半導體行業(yè):先進封裝關鍵技術
??2021?年,先進封裝市場規(guī)模約?375?億美元,占整體封裝市場規(guī)模的44%,預計到2027年將提升至占比53%,約?650億美元,CAGR21-27為?9.6%
??摩爾定律放緩,芯片特征尺寸已接近物理極限,先進封裝成為提升芯片性能,延續(xù)摩爾定律的重要途徑。
全球封裝技術向先進封裝邁進
先進封裝是指處于前沿的封裝形式和技術,通過優(yōu)化連接、在同一個封裝內(nèi)集成不同材料、線寬的半導體集成電路和器件等方式,提升集成電路的連接密度和集成度。目前,帶有倒裝芯片(FC)結(jié)構(gòu)的封裝、晶圓級封裝(WLP)、系統(tǒng)級封裝(SiP)、2.5D/3D?封裝等均被認為屬于先進封裝范疇。
封裝技術演進:從傳統(tǒng)封裝,到采用硅中介層的2.5D?封裝,到?TSV?垂直連接的3D?封裝
??先進封裝增速高于整體封裝,2.5D/3D封裝增速居先進封裝之首。
根據(jù)Yole,2021年,先進封裝市場規(guī)模約?375億美元,占整體封裝市場規(guī)模的44%,預計到2027年將提升至占比53%,約?650億美元,CAGR21-27為?9.6%,高于整體封裝市場規(guī)模CAGR21-276.3%。先進封裝中的2.5D/3D封裝多應用于(x)PU, ASIC, FPGA, 3D NAND, HBM, CIS等,受數(shù)據(jù)中心、高性能計算、自動駕駛等應用的驅(qū)動,2.5D/3D封裝市場收入規(guī)模CAGR21-27高達?14%,在先進封裝多個細分領域中位列第一。
??先進封裝處于晶圓制造與封測制程中的交叉區(qū)域,涉及IDM、晶圓代工、封測廠商,市場格局較為集中,前6?大廠商份額合計超過80%。全球主要的?6?家廠商,包括?2?家?IDM?廠商(英特爾、三星),一家代工廠商(臺積電),以及全球排名前三的封測廠商(日月光、Amkor、JCET),合計處理了超過80%的先進封裝晶圓。
??TSV?指Through Silicon Via,硅通孔技術,是通過硅通道垂直穿過組成堆棧的不同芯片或不同層實現(xiàn)不同功能芯片集成的先進封裝技術。
TSV?主要通過銅等導電物質(zhì)的填充完成硅通孔的垂直電氣互連,減小信號延遲,降低電容、電感,實現(xiàn)芯片的低功耗、高速通信,增加帶寬和實現(xiàn)器件集成的小型化需求。此前,芯片之間的連接大多都是水平的,TSV的誕生讓垂直堆疊多個芯片成為可能。
相機模組尺寸對比:帶引線鍵合的圖像傳感器(a)VS?帶?TSV?的圖像傳感器(b)
??TSV?用途大致分為?3?種:背面連接(應用于CIS?等)、2.5D封裝(TSV在硅中介層)、3D封裝(TSV位于有源晶粒中,用于實現(xiàn)芯片堆疊)。
目前,國內(nèi)頭部封測企業(yè)如長電科技、通富微電、華天科技、晶方科技等都在TSV有所布局。目前國內(nèi)封測廠進行的TSV工序多用于CIS等封裝,高深寬比要求的?TSV?仍多由晶圓廠來完成。
TSV?的三種應用形式:背面連接、2.5D封裝、3D?封裝
??TSV?制造涉及的相關設備種類繁多。
以2.5D interposer為例,其制造流程可以分為三大部分:TSV process-Via last or Via middle(TSV孔的制造)、Front side process-Dual Damascene process(正面制程-大馬士革工藝)以及?Backside process-Cu Expose & RDL process(背面制程-露銅刻蝕和?RDL制程)。每個部分具體環(huán)節(jié)對應不同設備及不同指標。TSV生產(chǎn)流程涉及到深孔刻蝕、PVD、CVD、銅填充、微凸點及電鍍、清洗、減薄、鍵合等二十余種設備,其中深孔刻蝕、氣相沉積、銅填充、清洗、CMP去除多余的金屬、晶圓減薄、晶圓鍵合等工序涉及的設備最為關鍵。
2.5D interposer?制造流程及所需設備
??國內(nèi)封測廠TSV?布局情況:多家頭部廠商已有布局
內(nèi)資封測廠商向TSV等先進封裝領域突破。全球半導體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷二次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,目前處于第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的進程之中,作為半導體領域壁壘相對較低的領域,封測產(chǎn)業(yè)目前主要轉(zhuǎn)移至亞洲區(qū)域,主要包括中國大陸、中國臺灣、東南亞等。
封測是中國大陸集成電路發(fā)展最為完善的板塊,技術能力與國際先進水平比較接近,我國封測市場已形成內(nèi)資企業(yè)為主的競爭格局。中國大陸封測市場目前主要以傳統(tǒng)封裝業(yè)務為主,經(jīng)過多年的技術創(chuàng)新和市場積累,內(nèi)資企業(yè)產(chǎn)品已由DIP、SOP、SOT、QFP等產(chǎn)品向QFN/DFN、BGA、CSP、FC、TSV、LGA、WLP等技術更先進的產(chǎn)品發(fā)展,并且在WLCSP、FC、BGA?和?TSV?等技術上取得較為明顯的突破,產(chǎn)量與規(guī)模不斷提升,逐步縮小與外資廠商之間的技術差距,極大地帶動我國封裝測試行業(yè)的發(fā)展。
國內(nèi)封測企業(yè)三梯隊中,第一梯隊企業(yè)在先進封裝領域在TSV?已有布局
我國頭部封測企業(yè),如長電科技、通富微電、華天科技、晶方科技已有采用TSV技術封裝的產(chǎn)品批量出貨。2.5D/3D封裝所需的晶圓內(nèi)部的加工如TSV加工,硅轉(zhuǎn)接板加工等工序?qū)儆诰A廠擅長制程,而晶圓,裸芯片(Die)之間的高密度互聯(lián)和堆疊,以及和基板,接點的互聯(lián)技術屬于芯片后道成品制造環(huán)節(jié)的優(yōu)勢。
應用于CoWoS等2.5D/3D先進封裝中的TSV技術對深寬比等有更高要求,需要用到諸多前道設備,仍多由晶圓廠來完成。國內(nèi)封測廠則在先進封裝平臺、CIS封裝等領域?qū)?TSV技術有所布局。長電科技的XDFOI技術平臺有?TSV less和TSV方案。通富微電?2021?年在高性能計算領域建成了?2.5D/3D?封裝平臺(VISionS)及超大尺寸?FCBGA研發(fā)平臺,并完成高層數(shù)再布線技術開發(fā),可為客戶提供晶圓級和基板級Chiplet?封測解決方案;在存儲器領域,多層堆疊NAND Flash?及LPDDR封裝實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn),并在國內(nèi)首家完成基于TSV?技術的3DS DRAM?封裝開發(fā)。華天科技工業(yè)級12?吋?TSV-CIS?產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)。晶方科技應用晶圓級硅通孔(TSV)封裝技術,聚焦以影像傳感芯片為代表的智能傳感器市場,封裝的產(chǎn)品主要包括CIS芯片、TOF芯片、生物身份識別芯片、MEMS?芯片等,應用于智能手機、安防監(jiān)控數(shù)碼、汽車電子等市場領域。
頭部封測企業(yè)量產(chǎn)主要封裝形式
編輯:黃飛
?
評論