半導(dǎo)體材料可分為單質(zhì)半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體兩類(lèi)，前者如硅（Si）、鍺(Ge）等所形成的半導(dǎo)體，后者為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。半導(dǎo)體在過(guò)去主要經(jīng)歷了三代變化
2019-05-06 10:04:10
的3.25eV和氮化鎵的3.4eV。而氧化鎵的擊穿場(chǎng)強(qiáng)理論上可以達(dá)到8eV/cm，是氮化鎵的2.5倍，是碳化硅的3倍多。從功率半導(dǎo)體特性來(lái)看，與前代半導(dǎo)體材料相比，氧化鎵材料具備更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度與更低的導(dǎo)通電
2023-03-15 11:09:59
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫(xiě)為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫(xiě)為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前,我國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測(cè)基地。如IDM類(lèi)（吉林華微電子、華潤(rùn)微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
投入了許多精力。 氮化鎵半導(dǎo)體 近年來(lái)，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)已經(jīng)成為切換電源的主要功率組件，從場(chǎng)效晶體管(FET)、雙極結(jié)型晶體管(BJT)、MOSFET、到絕緣柵雙極型晶體管
2018-10-23 16:12:16
本人小白，最近公司想上半導(dǎo)體器件的塑封生產(chǎn)線(xiàn)，主要是小型貼片器件封裝，例如sot系列。設(shè)備也不需要面面俱到，能進(jìn)行小規(guī)模正常生產(chǎn)就行。哪位大神能告知所需設(shè)備的信息，以及這些設(shè)備的國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)廠(chǎng)家，在此先行感謝！
2022-01-22 12:26:47
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類(lèi)集成電路的四大類(lèi)
2021-02-24 07:52:52
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
功率半導(dǎo)體的熱管理對(duì)于元件運(yùn)行的可靠性和使用壽命至關(guān)重要。本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹的愛(ài)普科斯(EPCOS)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)和正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻系列，可以幫助客戶(hù)可靠地監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50
時(shí)，提供更大的便利及更高的工作效率。該平臺(tái)上的所有軟件都經(jīng)過(guò)AliOS預(yù)驗(yàn)證，從而簡(jiǎn)化了安全要求和設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)，讓客戶(hù)能夠先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手推出新產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體亞太區(qū)微控制器、存儲(chǔ)器和安全微控制器及物聯(lián)網(wǎng)
2017-10-17 15:54:18
中國(guó)，2017年11月15日——橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出最新的超低功耗微控制器，讓每天與人
2017-11-21 15:21:22
功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)的合作協(xié)議將擴(kuò)大意法半導(dǎo)體LDMOS產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密，不對(duì)外披露。 相關(guān)新聞MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場(chǎng)
2018-02-28 11:44:56
新任總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery任新執(zhí)行委員會(huì)主席中國(guó)，2018年6月4日——根據(jù)意法半導(dǎo)體新任總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery的提議，監(jiān)事會(huì)批準(zhǔn)成立新組建的由
2018-06-04 16:24:42
