国产chinesehdxxxx老太婆,办公室玩弄爆乳女秘hd,扒开腿狂躁女人爽出白浆 ,丁香婷婷激情俺也去俺来也,ww国产内射精品后入国产

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MOSIS在領(lǐng)先的FinFET工藝設(shè)計(jì)中為DRC和LVS signoff部署IC Validator

新思科技 ? 來(lái)源:YXQ ? 2019-07-30 08:37 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新思科技近日宣布MPW(多項(xiàng)目晶元)領(lǐng)先供應(yīng)商MOSIS已選擇新思科技IC Validator工具進(jìn)行物理驗(yàn)證。IC Validator功能齊全的物理驗(yàn)證解決方案,輔助以高度可擴(kuò)展的引擎,助力MOSIS 大大提高物理驗(yàn)證速度。MOSIS在FinFET工藝技術(shù)設(shè)計(jì)中為全芯片設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC)和版圖對(duì)照原理圖(LVS)signoff部署了IC Validator。

“MOSIS 提供MPW設(shè)計(jì),為用戶加快生產(chǎn)速度并降低成本。我們需要一種高效的物理驗(yàn)證解決方案,以確保設(shè)計(jì)流片的準(zhǔn)時(shí)交付。IC Validator使我們的工程師具備滿足生產(chǎn)力和性能要求的各項(xiàng)功能,按時(shí)sign off。”

IC Validator是新思科技Fusion Design Platform?的關(guān)鍵組件。它是一個(gè)全面的物理驗(yàn)證工具套件并可高度擴(kuò)展,包括DRC、LVS、可編程電氣規(guī)則檢查(PERC)、虛擬金屬填充和可制造性設(shè)計(jì)(DFM)增強(qiáng)功能。IC Validator在架構(gòu)時(shí)便秉持實(shí)現(xiàn)高性能和可擴(kuò)展的宗旨,利用智能內(nèi)存感知負(fù)載調(diào)度和平衡技術(shù),讓主流硬件得到最大程度的利用。它可在多臺(tái)機(jī)器上同時(shí)使用多線程和分布式處理方法,利用可擴(kuò)展性優(yōu)勢(shì),擴(kuò)展到1000余個(gè)CPU。

“在先進(jìn)的工藝技術(shù)中,由于制造復(fù)雜性的增強(qiáng),按既定進(jìn)度完成物理驗(yàn)證成為新的挑戰(zhàn)。IC Validator滿足所有主要晶圓代工廠所提供的高性能、可擴(kuò)展性和現(xiàn)成經(jīng)優(yōu)化的運(yùn)行指令集(runset),為設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了生產(chǎn)芯片的最快途徑?!?/p>

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 新思科技
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    864

    瀏覽量

    51458
  • MOSIS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    2

    瀏覽量

    2326

原文標(biāo)題:MOSIS基于新思科技IC Validator進(jìn)行FinFET芯片物理驗(yàn)證

文章出處:【微信號(hào):Synopsys_CN,微信公眾號(hào):新思科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    行芯科技揭示先進(jìn)工藝3DIC Signoff破局之道

    學(xué)術(shù)會(huì)議”上,行芯科技CEO賀青博士基于最近與Top設(shè)計(jì)公司合作成功流片的先進(jìn)工藝3DIC項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn),發(fā)表了題為《面向3DIC的Signoff挑戰(zhàn)與行芯科技創(chuàng)新策略》的演講,行業(yè)帶來(lái)了深刻的技術(shù)洞察。
    的頭像 發(fā)表于 06-12 14:22 ?381次閱讀

    FinFET與GAA結(jié)構(gòu)的差異及其影響

    本文介紹了當(dāng)半導(dǎo)體技術(shù)從FinFET轉(zhuǎn)向GAA(Gate-All-Around)時(shí)工藝面臨的影響。
    的頭像 發(fā)表于 05-21 10:51 ?948次閱讀
    <b class='flag-5'>FinFET</b>與GAA結(jié)構(gòu)的差異及其影響

    PPS注塑IC元件封裝的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)與工藝

    IC元件封裝的應(yīng)用優(yōu)勢(shì) 熱性能優(yōu)勢(shì) 耐高溫性:PPS注塑件長(zhǎng)期使用溫度可達(dá)200-220℃。這使得PPS能夠高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定,不會(huì)因高溫而變形或失效,滿足IC元件
    的頭像 發(fā)表于 05-19 08:10 ?216次閱讀

    FinFET技術(shù)晶圓制造的優(yōu)勢(shì)

    本文通過(guò)介紹傳統(tǒng)平面晶體管的局限性,從而引入FinFET技術(shù)的原理、工藝和優(yōu)勢(shì)。
    的頭像 發(fā)表于 04-14 17:23 ?481次閱讀
    <b class='flag-5'>FinFET</b>技術(shù)<b class='flag-5'>在</b>晶圓制造<b class='flag-5'>中</b>的優(yōu)勢(shì)

    Microchip通過(guò)設(shè)計(jì)內(nèi)signoff DRC成熟節(jié)點(diǎn)定制IC設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)顯著的生產(chǎn)率提升

    版圖設(shè)計(jì)人員和 CAD 工程師利用多種工具,例如 Calibre RealTime 平臺(tái)和 Calibre nmDRC Recon 早期設(shè)計(jì) DRC 工具,來(lái)加速他們的 DRC 收斂過(guò)程,從而將其流片計(jì)劃縮短數(shù)周之多。
    發(fā)表于 04-13 17:33 ?472次閱讀
    Microchip通過(guò)設(shè)計(jì)內(nèi)<b class='flag-5'>signoff</b> <b class='flag-5'>DRC</b><b class='flag-5'>在</b>成熟節(jié)點(diǎn)定制<b class='flag-5'>IC</b>設(shè)計(jì)<b class='flag-5'>中</b>實(shí)現(xiàn)顯著的生產(chǎn)率提升

    是否可以使用OpenVINO?部署管理器部署機(jī)器上運(yùn)行Python應(yīng)用程序?

