5.2.1首先根據(jù)實際應(yīng)用確定規(guī)格目標(biāo)參數(shù)，如最小交流輸入電壓Vinmin, 最大交流輸入電壓Vinmax,交流輸入電壓頻率FL,輸出電壓Vout,輸出電流Iout,最大兩倍頻輸出電壓紋波ΔVo等。 然后針對目標(biāo)參數(shù)進(jìn)行系統(tǒng)參數(shù)預(yù)設(shè)計，先估計轉(zhuǎn)換效率η來計算系統(tǒng)最大輸入功率;最大輸入功率Pin可表示為：

?

　　再確定系統(tǒng)最小工作頻率，LD7830 的開關(guān)頻率是個變化量，表示為：

?

　　最小開關(guān)頻率Fsw-min出現(xiàn)在最小輸入電壓的正弦峰值處。系統(tǒng)設(shè)計中，最小開關(guān)頻率Fsw-min一般設(shè)定在35kHz或更高。

　　確定變壓器反射電壓VOR,反射電壓定義為： VOR=n(Vout+Vf)， VOR的取值影響MOSFET與次級整流管的選取以及吸收回路的設(shè)計。

　　5.2.2變壓器設(shè)計

　　首先確定初級電感量，電感的大小與最小開關(guān)頻率的確定有關(guān)，最小開關(guān)頻率發(fā)生在輸入電壓最小且滿載的時候，由公式推導(dǎo)有：

?

　　其中Ko 定義為輸入電壓峰值與反射電壓的比值，即

?

　　一般說來Ko越大PF 值會越低，總的THD%會越高。

?

　　確定初級電感量LP后，就該選擇變壓器磁芯了，可以參考公式AP=AE×AW選取，然后根據(jù)選定的磁芯，確定初級最小繞線圈數(shù)Npmin來避免變壓器飽和，參考公式：

?

　　然后確定次級繞組匝數(shù)，初次級的匝比由VRO決定：

?

　　同理推導(dǎo)并根據(jù)規(guī)格書定義的Vcc電壓可以得出Vcc繞組的匝數(shù)，LD7830的Vcc典型值設(shè)定在16V。

　　定義：

　　LP:初級電感量

　　NP:初級匝數(shù)

　　IPKP:初級峰值電流

　　BM:最大磁通飽和密度

　　AE:磁芯截面積

　　Po:輸出功率

　　5.2.3 初級吸收回路設(shè)計

　　當(dāng)MOSFET關(guān)斷時，由于變壓器漏感的存在，在MOSFET的漏端會出現(xiàn)一個電壓尖峰，過大的電壓加到MOS管的D極會引起MOS擊穿，而且會對EMI造成影響，所以要增加吸收回路來限制漏感尖峰電壓。典型的RCD吸收回路如圖三所示：

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　　圖三

　　RCD回路的工作原理是：當(dāng)MOSFET的漏端電壓大于吸收回路二極管D1陰極電壓時，二極管D1導(dǎo)通，吸收漏感的電流從而限制漏感尖峰電壓。設(shè)計中，緩沖電容C1兩端的電壓Vsn要設(shè)定得比反射電壓VRO高50--100V,如圖四所示，稱為漏感電壓ΔV, Vsn不能設(shè)計太低，設(shè)計太低將增加RCD吸收回路功耗。緩沖電容C1的設(shè)計根據(jù)能量平衡，

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　　圖四

　　IPKPMAX為全電壓范圍內(nèi)IPKP的最大值，緩沖電容C1SN要承受大電流尖峰，要求其等效串聯(lián)電阻ESR很小，R1根據(jù)功耗選擇合適的W數(shù)，阻值一般在47K-120K之間，

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　　,吸收回路二極管D1通常選擇快恢復(fù)二極管，且導(dǎo)通時間也要求快，反向擊穿電壓要求大于選擇的MOSFET 的擊穿電壓BVDSS,一般在65W以下應(yīng)用場合選用額定電流1A的快恢復(fù)二極管作為吸收回路二極管。