? 意法半導(dǎo)體嵌入式軟件包集成Sigfox網(wǎng)絡(luò)軟件，適用于各種產(chǎn)品，按照物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用開(kāi)發(fā)人員的需求專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì) ? 使用STM32微控制器、超低功耗射頻收發(fā)器、安全單元、傳感器和功率管理器件，加快
2018-03-12 17:17:45
▌峰會(huì)簡(jiǎn)介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場(chǎng)，直擊智能熱點(diǎn)，共享前沿資訊，通過(guò)意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，推動(dòng)加快可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃，實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報(bào)名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
挑戰(zhàn)性的-40°C至125°C的工作環(huán)境。詳情訪(fǎng)問(wèn)www.st.com/stm32l5相關(guān)新聞意法半導(dǎo)體(ST)新系列STM32L4+微控制器讓下一代智能產(chǎn)品“吃得少，干得多”意法半導(dǎo)體提供集成
2018-10-17 10:37:12
就有意法半導(dǎo)體?！比粲信d趣更詳細(xì)地了解教程或購(gòu)買(mǎi)SensorTile開(kāi)發(fā)套件，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)網(wǎng)站 (http://www.st.com/sensortile-edu)。意法半導(dǎo)體博客還有更多信息。(https
2018-02-09 14:08:48
傳感器的電源電壓和電流，進(jìn)而簡(jiǎn)化連網(wǎng)產(chǎn)品、智能傳感器、移動(dòng)機(jī)器人或無(wú)人機(jī)控制器等注重功耗的項(xiàng)目開(kāi)發(fā)。詳情請(qǐng)瀏覽： www.st.com/profiMEMS-PR相關(guān)新聞意法半導(dǎo)體STM32F4基本型產(chǎn)品線(xiàn)
2018-05-22 11:20:41
STM32WB1x 和 STM32WB5x包含意法半導(dǎo)體的高能效2.4GHz射頻IP內(nèi)核，并配有免版稅的協(xié)議棧和專(zhuān)用軟件工具，讓射頻設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)不足的開(kāi)發(fā)人員也能輕松快速地開(kāi)發(fā)先進(jìn)的無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品。兩款產(chǎn)品都提供片上
2023-02-13 17:58:36
中國(guó)，2018年4月10日 ——意法半導(dǎo)體的STLQ020低壓差（LDO）穩(wěn)壓器可以緩解在靜態(tài)電流、輸出功率、動(dòng)態(tài)響應(yīng)和封裝尺寸之間權(quán)衡取舍的難題，為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)更大的自由設(shè)計(jì)空間。集小尺寸、高性能
2018-04-10 15:13:05
ASM330LHH，可以生成自主導(dǎo)航適用的高精度輸出;? 3mm x 2.5mm x 0.83mm的纖薄、小巧的外觀(guān)尺寸，不會(huì)對(duì)任何板載模塊的尺寸構(gòu)成實(shí)質(zhì)性影響;?采用觸點(diǎn)陣列(LGA) 封裝詳情請(qǐng)?jiān)L問(wèn)意法半導(dǎo)體官網(wǎng)：www.st.com/asm330lhh-pr查看原文
2018-07-17 16:46:16
意法半導(dǎo)體的AlgoBuilder 固件開(kāi)發(fā)工具能將寫(xiě)代碼工作從固件開(kāi)發(fā)中分離出來(lái)，讓用戶(hù)使用可立即編譯的STM32 *微控制器（MCU）運(yùn)行的函數(shù)庫(kù)模塊，在圖形用戶(hù)界面上創(chuàng)建傳感器控制算法。以簡(jiǎn)化
2018-07-13 13:10:00
半導(dǎo)體(ST)完整全橋系統(tǒng)封裝內(nèi)置MOSFET、柵驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)技術(shù)以節(jié)省空間，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，精簡(jiǎn)組裝意法半導(dǎo)體(ST)推出內(nèi)置32位MCU的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，簡(jiǎn)化電池供電機(jī)器人和電器設(shè)備的電機(jī)控制系統(tǒng)意法半導(dǎo)體高集成度數(shù)字電源控制器簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，助力應(yīng)用達(dá)到最新能效安全標(biāo)準(zhǔn)`
