日前，科技部高新技術發(fā)展及產業(yè)化司司長趙玉海在第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成立大會上強調，應加強第三代半導體產業(yè)的戰(zhàn)略研究，打造第三代半導體產業(yè)生態(tài)。欲知更多科技資訊，請關注每天的電子芯聞早報。
2015-09-15 10:38:28
1277 臺積電和三星都將在明年規(guī)模量產10nm新工藝，高通、蘋果、三星、聯(lián)發(fā)科的下一代處理器自然都會蜂擁而上，搶占制高點，據(jù)說第一個將是聯(lián)發(fā)科的新十核Helio X30。
2016-07-15 10:30:591048 工信部副部長辛國斌在此間表示，當前，全球汽車產業(yè)正加速向智能化、電動化的方向轉變，為搶占新一輪制高點，把握產業(yè)發(fā)展趨勢和機遇，我國已啟動傳統(tǒng)能源車停產停售時間表研究。
2017-09-11 07:07:001042 LoRa與NB-IoT是最有發(fā)展前景的兩個低功耗廣域網通信技術。不過兩者之間到底有什么區(qū)別和不同？誰又將更勝一籌占領LPWAN制高點？
2016-10-24 09:25:463557 未來的AI制高點到底是什么？德迅投資董事總經理謝彤認為，還是要靠傳感器、信號處理芯片等這樣的硬科技。
2019-11-18 09:27:205081 、封裝測試、半導體專用設備、半導體專用材料、半導體分立器件的海內外廠商，企事業(yè)單位搭建了一個展示最新成果，打造產品品牌的平臺。而且聚焦產業(yè)政策解讀，涵蓋“體制創(chuàng)新、模式創(chuàng)新、技術創(chuàng)新”等內容的高峰論壇
2017-09-15 09:29:38
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料，是被國際普遍關注并認可已開啟產業(yè)化的第四代半導體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導體相比，氧化鎵的禁帶寬度遠高于后兩者，其禁帶寬度達到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
一文解讀HEVC視頻標準的環(huán)內濾波，看完你就懂了
2021-06-03 06:08:38
市場趨勢和更嚴格的行業(yè)標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應用實現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現(xiàn)這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
計算中的瓶頸。此外當PBG結構為圓環(huán)形時，一般的階梯近似不足以滿足計算精度。針對以上兩個問題，本文采用本課題組帶有共形網格建模的MPI并行FDTD程序對圓環(huán)形PBG結構進行了分析。討論了單元數(shù)目，單元間距，圓孔內徑和導帶寬度對S參數(shù)的影響，最后設計了一種寬禁帶圓環(huán)形PBG結構。
2019-06-27 07:01:22
我廠專業(yè)生產半導體加熱材料，半導體烘干設備，這種新型的半導體材料能節(jié)約能源，讓熱能循環(huán)再利用。如有需要請聯(lián)系我們。網址：www.rftxny.com 電話：0536-52065060536-5979521
2013-04-01 13:13:15
半導體材料市場構成：在半導體材料市場構成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學品、建設靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
半導體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀初，就曾出現(xiàn)過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應用，是半導體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
敏感，據(jù)此可以制造各種敏感元件，用于信息轉換。 半導體材料的特性參數(shù)有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度。禁帶寬度由半導體的電子態(tài)、原子組態(tài)決定，反映組成這種材料的原子中價
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國還專程看了華為英國公司的石墨烯研究，搞得國內好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內褲都跟著炒作起來了~~小編也順應潮流聊聊半導體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
半導體制冷的機理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級，在外電場的作用下，電荷載體從高能級的材料向低能級的材料運動時，便會釋放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半導體制冷片是利用半導體材料的Peltier效應而制作的電子元件，當直流電通過兩種不同半導體材料串聯(lián)成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實現(xiàn)制冷的目的。它是一種產生負熱阻的制冷技術，其特點是無運動部件，可靠性也比較高。半導體制冷片的工作原理是什么？半導體制冷片有哪些優(yōu)缺點？
2021-02-24 09:24:02
半導體材料半導體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
