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NMOS驅(qū)動電路
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基于防反保護電路的設(shè)計
和升降壓驅(qū)動 IC 實現(xiàn)的防反保護電路。 NMOS 設(shè)計具有 NMOS 和驅(qū)動IC 的防反保護電路時，NMOS 需放置在高邊，驅(qū)動IC也從高邊取電，這里將產(chǎn)生一個大于輸入電壓 (VIN) 的內(nèi)部電壓，給 NMOS 提供 (VGS)驅(qū)動供電。 根據(jù)驅(qū)動電源產(chǎn)生的原理，驅(qū)動IC可以采用電荷泵
2023-08-24 16:23:55
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NMOS開關(guān)驅(qū)動電路原理圖講解
R25/100R 的作用：防止振蕩減少柵極充電的峰值電壓，保護NMOS管的D-S及不被擊穿防止震蕩，GPIO口輸出端可能有些雜散的電感，在電壓突變的情況下，可能會產(chǎn)生LC振蕩，當(dāng)我們加入R25之后，會提高阻尼減少振蕩。
2023-08-16 09:13:38334
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電源開關(guān)電路圖講解：NMOS、PMOS
NMOS低邊開關(guān)電路切換的是對地的導(dǎo)通，PMOS作為高邊開關(guān)電路切換的是對電源的導(dǎo)通。
2023-08-14 09:18:031681
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采用驅(qū)動IC和NMOS的防反電路設(shè)計
引言：無論是常規(guī)的低側(cè)NMOS防反接電路還是高側(cè)的PMOS防反接電路均有其局限性。本節(jié)簡述采用驅(qū)動IC加NMOS的方案做防反電路的設(shè)計及其優(yōu)點。
2023-06-28 16:02:09885
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使用NMOS和升降壓驅(qū)動IC實現(xiàn)防反保護電路設(shè)計
設(shè)計具有 NMOS 和驅(qū)動IC 的防反保護電路時，NMOS 需放置在高邊，驅(qū)動IC也從高邊取電，這里將產(chǎn)生一個大于輸入電壓 (VIN) 的內(nèi)部電壓，給 NMOS 提供 (VGS)驅(qū)動供電。
2023-06-14 09:04:27658
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NMOS邏輯門電路工作原理
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 18:19 編輯
NMOS邏輯門電路 NMOS邏輯門電路是全部由Ｎ溝道MOSFET構(gòu)成。由于這種器件具有較小的幾何尺寸，適合于制造
2009-04-07 00:18:19
淺談ESD防護設(shè)計—NMOS的妙用（一）
目前主流的ESD-NMOS有兩大設(shè)計思路：GGNMOS（Gate Ground NMOS），GCNMOS（Gate Couple NMOS）。
2023-05-16 16:44:464467
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NMOS開關(guān)電路分析
???上文和大家討論了PMOS的負載開關(guān)電路，使用PMOS來控制后繼電路的開關(guān)。然而在日常應(yīng)用中PMOS可供選擇的類型較少，價格也相對昂貴。因此選用NMOS作為開關(guān)電路選型范圍較多，成本也更加劃算，尤其針對一些低壓1V、1.8V、3.3V大電流應(yīng)用中更有優(yōu)勢。
2023-03-10 14:05:033665
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NMOS管的原理介紹及結(jié)構(gòu)
NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。
2023-02-21 17:35:146135
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NMOS管的工作原理及導(dǎo)通特性
MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路，即CMOS電路。
2023-02-21 17:23:468010
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合科泰NMOS管HKTQ50N03與HKTQ80N03應(yīng)用案例
MOS管也叫場效應(yīng)管，它可以分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管，屬于絕緣柵場效應(yīng)管。NMOS也叫N型金屬氧化物半導(dǎo)體，而由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路。
2023-02-20 09:58:23449
449NMOS管和PMOS管的定義
MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路，即CMOS電路。
2023-02-16 17:00:153296
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NMOS放大器電路模型詳解(三)
期我們介紹了NMOS當(dāng)作為放大器時的等效電路是什么?包括大信號模型和小信號模型，模型中當(dāng)V_DS>V_GS-V_TH時，我們把NMOS當(dāng)成一個理想的壓控電流源，實際上由于溝道長度的變化會隨著V_DS略微改變，如果考慮這個因素就需要溝道長度修正模型。
2023-02-16 15:15:25828
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ULN2803L低導(dǎo)通電阻NMOS驅(qū)動電路中文手冊
ULN2803L是為低電壓下工作的系統(tǒng)而設(shè) 計的八通道低導(dǎo)通電阻NMOS驅(qū)動電路。
特性 ? 0.5A 輸出電流（單路輸出） ? 工作電壓范圍 2.0-7.0V ? CPC20和SOP18封裝
2022-12-19 14:14:02
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5NMOS管防電源反接電路
，所以MOS管導(dǎo)通，MOS管導(dǎo)通之后，因為導(dǎo)通壓降很低，體二極管截止了，S極電壓等于0V，負載正常工作。NMOS管防電源反接電路當(dāng)5V電源反接時，G=0，S=0，Ugs=
2022-11-02 17:01:001845
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PMOS和NMOS的尺寸比
PMOS中的空穴遷移率比NMOS中電子的遷移率低，所以為了實現(xiàn)相同的電流輸出，我們需要將PMOS的寬度做的是NMOS寬度的2~3倍。
2022-10-31 11:16:114682
4682防反保護電路的設(shè)計（下篇）
設(shè)計具有 NMOS 和驅(qū)動IC 的防反保護電路時，NMOS 需放置在高邊，驅(qū)動IC也從高邊取電，這里將產(chǎn)生一個大于輸入電壓 (VIN) 的內(nèi)部電壓，給 NMOS 提供 (VGS)驅(qū)動供電。
2022-10-24 08:34:04864
864八通道低導(dǎo)通電阻NMOS驅(qū)動器ULN2803L數(shù)據(jù)手冊
ULN2803L是為低電壓下工作的系統(tǒng)而設(shè) 計的八通道低導(dǎo)通電阻NMOS驅(qū)動電路。 ULN2803L可以單路輸出500mA驅(qū)動能 力，同時，輸入IO可以兼容1.8/3.3/5.0V 邏 輯控制.