2018-06-25 11:01:49
`意法半導(dǎo)體的STCH03 脈寬調(diào)制（PWM）控制器擁有很高的集成度，采用一次側(cè)調(diào)整技術(shù)實(shí)現(xiàn)精確的恒流輸出，幫助經(jīng)濟(jì)型手機(jī)充電器、電源適配器或輔助電源更好地滿(mǎn)足能效法規(guī)對(duì)平均效率和待機(jī)功率的嚴(yán)格限制
2018-07-13 11:35:31
系統(tǒng)等各種設(shè)備和系統(tǒng)。STM32系列微控制器的制造商意法半導(dǎo)體是世界領(lǐng)先的32位Arm?Cortex?-M-core 微控制器廠(chǎng)商。為加快和促進(jìn)開(kāi)發(fā)社區(qū)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)，意法半導(dǎo)體建立了一個(gè)強(qiáng)大的軟硬件開(kāi)發(fā)
2018-07-13 15:52:39
和/或其他地區(qū)的注冊(cè)商標(biāo)和/或非注冊(cè)商標(biāo)。STM32是美國(guó)專(zhuān)利商標(biāo)局注冊(cè)商標(biāo)。相關(guān)新聞意法半導(dǎo)體(ST)先進(jìn)電機(jī)控制芯片讓自動(dòng)化系統(tǒng)尺寸更小，運(yùn)行更順暢、更安靜意法半導(dǎo)體(ST)推出內(nèi)置32位MCU的電機(jī)
2018-03-22 14:30:41
意法半導(dǎo)體已將其 STM32Cube.AI 機(jī)器學(xué)習(xí)開(kāi)發(fā)環(huán)境放入云中，并配有可云訪(fǎng)問(wèn)的意法半導(dǎo)體MCU板進(jìn)行測(cè)試。這兩個(gè)版本都從TensorFlow，PyTorch或ONNX文件為STM32微控制器
2023-02-14 11:55:49
字音頻放大器FDA產(chǎn)品家族。FDA產(chǎn)品家族還包括集成可靠診斷功能和意法半導(dǎo)體的濾波后反饋創(chuàng)新概念的2聲道產(chǎn)品和最大輸出功率4x135W的4聲道產(chǎn)品。通過(guò)提供低失真、高品質(zhì)的音頻信號(hào)，F(xiàn)DA803D和FDA903D
2018-08-02 15:33:58
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)感測(cè)器制造技術(shù)邁入新里程碑。意法半導(dǎo)體(ST)宣布成功結(jié)合面型微加工(Surface-micromachining)和體型微加工(Bulk-micromachining)制程
2020-05-05 06:36:14
及財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)表現(xiàn)最好的年度之一。 圍繞智能駕駛和物聯(lián)網(wǎng)兩大應(yīng)用領(lǐng)域，通過(guò)推出針對(duì)廣大終端市場(chǎng)的獨(dú)特的產(chǎn)品組合，我們實(shí)現(xiàn)了讓意法半導(dǎo)體進(jìn)入可持續(xù)且盈利的成長(zhǎng)軌道這一目標(biāo)。 同時(shí)，我們也完善了可持續(xù)發(fā)展
2018-05-29 10:32:58
續(xù)航時(shí)間意法半導(dǎo)體新STM32軟件開(kāi)發(fā)工具套件讓電機(jī)控制設(shè)計(jì)更快、更容易意法半導(dǎo)體(ST)先進(jìn)電機(jī)控制芯片讓自動(dòng)化系統(tǒng)尺寸更小，運(yùn)行更順暢、更安靜`
2018-06-11 15:16:38
新聞創(chuàng)新的自適應(yīng)脈寬調(diào)制器為固定通/斷時(shí)間可控的穩(wěn)壓器提供恒定開(kāi)關(guān)頻率意法半導(dǎo)體(ST)先進(jìn)電機(jī)控制芯片讓自動(dòng)化系統(tǒng)尺寸更小，運(yùn)行更順暢、更安靜意法半導(dǎo)體高集成度數(shù)字電源控制器簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，助力應(yīng)用達(dá)到最新能效安全標(biāo)準(zhǔn)`
2018-06-04 10:37:44
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST;)發(fā)布一款創(chuàng)新的顯示屏背光LED控制器芯片。新產(chǎn)品可簡(jiǎn)化手機(jī)與其它便攜電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)，為
2011-11-24 14:57:16
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類(lèi)解決方案。
2019-08-01 07:38:40
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體帶來(lái)AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：STM)于今日聯(lián)合宣布，將在意法半導(dǎo)體的ST Telemaco3P STA1385車(chē)載信息
2018-11-05 14:09:44
