談到芯片封裝對載板及電子制造服務(wù)商(EMS)的影響時,重點主要集中在大封裝和極高I數(shù)、O數(shù)、精細(xì)間距元器件;在大多數(shù)情況下確實如此。然而,目前的幾種封裝趨勢為簡化印制電路板(PCB)及EMS供應(yīng)鏈生產(chǎn)進而降低成本提供了新的途徑。
少數(shù)關(guān)鍵技術(shù)支持著這些發(fā)展。貫穿硅通孔(Through silicon vias,TSV)的起源可以追溯到晶體管的發(fā)明,可在20世紀(jì)80年代的超級計算機中找到這類晶體管。但在2005年至2010年之間,它才真正進入了批量制造領(lǐng)域。從那時起,過程控制和良率的快速發(fā)展導(dǎo)致了極高密度存儲器的實現(xiàn)。TSV現(xiàn)在被證明是chiplet芯片架構(gòu)發(fā)展的關(guān)鍵支持技術(shù)。
第二項關(guān)鍵技術(shù)是硅及玻璃載板的發(fā)展。硅載板在20世紀(jì)90年代以一種重要的方式進入人們的視野,直到最近,對于除最深奧的應(yīng)用之外,硅載板的成本都太高。
2008~2010年充斥市場的舊制程制造設(shè)備的可用性為價格更合理的硅載板打開了大門,并為目前的chiplet架構(gòu)提供了一條簡單的路徑,特別是對于大型IC OEM而言。
在Georgia Tech Packaging Research Center廣泛研究推動下,玻璃載板可以更低的成本提供與硅載板相當(dāng)?shù)母卟季€能力。玻璃和硅芯片的熱膨脹系數(shù)(CTE)之間的兼容性實現(xiàn)了高度可靠的chiplet或SiP應(yīng)用中的多芯片組件。
最后,鍵合和互連的發(fā)展極大地促進了采用TSV及極高密度載板的組裝。2012年,TechLead首次開發(fā)并展示了納米鍵合,一種32微米間距的極高密度芯片間互連方法。IBM蘇黎世公司從2013年開始繼續(xù)這項研究,將納米銅用于PCB組裝。在東京大學(xué),Tadatomo Suga Sensei位于表面活化鍵合技術(shù)的前沿,該技術(shù)從晶圓到晶圓鍵合再到chiplet組裝,找到一席之地。
考慮到TSV和玻璃封裝載板、硅封裝載板從實驗室向主流制造能力轉(zhuǎn)變的影響,再加上創(chuàng)新芯片連接技術(shù)的出現(xiàn),如納米鍵合和表面活化鍵合,以彌補傳統(tǒng)回流焊組裝的不足,其可能性呈指數(shù)級增長。這些技術(shù)一起實現(xiàn)了chiplet架構(gòu),并擴展了系統(tǒng)級封裝(SiP)選項,如混合芯片技術(shù)。
chiplet允許半導(dǎo)體工廠進行更復(fù)雜的元器件設(shè)計,這些設(shè)計結(jié)合了針對其每種應(yīng)用的最佳IC制造技術(shù)。例如,通過將邏輯、存儲器和電源分布分離到單個chiplet,設(shè)計師利用布局和制造技術(shù)來提高小型化及性能。熱量管理能力的額外提高,加上TSV和玻璃載板、Si載板的極細(xì)線寬、線距能力的組合所實現(xiàn)的超高布線密度,減少了PCB所看到的總引腳數(shù)(以及通常的I密度、O密度)。顯然,這大大簡化了PCB組裝,提高了良率。
chiplet還促進了“門陣列”思維,以及在這些元器件中實現(xiàn)的增強功能。元器件設(shè)計師不局限于內(nèi)部的chiplet,而是可以實現(xiàn)每個元器件的最佳設(shè)計和制造,以進一步優(yōu)化整體功能和性能。不僅內(nèi)部資源需求(如設(shè)計、制造、測試等)大幅減少,而且大幅縮短關(guān)鍵的上市時間。
當(dāng)然,已知良好晶片(KGD)問題仍然是障礙,但在過去30年取得的重大進展在大多數(shù)情況下將這種擔(dān)憂降低到了可控制的水平。行業(yè)內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)化努力旨在實現(xiàn)并穩(wěn)定這些機會。