    使用 OpenVINO?部署管理器創(chuàng)建運(yùn)行時(shí)軟件包。 將運(yùn)行時(shí)包轉(zhuǎn)移到部署機(jī)器。 無(wú)法確定是否可以部署機(jī)器上運(yùn)行 Python 應(yīng)用程
    發(fā)表于 03-05 08:16

    FinFET制造工藝的具體步驟

    本文介紹了FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)制造過(guò)程后柵極高介電常數(shù)金屬柵極工藝的具體步驟。
    的頭像 發(fā)表于 01-20 11:02 ?2847次閱讀
    <b class='flag-5'>FinFET</b>制造<b class='flag-5'>工藝</b>的具體步驟

    FinFet Process Flow-源漏極是怎樣形成的

    本文介紹了FinFet Process Flow-源漏極是怎樣形成的。 FinFET制造工藝,當(dāng)完成偽柵極結(jié)構(gòu)后,接下來(lái)的關(guān)鍵步驟是形成
    的頭像 發(fā)表于 01-17 11:00 ?1132次閱讀
    <b class='flag-5'>FinFet</b> Process Flow-源漏極是怎樣形成的

    常見(jiàn)的lvs負(fù)載均衡算法

    常見(jiàn)的lvs負(fù)載均衡算法包括輪詢(RR)、加權(quán)輪詢(WRR)、最小連接(LC)、加權(quán)最小連接(WLC)、基于局部性的最少鏈接(LBLC)、帶復(fù)制的LBLC(LBLCR)、目標(biāo)地址散列(DH)、源地址
    的頭像 發(fā)表于 12-12 13:50 ?567次閱讀

    YOLOv6LabVIEW的推理部署(含源碼)

    相關(guān)介紹文章,所以筆者實(shí)現(xiàn)YOLOv6 ONNX LabVIEW部署推理后,決定和各位讀者分享一下如何使用LabVIEW實(shí)現(xiàn)YOLOv6的目標(biāo)檢測(cè)。
    的頭像 發(fā)表于 11-06 16:07 ?933次閱讀
    YOLOv6<b class='flag-5'>在</b>LabVIEW<b class='flag-5'>中</b>的推理<b class='flag-5'>部署</b>(含源碼)

    混合部署 | RK3568上同時(shí)部署RT-Thread和Linux系統(tǒng)

    的任務(wù),則可以獨(dú)立的 RT-Thread 分區(qū)運(yùn)行,與 Linux 系統(tǒng)相隔離,以確保系統(tǒng)的安全性和關(guān)鍵任務(wù)的穩(wěn)定執(zhí)行。 燒寫(xiě)支持RT-Thread的AMP系統(tǒng)后,通過(guò)串口終端可以看到Linux
    發(fā)表于 11-01 10:31

    對(duì)于TAS5715兩個(gè)DRC的運(yùn)用有一個(gè)問(wèn)題求解答

    對(duì)于TAS5715兩個(gè)DRC的運(yùn)用有一個(gè)問(wèn)題,DRC1的入口寄存器0X40確定后,無(wú)論怎么調(diào)DRC2的入口寄存器,壓限值都是和DRC1是一樣的,0X50的D4位也設(shè)置
    發(fā)表于 10-31 07:54

    AS5805M功放DRC和AGL的區(qū)別是什么?

    各位好,請(qǐng)教一下TAS5805M功放DRC和AGL的區(qū)別,兩者都有閾值可以設(shè)置,這個(gè)閾值有什么區(qū)別呢? 另外,若需要限功率某一值,DRC和AGL功能都要開(kāi)啟的情況下,兩者的閾值是
    發(fā)表于 10-09 08:09

    混合部署 | RK3568上同時(shí)部署RT-Thread和Linux系統(tǒng)

    的任務(wù),則可以獨(dú)立的 RT-Thread 分區(qū)運(yùn)行,與 Linux 系統(tǒng)相隔離,以確保系統(tǒng)的安全性和關(guān)鍵任務(wù)的穩(wěn)定執(zhí)行。 燒寫(xiě)支持RT-Thread的AMP系統(tǒng)后,通過(guò)串口終端可以看到Linux系統(tǒng)
    發(fā)表于 09-18 10:54

    混合部署 | RK3568上同時(shí)部署RT-Thread和Linux系統(tǒng)-迅電子

    混合部署 | RK3568上同時(shí)部署RT-Thread和Linux系統(tǒng)-迅電子
    的頭像 發(fā)表于 09-06 15:32 ?776次閱讀
    混合<b class='flag-5'>部署</b> | <b class='flag-5'>在</b>RK3568上同時(shí)<b class='flag-5'>部署</b>RT-Thread和Linux系統(tǒng)-迅<b class='flag-5'>為</b>電子