電子、汽車(chē)和無(wú)線(xiàn)基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會(huì)實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線(xiàn)中國(guó)，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
的優(yōu)勢(shì)，近年來(lái)在功率器件市場(chǎng)大受歡迎。然而，其居高不下的成本使得氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用受到很多限制。 但是隨著硅基氮化鎵技術(shù)的深入研究，我們逐漸發(fā)現(xiàn)了一條完全不同的道路，甚至可以說(shuō)是顛覆性的半導(dǎo)體技術(shù)。這就
2017-07-18 16:38:20
STM32系列打造意法半導(dǎo)體核心戰(zhàn)略產(chǎn)品
2012-07-31 21:36:53
意法半導(dǎo)體的廣泛數(shù)字電源產(chǎn)品組合可滿(mǎn)足數(shù)字電源設(shè)計(jì)的要求。我們的產(chǎn)品包括MCU（專(zhuān)為數(shù)字功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)，采用全數(shù)字控制方法）和數(shù)字控制器（具有面向軟件控制算法的專(zhuān)用ROM存儲(chǔ)器）。意法半導(dǎo)體
2023-09-07 06:49:47
` 本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-6-11 16:20 編輯
? 意法半導(dǎo)體的集成化NFC控制器已通過(guò)GSMA、EMVCo和NFC Forum三大標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，能最大限度縮短
2018-06-11 15:22:25
更高?！?b class="flag-6" style="color: red">意法半導(dǎo)體部門(mén)副總裁Alessandro Cremonesi表示：“為了讓定位產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)工作得到支持，我們與TomTom發(fā)揮雙方各自的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，圍繞高人氣的STM32開(kāi)發(fā)生態(tài)系統(tǒng)，開(kāi)發(fā)出了一個(gè)
2018-09-07 11:12:27
智能電表芯片單片集成開(kāi)發(fā)智能電表所需的全部重要功能，能夠滿(mǎn)足多個(gè)智能電網(wǎng)市場(chǎng)的需求。這些電表連接消費(fèi)者和供電公司，提供實(shí)時(shí)電能計(jì)量和用電數(shù)據(jù)分析功能。意法半導(dǎo)體亞太區(qū)功率分立器件和Sub Analog
2018-03-08 10:17:35
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
產(chǎn)品和解決方案，共同構(gòu)建生態(tài)系統(tǒng)，幫助他們更好地應(yīng)對(duì)各種挑戰(zhàn)和新機(jī)遇，滿(mǎn)足世界對(duì)可持續(xù)發(fā)展的更高需求。意法半導(dǎo)體的技術(shù)讓人們的出行更智能，電力和能源管理更高效，物聯(lián)網(wǎng)和互聯(lián)技術(shù)應(yīng)用更廣泛。意法半導(dǎo)體承諾將于2027年實(shí)現(xiàn)碳中和。
2022-12-12 10:02:34
館）不同功率半導(dǎo)體器件，其承受電壓、電流容量、阻抗能力、體積大小等特性也會(huì)不同，實(shí)際使用中，需要根據(jù)不同領(lǐng)域、不同需求來(lái)選用合適的器件。圖表3 功率半導(dǎo)體器件比較（來(lái)源：中信證券研究部）隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步
2019-02-26 17:04:37
、低功耗和可配置性的完美組合?！?b class="flag-6" style="color: red">意法半導(dǎo)體北歐銷(xiāo)售副總裁Iain Currie表示：“這個(gè)創(chuàng)新的感測(cè)技術(shù)可讓任何物品、表面或空間具有觸控互動(dòng)功能，讓設(shè)計(jì)人員能夠完全自由地設(shè)計(jì)。Neonode選用意法
2018-02-06 15:44:03
本帖最后由 o_dream 于 2020-9-4 08:45 編輯
今天給大家?guī)?lái)的是意法半導(dǎo)體STM32系列以及STM8系列MCU的一些介紹和相關(guān)的資料手冊(cè)，希望大家在這里能找到自己想要
2020-09-03 22:34:17
極限。而上限更高的氮化鎵，可以將充電效率、開(kāi)關(guān)速度、產(chǎn)品尺寸和耐熱性的優(yōu)勢(shì)有機(jī)統(tǒng)一，自然更受青睞。
隨著全球能量需求的不斷增加，采用氮化鎵技術(shù)除了能滿(mǎn)足能量需求，還可以有效降低碳排放。事實(shí)上，氮化鎵
2023-06-15 15:47:44
2寸的芯片，現(xiàn)在已經(jīng)能制造4寸了。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，要大規(guī)模生產(chǎn)功率半導(dǎo)體，至少需要6英寸以上的芯片，因此目前還不能大規(guī)模生產(chǎn)。此外，上述用于小型 AC轉(zhuǎn)換器的氮化鎵功率半導(dǎo)體使用以下的晶片，其最大尺寸為