2022-10-08 15:02:184
4驅(qū)動篇 -- NMOS管應(yīng)用
感謝閱讀本文，在接下來很長的一段時間里，我將陸續(xù)分享項目實戰(zhàn)經(jīng)驗。從電源、單片機、晶體管、驅(qū)動電路、顯示電路、有線通訊、無線通信、傳感器、原理圖設(shè)計、PCB設(shè)計、軟件設(shè)計、上位機等，給新手綜合學(xué)習(xí)
2021-12-31 19:12:3014
14NMOS or PMOS?
MOS管開關(guān)電路學(xué)習(xí)過模擬電路的人都知道三極管是流控流器件，也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流；而MOS管是壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。 選擇NMOS
2021-10-22 14:21:009
9NMOS管和PMOS管開關(guān)控制電路原理及應(yīng)用
了解MOS管的開通/關(guān)斷原理你就會發(fā)現(xiàn)，使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的電路設(shè)計復(fù)雜，一般情況下意義不大，所以很少采用。下面先了解MOS管的開通/關(guān)斷
2021-10-21 17:06:0498
98MOS做電源開關(guān)的實用電路，NMOS低端驅(qū)動與PMOS高端驅(qū)動，泄放電阻的作用，及選型參數(shù)分析
的強項。下面來介紹幾種產(chǎn)品設(shè)計中常用的NMOS的電源開關(guān)電路。1、NMOS做電源開關(guān)（低端驅(qū)動，最簡單）由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異，導(dǎo)致同價格的NMOS在開通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻
2021-10-21 15:06:2032
32LTC7003快速60V保護高端nMOS靜電開關(guān)驅(qū)動程序數(shù)據(jù)表
LTC7003快速60V保護高端nMOS靜電開關(guān)驅(qū)動程序數(shù)據(jù)表
2021-06-02 13:05:516
6一個簡單的NMOS 驅(qū)動電路設(shè)計
在搭建一個測試電路，需要用到 NMOS 器件，同事設(shè)計了一個電路如下： 同事搭建的 NMOS 驅(qū)動電路，部分電路看了一眼這個電路，我感覺有問題，MOS 管應(yīng)該不會導(dǎo)通，就跟同事講了，同事說這個電路
2021-01-29 11:57:1714371
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mos管高端驅(qū)動電路 高手才可以搞定的mos管調(diào)壓電路
滿足輸出要求，而很多現(xiàn)成的MOS驅(qū)動IC，似乎也沒有包含gate電壓限制的結(jié)構(gòu)。 于是我設(shè)計了一個相對通用的電路來滿足這三種需求。 電路圖如下： 圖1 用于NMOS的驅(qū)動電路 圖2 用于PMOS的驅(qū)動電路 這里我只針對NMOS驅(qū)動電路做一個簡單分析： Vl和Vh分別是低端
2020-12-30 14:44:0223151
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4個NMOS組成的全橋驅(qū)動電路
4個NMOS組成的全橋驅(qū)動電路我們常用的電機驅(qū)動有半橋驅(qū)動和全橋驅(qū)動，通常我們也會搭配我們的驅(qū)動芯片和NMOS和PMOS來建立全橋和半橋驅(qū)動電路。PWM1 ??PWM2 ??PWM3 ??PWM41
2019-08-26 11:48:4936370
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針對NMOS驅(qū)動電路做一個簡單分析
同時，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現(xiàn)輸入電壓比較高的時候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導(dǎo)通不夠徹底，從而增加功耗。
2018-04-25 15:35:1441000
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一種新型P阱NMOS功率集成電路制作技術(shù)
摘要：提出一種新型的P阱NMOS功率集成電路制作技術(shù)。理論分析表明，該技術(shù)可以比較地實現(xiàn)VDMOS FET與P阱NMOS電路的兼容集成。實驗結(jié)果表明，利用該技術(shù)獲得的器件結(jié)構(gòu)具有良好的
2010-05-08 09:56:2623
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CMOS工藝中GG2NMOS結(jié)構(gòu)ESD保護電路設(shè)計
CMOS工藝中GG2NMOS結(jié)構(gòu)ESD保護電路設(shè)計:采用GG2NMOS 結(jié)構(gòu)的ESD 保護電路的工作原理和對其進行的ESD 實驗,提出了一種保護電路的柵耦合技術(shù)方案,并達到了預(yù)期效果. 通過實驗可以看出其性
2009-11-20 14:48:4341
41NMOS邏輯門電路
NMOS邏輯門電路
NMOS邏輯門電路是全部由Ｎ溝道MOSFET構(gòu)成。由于這種器件具有較小的幾何尺寸，適合于制造大規(guī)模集成電路。此外，由于NMOS集成電路的結(jié)構(gòu)簡單，易于使用CA
2009-04-07 00:17:277195
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工商網(wǎng)監(jiān)
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