引言 化學(xué)蝕刻是通過與強(qiáng)化學(xué)溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應(yīng)用于任何材料。銅是利用化學(xué)腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結(jié)構(gòu)和精密零件中廣泛使用的工程材料之一。在這項研究中,銅在50℃用兩種
2021-12-29 13:21:46
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摘要 我們?nèi)A林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性,以確定該蝕刻劑系統(tǒng)在純鋁電路光刻制造中的潛在生產(chǎn)應(yīng)用。溫度變化、正磷酸濃度、多磷酸濃度的影響。檢測了酸濃度
2022-01-07 15:40:12
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摘要 本文從晶體生長科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點(diǎn)是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數(shù)量級。對金剛石晶體結(jié)構(gòu)的分析表明,晶面
2022-01-25 13:51:11
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引言 正在開發(fā)化學(xué)下游蝕刻(CDE)工具,作為用于半導(dǎo)體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對CDE的要求包括在接近電中性的環(huán)境中獲得高蝕刻速率的能力。高蝕刻率是由含NF”和0的混合物的等離子體放電分解
2022-06-29 17:21:42
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蝕刻機(jī)理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強(qiáng)含水堿性介質(zhì)蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因為不同晶面的Si原子
2022-07-11 16:07:22
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PCB,電路板,基板上面如何出現(xiàn)電路呢?這就要蝕刻來實現(xiàn)。所謂蝕刻,先在板子外層需保留的銅箔部分,也就是電路的圖形部分,在上面預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層,一層
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu),必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常,蝕刻過程分為兩類:浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻,其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中,我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
動物致癌的化合物。其中 15 種屬于多環(huán)芳烴,由于苯并[a]芘是第一個被發(fā)現(xiàn)的環(huán)境化學(xué)致癌物,而且致癌性很強(qiáng),故常以苯并 [a] 芘作為多環(huán)芳的代表,它占全部致癌性多環(huán)芳烴 1%-20% 。 PAHs
2015-08-31 17:50:55
以ALKYLIMIDAZOLE作為護(hù)銅劑而開始,由日本四國化學(xué)公司首先開發(fā)之商品,于1985年申請專利,用于蝕刻阻劑(ETCHING RESIST),但由于色呈透明檢測不易,未大量使用。其后推出
2018-09-10 16:28:08
PCB制作工藝中的堿性氯化銅蝕刻液1.特性1)適用于圖形電鍍金屬抗蝕層,如鍍覆金、鎳、錫鉛合金,錫鎳合金及錫的印制板的蝕刻。 2)蝕刻速率快,側(cè)蝕小,溶銅能力高,蝕刻速率容易控制。 3)蝕刻液可以
2018-02-09 09:26:59
,通過光化學(xué)法,網(wǎng)印圖形轉(zhuǎn)移或電鍍圖形抗蝕層,然后蝕刻掉非圖形部分的銅箔或采用機(jī)械方式去除不需要部分而制成印制電路板PCB。而減成法中主要有雕刻法和蝕刻法兩種。雕刻法是用機(jī)械加工方法除去不需要的銅箔,在單
2018-09-21 16:45:08
一、蝕刻液的選擇 蝕刻液的選擇是非常重要的,它所以重要是因為它在印制電路板制造工藝中直接影響高密度細(xì)導(dǎo)線圖像的精度和質(zhì)量。當(dāng)然蝕刻液的蝕刻特性要受到諸多因素的影響,有物理、化學(xué)及機(jī)械方面的。現(xiàn)
2018-09-11 15:19:38
PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素一、蝕刻液的選擇 蝕刻液的選擇是非常重要的,它所以重要是因為它在印制電路板制造工藝中直接影響高密度細(xì)導(dǎo)線圖像的精度和質(zhì)量。當(dāng)然蝕刻液的蝕刻特性要受到諸多因素
2013-10-31 10:52:34
PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素有哪些
2021-04-25 06:45:00
工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前,錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝中.氨性蝕刻劑是普遍使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外
2018-11-26 16:58:50
使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外,在市場上還可以買到氨水/硫酸氨蝕刻藥液。 以硫酸鹽為基的蝕刻藥液,使用后,其中的銅可以用電解的方法分離出來
2018-09-13 15:46:18
使用化學(xué)溶液去除材料。在 CMOS 制造中,濕法工藝用于清潔晶片和去除薄膜。濕法清潔過程在整個工藝流程中重復(fù)多次。一些清潔過程旨在去除微粒,而另一些則是去除有機(jī)和/或無機(jī)表面污染物。濕蝕刻劑可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號:JFKJ-21-830作者:炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性,使其對高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
各向異性(晶體)化學(xué)蝕刻是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù),其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是:(1)具有原子級光滑面的光學(xué)設(shè)備(波導(dǎo)、激光器)減少損失(2)MEMS,其中幾何形狀可以通過
2021-07-08 13:09:52
。這個蝕刻步驟可以產(chǎn)生光滑的晶體表面,并且可以通過改變第一步驟的方向、化學(xué)試劑和溫度來選擇特定的蝕刻平面。GaN晶體的濕化學(xué)蝕刻是一個非常重要的工藝。清洗效果的好壞極大地影響了芯片的特性。性能可靠、功能
2021-07-07 10:24:07
,非常需要尋找可能更適合器件制造的其他蝕刻劑。2. 蝕刻率研究在我們的研究中,我們使用通過低壓金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積在半絕緣、Cr 摻雜、取向的 GaAs 襯底上生長的 InGaP 層。AsH3、PH3
2021-07-09 10:23:37
的,并且在光刻膠顯影步驟后驗證了附著力。沒有參考文獻(xiàn)提到在濕蝕刻過程中使用預(yù)涂層處理來提高附著力,也沒有觀察到對濕蝕刻輪廓的影響,這通常歸因于蝕刻劑的 GaAs 晶體結(jié)構(gòu)和特性。 背景: 流程變更 對我們
2021-07-06 09:39:22
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:微鏡角度依賴性與蝕刻劑選擇編號:JFKJ-21-047作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html抽象的:在為微光學(xué)創(chuàng)建
2021-07-19 11:03:23
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號:JFSJ-21-015作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
工藝中的蝕刻。目前,錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝中.氨性蝕刻劑是普遍使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外,在市場上還可以買到氨水
2018-04-05 19:27:39
時,化學(xué)鍍鎳液已完全分解了。二、影響鍍液不穩(wěn)定的主要因素 1、鍍液的配比不當(dāng) ?、俅蝸?b class="flag-6" style="color: red">磷酸鹽(還原劑)濃度過高提高鍍液中次亞磷酸鹽的濃度,可以提高沉積速度。但是當(dāng)沉積速度達(dá)到極限時,繼續(xù)增加次亞磷酸鹽的濃度
2018-07-20 21:46:42
)的特性制冷劑的分類 氟哩昂的特性制冷劑的要求 熱力學(xué)的要求在大氣壓力下,制冷劑的蒸發(fā)溫度(沸點(diǎn))ts要低。這是一個很重要的性能指標(biāo)。ts愈低,則不僅可以制取較低的溫度,而且還可以在一定的蒸發(fā)溫度to下