摘要：半導體激光器是以一定的半導體材料做工作物質而產生受激發(fā)射作用的器件。其工作原理是，通過一定的激勵方式，在半導體物質的能帶（導帶與價帶）之問，或者半導體物質的能帶與雜質（受主或施主）能級之間，實現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉，當處于粒、子數(shù)反轉狀態(tài)的大量電子與空穴復合時，便產生受激發(fā)射作用。
2021-01-12 10:20:39
隔著一條禁帶，當電子吸收了光的能量從價帶跳躍到導帶中去時就把光的能量變成了電，而帶有電能的電子從導帶跳回價帶，又可以把電的能量變成光，這時材料禁帶的寬度就決定了光電器件的工作波長。 小功率半導體
2016-01-14 15:34:44
電阻率是決定半導體材料電學特性的重要參數(shù)，為了表征工藝質量以及材料的摻雜情況，需要測試材料的電阻率。半導體材料電阻率測試方法有很多種，其中四探針法具有設備簡單、操作方便、測量精度高以及對樣品形狀
2021-01-13 07:20:44
下降。當半導體的溫度升到某一點時，其電導率與金屬導體的相近。同時有兩種載流子參加導電。兩種載流子是指帶負電荷的電子與帶正電荷的空穴。在大多數(shù)的情況下，同一種半導體材料因摻雜劑的不同，既可以形成以電子為主
2018-03-29 09:04:21
進口日本半導體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產材料。聯(lián)系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
寬禁帶半導體的介紹
2016-04-18 16:06:50
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現(xiàn)這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
市場趨勢和更嚴格的行業(yè)標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應用實現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
方向，承載了世界人民夢想。同時，物聯(lián)網也被視作全球經濟增長新引擎，在全球則能帶來10萬億美元的經濟價值，各國紛紛制訂相關物聯(lián)網發(fā)展戰(zhàn)略，以此搶占這一輪信息科技發(fā)展制高點。物聯(lián)網概念對于...
2021-07-28 06:07:30
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
STM32系列打造意法半導體核心戰(zhàn)略產品
2012-07-31 21:36:53
之間移動的電子稱為帶隙能量。絕緣體、導體和半導體的導電性能可以從它們帶隙的不同來理解。圖 1 和圖 2 說明了摻雜劑如何影響半導體的電阻率/電導率。在圖 1 中，摻雜劑產生了一個空穴，因為它缺少與四價
2021-07-01 09:38:40
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 半導體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導體的光學特性介紹III 族氮化物材料的光學特性顯然與光電應用直接相關，但測量光學特性
2021-07-08 13:08:32
及新能源汽車要求在600V-1200V，而軌道交通要求最高，范圍在3300V-6500V之間。圖表4 功率半導體器件的應用及工作頻率（來源：Applied Materials）注：IPM即智能功率模塊，常見類型有IGBT類本文來源：來源：寬禁帶半導體技術創(chuàng)新聯(lián)盟
2019-02-26 17:04:37
?！ 。?）本征半導體：不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本征半導體。在極低溫度下，半導體的價帶是滿帶，遭到熱激起后，價帶中的局部電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶，價帶中短少一個
2020-03-26 15:40:25
三極管具有什么特性？什么是寬禁帶半導體？
2021-06-08 07:09:36
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
基于霍耳效應的半導體磁電轉換傳感器。在磁場測量以及利用磁場作為媒介對位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測量中，半導體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現(xiàn)這一目標。那么具體什么是寬禁帶技術呢？
2019-07-31 07:42:54
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
。今天安泰測試就給大家分享一下吉時利源表在寬禁帶材料測試的應用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
本文基于Agilent ADS仿真軟件設計實現(xiàn)一款高效GaN寬禁帶功率放大器，詳細說明設計步驟并對放大器進行了測試，結果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz內實現(xiàn)功率15W以上，附加效率超過67％的輸出。
2021-04-06 06:56:41
請問有人知道怎么建立基于其他材料的器件仿真模型庫，不是硅材料的，比如說，GaN,SiC等寬禁帶材料的，謝謝啦，比如SiC的功率mos，我有功率mos的數(shù)值仿真數(shù)據(jù)，但是不知道怎樣在pspice中使用，呵呵，求達人告知
2009-12-02 11:35:39
想用半導體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機控制系統(tǒng)，能調溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經有了，想問問你們有沒好點的意見，能盡量提高點效率還有溫度調節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
