參數(shù),提供SGT30T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:59:56
2 供應(yīng)場效應(yīng)管10N65L-ML UTC10A 650V,提供10n65技術(shù)參數(shù)關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-09 15:27:39
1 在分立式封裝中,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可輸出高達(dá)150A的電流。該產(chǎn)品系列電流等級為40A至150A,有四種不同封裝類型:TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36:22
265 英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品,進(jìn)一步擴(kuò)展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管,以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:06
255 
IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點,是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢,在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35
276 
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品,這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified),還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出,標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13
279 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:07
188 
近日,國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司(以下簡稱“揚(yáng)杰科技”)再度刷新業(yè)界認(rèn)知,推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19
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