2011-02-21 15:51:57
在噴淋蝕刻過程中,蝕刻液是通過蝕刻機(jī)上的噴頭,在一定壓力下均勻地噴淋到印制電路板上的。蝕刻液到達(dá)印制板之后進(jìn)入干鏌之間的凹槽內(nèi)并與凹槽內(nèi)露出的銅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。此時的蝕刻液既能與銅導(dǎo)線之間凹槽的底露銅
2018-09-10 15:56:56
,才能發(fā)生選擇性沉積。銅原子由于不具備化學(xué)鎳沉積的催化晶種的特性,所以需通過置換反應(yīng),使銅面沉積所需要的催化晶種。(1)鈀活化劑Pd2+ + Cu → Pd + Cu2+(2)釕活化劑Ru2+ + Cu
2015-04-10 20:49:20
噴灑在板子的表面。它把新鮮的溶液噴灑在板子上,具有很高的蝕刻速率。下列因素決定了蝕刻的均勻程度: 1 )噴灑樣式、力量、噴灑量的一致性和排放的位置; 2) 蝕刻劑的化學(xué)性能、泵的壓力、噴嘴的外形
2018-09-11 15:27:47
)光致抗蝕劑:用光化學(xué)方法獲得的,能抵抗住某種蝕刻液或電鍍?nèi)芤航g 的感光材料。 2)正性光致抗蝕劑:光照射部分分解(或軟化),曝光顯影之后,能把生產(chǎn)用照相底版上透 明的部分從板面上除去。3)負(fù)性光致抗
2010-03-09 16:22:39
在印制電路加工中﹐氨性蝕刻是一個較為精細(xì)和覆雜的化學(xué)反應(yīng)過程,卻又是一項易于進(jìn)行的工作。只要工藝上達(dá)至調(diào)通﹐就可以進(jìn)行連續(xù)性的生產(chǎn), 但關(guān)鍵是開機(jī)以后就必需保持連續(xù)的工作狀態(tài)﹐不適宜斷斷續(xù)續(xù)地生產(chǎn)
2017-06-23 16:01:38
的減小?! 耠娊庖哼@一塊,在-20度,-30度下電解液結(jié)冰,黏度增大,形成性能惡化。電解液從三方面:溶劑,鋰鹽,添加劑。溶劑對磷酸鐵鋰電池包低溫影響從70%多影響到90%多,有十幾個點(diǎn)的影響;其次
2018-09-27 16:45:07
`分析原理 CleverChem380全自動間斷化學(xué)分析儀將比色分析法自動化的一種分析測試手段,完全模擬人工比色法,將樣品、試劑和顯色劑加入比色皿中產(chǎn)生顏色反應(yīng),待測物濃度與反應(yīng)液最終顏色深淺
2015-09-21 14:45:25
朝向工作臺面,并帶動晶片轉(zhuǎn)動。 蝕刻液導(dǎo)入裝置是朝向上述工作臺面而設(shè)置,用以導(dǎo)入蝕刻液至晶片背面?! ∪欢鲜龇椒〞邢铝腥秉c(diǎn): (1)需要多使用一層光阻 (2)采用此單晶片蝕刻機(jī)臺進(jìn)行蝕刻時,由于
2018-03-16 11:53:10
`濺鍍制程需經(jīng)過高真空濺鍍、黃光制程、蝕刻多道工藝,是一套成熟穩(wěn)定、可靠性極佳的工藝,許多車用電子廠商與高端應(yīng)用制造商均使用此工藝。而較為成本導(dǎo)向的消費(fèi)性產(chǎn)品所應(yīng)用的MOSFET則較適合使用化學(xué)鍍來
2021-06-26 13:45:06
是半導(dǎo)體制造,微機(jī)械和微流控設(shè)備中的重要過程,需要微尺度的特征來優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài),這在宏觀上幾乎是不可能獲得的。由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時間來輕松控制z軸蝕刻,因此常用于分層應(yīng)用。缺點(diǎn)包括許多化學(xué)廢物,其中許多是高酸性和多步過程。
2021-01-08 10:15:01
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高,因為所用化學(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個薄膜。對于大多數(shù)解決方案,選擇性大于100:1。
2021-01-08 10:12:57
碳粉上的Pt和Pt-CeO2催化劑對四種醇的電化學(xué)氧化具有較高的活性。而Pt-CeO2/C催化劑與Pt/C催化劑相比表現(xiàn)了更好的活性和更強(qiáng)的抗毒化能力。
2011-03-11 12:31:25
大量涉及蝕刻面的質(zhì)量問題都集中在上板面被蝕刻的部分,而這些問題來自于蝕刻劑所產(chǎn)生的膠狀板結(jié)物的影響。對這一點(diǎn)的了解是十分重要的, 因膠狀板結(jié)物堆積在銅表面上。一方面會影響噴射力,另一方面會阻檔了
2017-06-24 11:56:41
工藝中.氨性蝕刻劑是普遍使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。 此外,在市場上還可以買到氨水/硫酸氨蝕刻藥液。以硫酸鹽為基的蝕刻藥液,使用后,其中的銅
2018-09-19 15:39:21
采用RCC與化學(xué)蝕刻法制作高密度互連印制板 &
2006-04-16 21:23:49
1075 磷酸鐵鋰化學(xué)分析法
本標(biāo)準(zhǔn)適用于磷酸鐵鋰產(chǎn)品、半成品及磷鐵礦的分析.