傳感器與計算機、通信被稱為信息系統(tǒng)的三大支柱，傳感器技術的優(yōu)劣成為衡量一個國家科技水平和是否處在國際戰(zhàn)略競爭制高點的重要標志，是發(fā)達國家高度重視的核心基礎技術。傳感器產業(yè)已被國內外公認為是具有
2019-01-21 09:26:55
安森美半導體被德國汽車制造商奧迪挑選加入推進半導體計劃（PSCP），這一合作將推動即將到來的自動和電動汽車的電子創(chuàng)新和質量。這一跨領域的半導體戰(zhàn)略旨在推動創(chuàng)新及品質，并在早期為奧迪車型提供最新的技術
2018-10-11 14:33:43
`我司專業(yè)生產制造半導體包裝材料。晶圓硅片盒及里面的填充材料一批及防靜電屏蔽袋。聯(lián)系方式：24632085`
2016-09-27 15:02:08
的機遇和挑戰(zhàn)等方面，為從事寬禁帶半導體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應用的專業(yè)人士和研究生提供了難得的學習和交流機會。誠摯歡迎大家的參與。1、活動主題寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用2
2017-07-11 14:06:55
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導體供應商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進行新產品開發(fā)，用于汽車功能電子化和HEV/EV應用。
2019-07-23 07:30:07
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導體材料。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場強高、熱導率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特點，可以用來制造
2019-10-24 14:21:23
泛的寬禁帶半導體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優(yōu)異的半導體性能，在各個現(xiàn)代工業(yè)領域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應用場合下極為理想的半導體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
材料的代表，寬禁帶材料SiC和GaN相對于前兩代半導體材料具有可見光波段的發(fā)光特性、高擊穿場強、更好的大功率特性、更加抗高溫和高輻射等優(yōu)勢，可以應用于光電器件、微波通信器件和電力電子器件。經過多年的發(fā)展
2017-02-22 14:59:09
是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
半導體制作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發(fā)展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、移動電話或是數(shù)字錄音機當中
2016-11-27 22:34:51
請問怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅動器設計？
2021-06-17 06:45:48
，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
鋰電池產業(yè)全球已成三足鼎立,仍需搶占動力電池制高點
2009年11月4日16:14:10
鋰離子電池是目前理想的新一代綠色能源，具有儲能
2009-11-04 16:14:21418 半導體材料,半導體材料是什么意思
半導體材料（semiconductor material）
導電能力介于導體與絕緣體之間的物質稱為半
2010-03-04 10:28:035544 低維半導體材料, 低維半導體材料是什么意思
實際上這里說的低維半導體材料就是納米材料，之所以不愿意使用這個詞，主要是不想
2010-03-04 10:31:425083 什么是半導體材料
半導體材料（semiconductormaterial）是導電能力介于導體與絕緣體之間的物質。半導體材料是一類具有半導體性能、可
2010-03-04 10:36:173395 3D戰(zhàn)火延燒臺灣 電視大廠正面交鋒搶占制高點
超乎預期地，3D電視在全球市場的反應回響十分熱烈，3D電視大廠之間的競爭態(tài)勢也
2010-03-30 10:40:31471 我國提交傳感器服務規(guī)范 政府推動物聯(lián)網搶占行業(yè)制高點
傳感網國家標準工作組副秘書長邢濤3月29日表示，由我國提交給ISO/IEC JTC1(ISO/IEC 信息
2010-04-02 10:47:34542 分析了SiC半導體材料的結構類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長技術及器件工藝技術， 簡要討論了SiC 器件的主要應用領域和優(yōu)勢
2011-11-01 17:23:20
81 日前國務院印發(fā)《十三五國家信息化規(guī)劃》，要求加快推進5G技術研究和產業(yè)化。中興通訊憑借30年來的信息技術積累和持續(xù)的高強度研發(fā)投資，已成為全球極少數(shù)掌握5G核心技術的企業(yè)之一。 瞄準戰(zhàn)略制高點 中興
2017-01-11 11:42:12979 搶占第三代半導體材料戰(zhàn)略制高點，緊密配合國家產業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略，布局一體化產業(yè)生態(tài)，由科技部、財政部、教育部三部委聯(lián)合指導的第六屆創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽之第二屆國際第三代半導體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽（以下簡稱“大賽”）即將于11月在北京舉辦總決賽。