那么,作為chiplet架構(gòu)的母體,SiP起什么作用?許多應(yīng)用需要混合器件類型,如GaAs、SiC、InP等,以提供更專門的功能,而這些功能仍然難以用chiplet設(shè)計實現(xiàn)。SiP仍然是更復(fù)雜和、或特定應(yīng)用的首選方法,在這些應(yīng)用中,特定要求或功能不能保證chiplet設(shè)計所需的復(fù)雜基礎(chǔ)設(shè)施投資。
SiP還可以作為未來chiplet元器件開發(fā)的原型平臺。對SiP中的應(yīng)用進行微調(diào)可以為在下一代產(chǎn)品中成功實施chiplet指明道路。
然而,將SiP視為chiplet的先驅(qū),掩蓋了其自身的主要作用。適當(dāng)利用支持chiplet架構(gòu)的相同技術(shù),擴展了SiP在許多不同方向和領(lǐng)域的適用性。通過使用玻璃載板,SiP利用了相同的布線密度優(yōu)勢,從而提高了熱量管理能力、實現(xiàn)了較低的I數(shù)、O數(shù)及較大的I間距、O間距,再次簡化了PWB組裝并提高了良率。
SiP非常適合于使用任何制造技術(shù)和、或供應(yīng)商提供的基本上現(xiàn)成的芯片設(shè)計快速創(chuàng)建定制應(yīng)用,在上市時間和快速修訂方面,SiP仍然是首選,例如,SiP的存儲器縮小可能甚至不需要載板重新布局,而對于chiplet架構(gòu),至少可以這么說,重新布局仍然是重大挑戰(zhàn)。
其他SiP優(yōu)點包括SiP載板及晶片連接、晶片互連材料選擇的多樣性。例如,向下孔應(yīng)用可以在與AuSi或AuSn結(jié)合的高溫載板上酌情采用SiC器件技術(shù)。對于植入式醫(yī)療產(chǎn)品,SiP可包含大量無源元器件,以允許單個SiP結(jié)構(gòu)中完全實現(xiàn)產(chǎn)品的電子功能。
那么,這些技術(shù)發(fā)展會產(chǎn)生什么影響,特別是對PCB和EMS行業(yè)領(lǐng)域的影響?答案當(dāng)然是“根據(jù)具體情況而定”。
對于大型PCB的制造商來說,由于更大的幾何結(jié)構(gòu)(線寬、線距)和封裝組件內(nèi)電路整合所需的層數(shù)更少,可能意味著成本更低、良率更高、附加值更小。
對采用這類PCB進行生產(chǎn)的EMS供應(yīng)商的影響類似。然而,由于對這些更有價值和更敏感元器件的處理要求,EMS公司可能會保留一些附加值。
供應(yīng)鏈中更專門的領(lǐng)域,如封裝載板供應(yīng)商和外包半導(dǎo)體組裝和測試公司(outsourced semiconductor assembly and test,OSAT),受益于對其更專業(yè)能力的需求增加,產(chǎn)量會增加。
盡管PCB組件(SiP的先驅(qū))和混合電路(chiplet的先驅(qū))在預(yù)測的消亡期后仍繼續(xù)蓬勃發(fā)展,但基于SiP及chiplet的元器件將以本文描述的方式以及許多尚未預(yù)見的方式徹底改變電子產(chǎn)品。
預(yù)計在廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,尤其是物聯(lián)網(wǎng)、汽車、環(huán)境監(jiān)測、安全、移動通信和軍事、航空航天領(lǐng)域等高可靠性領(lǐng)域,將加速增長。每個領(lǐng)域都有特有的挑戰(zhàn),但這些方法均可很好地應(yīng)對。
編輯:黃飛
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