1.0 引用標(biāo)準(zhǔn)
2009-10-27 10:33:45
2057 磷酸鐵鋰的物理化學(xué)特性有哪些?
2009-10-29 11:18:48
1334 PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素
一、蝕刻液的選擇
蝕刻液的選擇是非常重要的,它所以重要是因為它在印制電
2009-11-18 08:56:46
1166 磷酸鐵鋰性能
磷酸鐵鋰:黑色或灰黑色粉末
基本性能:
材料物理化學(xué)性
2009-11-19 10:37:23
911 電池級磷酸二氫鋰
LITHIUM DIHYDROGEN PHOSPHATE
化學(xué)
2009-11-26 08:39:05
602 表面包覆與改性摻雜對磷酸鐵鋰電化學(xué)性能簡介
單純的磷酸鐵鋰(磷酸亞鐵鋰)不是好的電池材料,只有通過表面包覆與改性摻雜來
2009-12-09 09:20:09
760 PCB蝕刻技術(shù)通常所指蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻,指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除,在蝕刻時接觸化學(xué)溶液,達(dá)到溶解腐蝕的作用。
2017-04-21 17:08:27
5086 對于磷酸鐵鋰正極材料而言,其性能優(yōu)劣關(guān)鍵指標(biāo)包括:粒徑、振實密度、壓實密度、比表面積、加工性能及電化學(xué)性能。
2018-06-07 09:00:05
22300 蝕刻液的種類:不同的蝕刻液化學(xué)組分不同,其蝕刻速率就不同,蝕刻系數(shù)也不同。例如:酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為3,堿性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)可達(dá)到4。近來的研究表明,以硝酸為基礎(chǔ)的蝕刻系統(tǒng)可以做到幾乎沒有側(cè)蝕,達(dá)到蝕刻的線條側(cè)壁接近垂直。這種蝕刻系統(tǒng)正有待于開發(fā)。
2018-10-12 11:27:36
6336 蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wet etching)和干蝕刻(dry etching)兩類。它可通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除,在蝕刻時接觸化學(xué)溶液,達(dá)到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-24 15:52:57
29780 通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學(xué)蝕刻(photochemicaletching),指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除,在蝕刻時接觸化學(xué)溶液,達(dá)到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:36
14173 蝕刻法是用蝕刻液將導(dǎo)電線路以外的銅箔去除掉的方法,雕刻法是用雕刻機(jī)將導(dǎo)電線路以外的銅箔去除掉的方法,前者是化學(xué)方法,較常見,后者是物理方法。
2019-05-17 11:13:21
22179 蝕刻指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)摸去處,在蝕刻時接觸化學(xué)溶液,達(dá)到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版。蝕刻機(jī)可以分為化學(xué)蝕刻機(jī)及電解蝕刻機(jī)兩類。
2019-06-26 16:02:48
20207 PCB,電路板,基板上面如何出現(xiàn)電路呢?這就要蝕刻來實現(xiàn)。所謂蝕刻,先在板子外層需保留的銅箔部分,也就是電路的圖形部分,在上面預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層,一層需要
2020-03-08 14:45:21
4248 本文首先介紹了磷酸鐵鋰電池的工作原理,其次介紹了磷酸鐵鋰電池化學(xué)反應(yīng)方程式,最后闡述了磷酸鐵鋰電池工作溫度。
2020-03-28 14:00:59
43882 在噴淋蝕刻過程中,蝕刻液是通過蝕刻機(jī)上的噴頭,在一定壓力下均勻地噴淋到印制電路板上的。蝕刻液到達(dá)印制板之后進(jìn)入干鏌之間的凹槽內(nèi)并與凹槽內(nèi)露出的銅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
2020-04-08 14:53:25
3295 
,錫鉛為抗蝕劑。 二、蝕刻反應(yīng)基本原理 1.酸性氯化銅蝕刻液 ①.特性 -蝕刻速度容易控制,蝕刻液在穩(wěn)定狀態(tài)下能達(dá)到高的蝕刻質(zhì)量 -蝕銅量大 -蝕刻液易再生和回收 ②.主要反應(yīng)原理 蝕刻過程中,Cu2+有氧化性,將板面銅氧化成Cu+:Cu+CuCl2→2CuC
2020-12-11 11:40:58
7462 蝕刻:將覆銅箔板表面由化學(xué)藥水蝕刻去除不需要的銅導(dǎo)體,留下銅導(dǎo)體形成線路圖形,這種減去法工藝是當(dāng)前印制電路板加工的主流
2021-01-06 14:32:01