2023-02-23 15:46:22
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場(chǎng)，同時(shí)提供更快的開(kāi)關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
流，但隨著5G的到來(lái)，砷化鎵器件將無(wú)法滿(mǎn)足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成為下一個(gè)熱點(diǎn)。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢(shì)？
2021-06-26 06:14:32
、伊朗和南非）。 全系產(chǎn)品完全符合相關(guān)法規(guī)要求，尺寸精細(xì)，而且質(zhì)量絕佳。光寶全系列的 Sigfox 認(rèn)證模塊都集成了兼具模塊性能和效能的 S2-LP sub-1GHz 射頻收發(fā)器，以及意法半導(dǎo)體
2018-07-13 11:59:12
和公交地鐵票務(wù)。出門(mén)問(wèn)問(wèn)一直將改善用戶(hù)體驗(yàn)、提高操作便利性放在首要位置。其TicWatch Pro系列旗艦智能手表集成了意法半導(dǎo)體ST21NFCDNFC控制器，通過(guò)ST 獨(dú)有的NFC技術(shù)，可確保在維持高射
2018-07-13 13:06:48
，40W時(shí)總功率損耗降低40%，讓家電設(shè)備可以達(dá)到更高的能效級(jí)別?！ ≡诘?b class="flag-6" style="color: red">功率壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)，意法半導(dǎo)體最新超結(jié)MOSFET與IGBT技術(shù)能效比較 圖3: 仿真測(cè)試結(jié)果：逆變器功率損耗比較，Tamb
2018-11-20 10:52:44
大功率半導(dǎo)體激光電源 輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體直接輸出激光器介紹直接半導(dǎo)體激光器輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率，輸出功率穩(wěn)定。200W以下
2021-12-29 07:24:31
想用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導(dǎo)體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機(jī)控制系統(tǒng)，能調(diào)溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經(jīng)有了，想問(wèn)問(wèn)你們有沒(méi)好點(diǎn)的意見(jiàn)，能盡量提高點(diǎn)效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
安森美半導(dǎo)體已成為主要汽車(chē)半導(dǎo)體技術(shù)的一個(gè)全球領(lǐng)袖。 安森美半導(dǎo)體是自動(dòng)駕駛系統(tǒng)的圖像傳感器、電源管理和互通互聯(lián)領(lǐng)域的一個(gè)公認(rèn)的佼佼者。此外，公司的廣泛電源方案組合，包括模塊和碳化硅（SiC）/氮化鎵
2018-10-11 14:33:43
下一代電源半導(dǎo)體的方案陣容，包括針對(duì)汽車(chē)功能電子化的寬禁帶WBG（碳化硅SiC和氮化鎵GaN）、全系列電子保險(xiǎn)絲eFuse以減少線(xiàn)束、和免電池的智能無(wú)源傳感器以在汽車(chē)感測(cè)/車(chē)身應(yīng)用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
把電源設(shè)計(jì)的模型、計(jì)算和迭代步驟建立到工具中。查看一系列擴(kuò)展的產(chǎn)品和工具，看看安森美半導(dǎo)體的高能效產(chǎn)品和方案如何幫助您創(chuàng)新設(shè)計(jì)！
2018-10-31 09:17:40
外部器件的高性?xún)r(jià)比方案。安森美半導(dǎo)體還將展出新的NCD570x系列門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，具有高驅(qū)動(dòng)電流以提供寶貴的、更高的系統(tǒng)能效，和充分集成多種保護(hù)功能的能力以增強(qiáng)安全性。安森美半導(dǎo)體的汽車(chē)產(chǎn)品陣容不斷擴(kuò)展
2018-10-30 09:06:50
碩果。堯遠(yuǎn)通信科技的客戶(hù)充分利用CLOE追蹤器整體方案的優(yōu)勢(shì)，針對(duì)不同用途的物聯(lián)網(wǎng)追蹤器設(shè)計(jì)高能效的LTE?！?b class="flag-6" style="color: red">意法半導(dǎo)體信息娛樂(lè)事業(yè)部總監(jiān)Antonio Radaelli表示：“CLOE是我們與賽肯通信
2018-02-28 11:41:49
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