2017-10-09 14:32:05630 指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。 隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導體材料及工藝情況。 砷化鎵 GaAs 砷化鎵的電子遷移速率
2017-11-24 06:54:521538 指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。 隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導體材料及工藝情況。 砷化鎵GaAs 砷化鎵GaAs 砷化鎵的電子
2017-12-07 14:37:191755 “2018中國半導體材料及設備產業(yè)發(fā)展大會”在京召開。本次大會由中國電子信息產業(yè)發(fā)展研究院主辦、邳州市政府協(xié)辦，旨在通過梳理半導體產業(yè)的發(fā)展方向、推介半導體材料及設備產業(yè)的創(chuàng)新理念，共同促進半導體產業(yè)生態(tài)環(huán)境的構建，推動我國集成電路產業(yè)的健康發(fā)展。
2018-02-06 03:56:521434 推動互聯(lián)網、物聯(lián)網、大數(shù)據(jù)、人工智能和實體經濟深度融合，做大做強數(shù)字經濟。在近日召開的福建兩會上，2018年福建省政府工作報告將物聯(lián)網產業(yè)的發(fā)展納入數(shù)字福建的戰(zhàn)略版圖，為萬物互聯(lián)、人機交互、天地一體
2018-02-24 13:55:382429 在今日舉行的“2018全球下一代 互聯(lián)網 峰會”上，國家 信息化專家咨詢委員會常務副主任周宏仁在演講時表示，全球物聯(lián)網將成為下一代互聯(lián)網，應未雨綢繆，搶占這個制高點，爭奪國際話語權。
2018-05-29 15:35:00961 隨著大數(shù)據(jù)、云計算等一批信息技術發(fā)展以及人工智能的發(fā)展，加速了制造業(yè)向智能化轉型。作為未來制造業(yè)的主攻方向，智能制造是搶占國際制造業(yè)科技競爭的制高點。而工業(yè)機器人是智能制造業(yè)最具代表性的裝備，市場發(fā)展空間十分巨大。
2018-04-12 08:33:001218 深度學習框架是新一輪人工智能跨越發(fā)展的核心引擎，也是全球科技創(chuàng)新和產業(yè)發(fā)展的前沿陣地。近年來，各國競相布局深度學習框架，力爭搶占該領域的制高點?，F(xiàn)階段，我國人工智能發(fā)展存在深度學習框架面臨國際戰(zhàn)略
2018-08-16 17:41:341255 我國第三代半導體產業(yè)正進入高速發(fā)展階段。從戰(zhàn)略上講，重視第三代半導體材料是整個國家的需要，也是我國發(fā)展的新機會。第三代半導體材料作為新材料產業(yè)的重要組成部分，是全球戰(zhàn)略競爭新的制高點。
2018-11-02 08:58:001929 未來的世界是一個萬物互聯(lián)的世界，而萬物互聯(lián)最廣泛的應用場景便是智能家居。如今，這個萬億級的市場吸引了全球科技巨頭的深度參與，包括Google、亞馬遜、海爾、華為、BAT等都在積極搶占技術和市場的制高點。
2018-10-12 10:29:55897 文章簡要回顧了半導體的研究歷史，介紹了半導體材料與相關應用，闡述了半導體異質結器件的工作原理，并展示了半導體自旋電子學及低維窄禁帶半導體納米結構的研究現(xiàn)狀與發(fā)展前景。
2018-11-29 17:04:1711894 7月20日，長沙三安第三代半導體項目開工活動在長沙高新區(qū)舉行。 當前，第三代半導體材料及器件已成為全球半導體材料產業(yè)的前沿和制高點之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體成熟商用材料，在新能源汽車
2020-09-12 09:28:092819 9月4日，第二屆第三代半導體材料及裝備發(fā)展研討會在北京召開，作為第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟會員單位，湖南天玥科技有限公司（長沙新一代半導體研究院）參加會議。 公司副總裁袁堅出席會議。 本次會議
2020-09-26 10:55:022339 鎵等材料為代表是4G時代的主力，第三代半導體則是以氮化鉀，碳化硅，氧化鋅，氧化鋁，金剛石為代表，更合適在高頻，高功率及高溫環(huán)境下工作，這是各國在集成電路領域中競相追逐的戰(zhàn)略制高點，將對產業(yè)格局產生重大的影響。
2020-10-26 14:23:442459 ，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導體材料及工藝情況。 砷化鎵 GaAs 砷化鎵的電子遷移速
2020-10-30 02:09:47560 ，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導體材料及工藝情況。
2020-12-30 04:49:0036 今（26）日，2020（第十二屆）傳感器與MEMS產業(yè)化技術國際研討會（暨成果展）于廈門海滄正式召開。廈門半導體投資集團有限公司董事總經理王匯聯(lián)發(fā)表《“詩和遠方”——探尋中國半導體產業(yè)發(fā)展路徑》的主題演講。
2020-11-26 10:52:262068 半導體材料是制作半導體器件和集成電路的電子材料，是半導體工業(yè)的基礎。利用半導體材料制作的各種各樣的半導體器件和集成電路，促進了現(xiàn)代信息社會的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031979 
新型存儲技術不斷出現(xiàn)，這次ULTRARAM占據(jù)了制高點。
2023-08-22 16:19:37921 
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