8529 1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學(xué)反應(yīng)而移除多余材料的技術(shù)。PCB線路板生產(chǎn)加工對蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈,僅此而已。在PCB制造過程中,如果要精確地
2021-04-12 13:48:00
31019 
分析化學(xué)小型化的一個方便的起點(diǎn)是使用單c:晶體硅作為起始材料,微加工作為使技術(shù),濕化學(xué)蝕刻作為關(guān)鍵的微加工工具。在本文中,我們回顧了硅微加工,并描述了形成可能用于化學(xué)分析應(yīng)用的通道、柱和其他幾何圖案
2021-12-22 17:29:02
1095 
)、(TMAH)、NaOH等,但KOH與TMAH相比,平整度更好,并且只對硅的 100 表面做出反應(yīng),因此Fig。如1所示,具有54.74的各向異性蝕刻特性,毒性小。使用KOH的硅各向異性濕式蝕刻在壓力傳感器、加速度計、光學(xué)傳感器等整體MEMS裝置結(jié)構(gòu)形成等中使用。 實驗 KOH硅濕法蝕刻工藝 工藝
2021-12-23 09:55:35
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的光學(xué)特性。樣品的全反射系數(shù)低于未經(jīng)處理的硅太陽能電池。硅太陽能電池的整體效率取決于所選的銀離子濃度制備條件和濕法蝕刻時間。太陽能電池的紋理化表面顯示出效率的提高,電路光電流高于沒有紋理化的參考硅太陽能電池。給出了
2022-01-04 17:15:35
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光增強(qiáng)電化學(xué)(PEC)濕蝕刻也被證明用于氮化鎵。PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對較低、表面損傷較低的優(yōu)點(diǎn),但尚未找到一種生產(chǎn)光滑的垂直側(cè)壁的方法。氮化鎵的裂切面也有報道,在藍(lán)寶石基質(zhì)上生長的氮化
2022-01-17 15:38:05
942 
引言 我們?nèi)A林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加,從20~80°C不等。通過在1100°C下快速熱退火,提高了反應(yīng)
2022-01-17 16:21:48
324 
介紹 本文通過詳細(xì)的動力學(xué)研究,闡明了在富含HF的高頻/HNO3混合物中對硅的濕式化學(xué)蝕刻的機(jī)理。蝕刻實驗后,我們進(jìn)行進(jìn)行了化學(xué)分析并研究了蝕刻速率與溫度、蝕刻劑的硅含量利用率和攪拌速度的函數(shù)關(guān)系
2022-01-24 15:41:13
1340 
本文探討了紫外輻照對生長在藍(lán)寶石襯底上的非有意摻雜n型氮化鎵(GaN)層的濕法化學(xué)刻蝕的影響。實驗過程中,我們發(fā)現(xiàn)氮化鎵的蝕刻發(fā)生在pH值分別為2-1和11-15的磷酸水溶液和氫氧化鉀溶液中。在稀釋
2022-01-24 16:30:31
948 
索引術(shù)語:氮化鎵,蝕刻 摘要 本文介紹了我們?nèi)A林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進(jìn)行光增強(qiáng)濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結(jié)果。 介紹 光電化學(xué)
2022-02-07 14:35:42
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摘要 綜述了半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)。描述了對堿性溶液中硅的各向異性化學(xué)蝕刻和 n 型半導(dǎo)體中各向異性孔的電化學(xué)蝕刻的最新見解。強(qiáng)調(diào)了電流效應(yīng)在開路蝕刻中的可能作用。 介紹 由于簡單
2022-03-03 14:16:37
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HF對基片進(jìn)行了研究,主要分為隨機(jī)蝕刻和周期性蝕刻。 我們討論了蝕刻的問題機(jī)理、蝕刻速率、硬掩膜材料、周期性光俘獲結(jié)構(gòu)。
2022-03-08 11:52:41
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本文研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加,從20~80°C不等。通過在1100°C下快速熱退火,提高了反應(yīng)性濺射制備
2022-03-09 14:37:47
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分析化學(xué)小型化的一個方便的起點(diǎn)在于使用單晶硅作為起始材料,微加工作為使能技術(shù),濕化學(xué)蝕刻作為關(guān)鍵的微加工工具。在這次可行性研究和學(xué)習(xí)中都起到了關(guān)鍵作用。
2022-03-11 13:58:08
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根據(jù)水痕缺陷主要成分是氧化硅的特征, 利用磷酸氧化硅有較低的蝕刻率, 并不會蝕刻掉多晶硅的特性, 工藝易于控制。 因此對于用光學(xué)顯微鏡觀察到產(chǎn)生水痕缺陷的晶圓,選用熱磷酸重新進(jìn)行表面化學(xué)處理五分鐘
2022-03-15 15:09:53