決方案。數(shù)據(jù)連接與云服務(wù)：M2M網(wǎng)絡(luò)讓越來(lái)越多的機(jī)器在封閉的系統(tǒng)內(nèi)互相連接，而物聯(lián)網(wǎng)則正通過(guò)智能云服務(wù)改進(jìn)現(xiàn)有網(wǎng)絡(luò)。意法半導(dǎo)體擁有多種無(wú)線(xiàn)連接技術(shù)，能夠幫助客戶(hù)輕松快捷地連接到云端。本次意法半導(dǎo)體的眾多
2018-06-28 10:59:23
流，但隨著5G的到來(lái)，砷化鎵器件將無(wú)法滿(mǎn)足在如此高的頻率下保持高集成度。于是，GaN成為下一個(gè)熱點(diǎn)。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高的工作電壓，意味著其功率密度及可工作溫度更高，因而具有高功率
2019-07-05 04:20:06
的功率型分立器件針對(duì)軟開(kāi)關(guān)諧振和硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了優(yōu)化，可最大限度提高低功率和高功率應(yīng)用的系統(tǒng)效率。基于氮化鎵的最新產(chǎn)品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應(yīng)用提供更緊湊的電源設(shè)計(jì)。意法半導(dǎo)體的數(shù)字電源解決方案可以使用專(zhuān)用的評(píng)估板、參考設(shè)計(jì)、技術(shù)文檔和eDesignSuite軟件配置器和設(shè)計(jì)工具來(lái)實(shí)現(xiàn)
2023-09-06 07:44:16
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展，從而使專(zhuān)業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來(lái)自英飛凌(Infineon)/國(guó)際
2015-09-15 17:11:46
大家好，首次發(fā)帖。本人為意法半導(dǎo)體工程師，因?yàn)橄旅嬉粋€(gè)molding工程師要辭職，繼續(xù)補(bǔ)充新鮮血液。要求：一.熟悉molding制程，需特別熟悉molding compound的性能為佳。二.2年
2012-02-15 11:42:53
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車(chē)的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
專(zhuān)利和商標(biāo)局注冊(cè)。相關(guān)新聞意法半導(dǎo)體的新STM32探索套件簡(jiǎn)化移動(dòng)網(wǎng)至云端連接，并提供免費(fèi)試用的第三方服務(wù)意法半導(dǎo)體(ST)新系列STM32L4+微控制器讓下一代智能產(chǎn)品“吃得少，干得多”意法半導(dǎo)體
2018-07-09 10:17:50
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體PowerWise? 高能效芯片系列，可以驅(qū)動(dòng)高達(dá)11顆串聯(lián)的大電流LED，能夠?yàn)橹悄苁謾C(jī)等便攜式多媒體電子產(chǎn)品的大顯示屏提供充足的背光。LM3530芯片采用12焊球的micro SMD封裝，整個(gè)芯片的體積只有1.615mm x 1.215mm x 0.425mm大小。
2019-09-03 06:18:33
意法半導(dǎo)體官方的庫(kù)怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種?！ ?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)
2016-11-27 22:34:51
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
布局的智慧出行、電力和能源、物聯(lián)網(wǎng)和5G。其分別推出了電動(dòng)汽車(chē)快充（PD）、高能效功率半導(dǎo)體微控制器、傳感器、模擬和電源管理芯片等，藉此使得智慧出行幫助汽車(chē)制造商讓每個(gè)人的駕駛更安全、更環(huán)保、更互聯(lián)；讓
2022-07-01 10:28:37
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無(wú)線(xiàn)通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
電源，例如，充電器、PC機(jī)外部電源適配器、LED照明驅(qū)動(dòng)器、電視機(jī)等家電。消費(fèi)電子產(chǎn)品的全球產(chǎn)量很大，如果提高能效，可大幅減少二氧化碳排放。在功率更高的應(yīng)用中，意法半導(dǎo)體的 PowerGaN器件也適用于電信電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)電機(jī)、太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)及其充電設(shè)施。
2022-01-17 14:22:54
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