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利用作為掩模的陽極多孔氧化鋁的模式轉(zhuǎn)移,制備了具有100nm周期性自有序結(jié)構(gòu)的孔和柱陣列納米結(jié)構(gòu),納米圖案的轉(zhuǎn)移是通過一個涉及硅的局部陽極化和隨后的化學(xué)蝕刻的組合過程來實現(xiàn)的。利用這一方法,可以通過改變蝕刻條件來制造負(fù)圖案和正圖案。
2022-03-23 11:05:54
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硅是微電子學(xué)和微細(xì)力學(xué)中最常用的襯底材料。它不僅可用作無源襯底,也可用作電子或機(jī)械元件的有源材料。如本章所述,所需的圖案也可以通過濕化學(xué)蝕刻方法來實現(xiàn)。
2022-03-23 14:17:16
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觀察到不同的蝕刻特性,當(dāng)氫氧化鉀濃度固定為20 wt%時,在80℃以上的蝕刻溫度下觀察到U形槽的蝕刻形狀,在80℃以下觀察到V形槽的蝕刻形狀,蝕刻硅表面產(chǎn)生的小丘隨著蝕刻劑溫度和濃度的增加而減少。
2022-03-25 13:26:34
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本文采用超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層,利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu),用該方法可以制備質(zhì)量因子的多孔硅微腔,超聲波蝕刻所導(dǎo)致的質(zhì)量的提高
2022-04-06 13:32:13
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本研究根據(jù)蝕刻條件的變化,對蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進(jìn)行了球面分析,并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質(zhì)物性值變化時的噴霧特性,并考察了與蝕刻特性的相互關(guān)系。
2022-04-07 16:16:39
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引言 硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料,是極其重要的,將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中,晶圓表面會產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層,進(jìn)行化學(xué)蝕刻,在硅晶片的制造工序
2022-04-08 17:02:10
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硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料,是極其重要的,將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中,晶圓表面會產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層,進(jìn)行化學(xué)蝕刻,在硅晶片的制造工序中,使共有
2022-04-12 15:28:16
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本研究根據(jù)蝕刻條件的變化,對蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進(jìn)行了球面分析,并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質(zhì)物性值變化時的噴霧特性,并考察了與蝕刻特性的相互關(guān)系。
2022-04-14 14:02:00
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本文采用超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層,利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu),用該方法可以制備質(zhì)量因子的多孔硅微腔,超聲波蝕刻所導(dǎo)致的質(zhì)量的提高
2022-04-15 10:18:45
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拋光的硅片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先,通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片),然后進(jìn)行稱為研磨的平整過程,該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機(jī)械損傷通過蝕刻是本文的重點(diǎn)。在準(zhǔn)備用于器件制造之前,蝕刻之后是各種單元操作,例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:37
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金屬涂層,如銅膜,可以很容易地沉積在半導(dǎo)體材料上,如硅晶片,而無需使無電鍍工藝進(jìn)行預(yù)先的表面預(yù)處理。然而,銅膜的粘附性可能非常弱,并且容易剝離。在本研究中,研究了在氫氟酸溶液中蝕刻作為硅晶片化學(xué)
2022-04-29 15:09:06
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劑濃度觀察到不同的蝕刻特性,當(dāng)氫氧化鉀濃度固定為20wt%時,在80℃以上的蝕刻溫度下觀察到U形槽的蝕刻形狀,在80℃以下觀察到V形槽的蝕刻形狀,蝕刻硅表面產(chǎn)生的小丘隨著蝕刻劑溫度和濃度的增加而減少。 為了了解單晶硅的KOH溶液和K
2022-05-05 16:37:36
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氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物,是用于硅晶片微加工最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說,它們在某些方向上的蝕刻速度比在其他方向上的蝕刻
2022-05-09 15:09:20
1420 引用 本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機(jī)理。首先,確定控制底切的蝕刻前沿的晶面,并測量它們的蝕刻速率。然后,基于測量數(shù)據(jù),檢驗了凸角補(bǔ)償技術(shù)
2022-06-10 17:03:48
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50納米,4,5,盡管最近有報道稱rms粗糙度低至4–6納米的表面。6光增強(qiáng)電化學(xué)(PEC)濕法蝕刻也已被證明適用于氮化鎵(GaN)的蝕刻。7–10 PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對較低和表面損傷較低的優(yōu)勢
2022-07-12 17:19:24
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在半導(dǎo)體濕法蝕刻中, 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝, 實踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā), 我們?nèi)A林科納分析了影響蝕刻率的各個因素, 并通過
2022-08-30 16:41:59
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反應(yīng)性離子蝕刻綜合了離子蝕刻和等離子蝕刻的效果:其具有一定的各向異性,而且未與自由基發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的材料會被蝕刻。首先,蝕刻速率顯著增加。通過離子轟擊,基材分子會進(jìn)入激發(fā)態(tài),從而更加易于發(fā)生反應(yīng)。
2022-09-19 15:17:55
3390 總之,磷酸鐵鋰電池具有安全性高、循環(huán)壽命長、溫度特性好和成本低等優(yōu)勢,具備廣泛的應(yīng)用前景。 磷酸鐵鋰電池是一種新型的鋰離子電池,與傳統(tǒng)的三元鋰電池相比,其具有更高的安全性和更長的壽命。然而,磷酸
2023-03-07 16:19:27
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本文綜述了工程師們使用的典型的濕化學(xué)配方。盡可能多的來源已經(jīng)被用來提供一個蝕刻劑和過程的簡明清單
2023-03-17 16:46:23
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金屬蝕刻是一種通過化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強(qiáng)度。
2023-03-20 12:23:43
3172 大多數(shù)iii\-氮化物的蝕刻目前是通過干燥工藝完成的。雖然干蝕刻具有許多理想的特性,包括高蝕刻率和獲得垂直壁的能力,但干蝕刻有幾個缺點(diǎn),包括產(chǎn)生離子致?lián)p傷和難以獲得光滑的蝕刻側(cè)壁,這是激光所需要的。
2023-03-22 10:55:50
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關(guān)鍵詞:氫能源技術(shù)材料,耐高溫耐酸堿耐濕膠帶,高分子材料,高端膠粘劑引言:蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:16
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蝕刻液的化學(xué)成分的組成:蝕刻液的化學(xué)組分不同,其蝕刻速率就不相同,蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&;堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達(dá)到幾乎沒有側(cè)蝕問題,蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35
553 目前,大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點(diǎn),包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30
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