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使用SiC提高工業(yè)應(yīng)用的能源效率(1)

454398 ? 來(lái)源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) ? 作者:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) ? 2022-11-29 17:21 ? 次閱讀
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來(lái)源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū)

包括服務(wù)器電源、不間斷電源(UPS)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器在內(nèi)的工業(yè)應(yīng)用消耗了世界上很大一部分電力。因此,工業(yè)電源效率的任何提高都將大大降低公司的運(yùn)營(yíng)成本。對(duì)于兼具更高功率密度和更好熱性能雙重優(yōu)勢(shì)的高效電源的需求,呈現(xiàn)出指數(shù)增長(zhǎng)。有幾個(gè)因素在推動(dòng)這一增長(zhǎng)。首先是全球能源意識(shí)的提升,能源是社會(huì)化生產(chǎn)不可完全替代的投入要素,能源效率作為國(guó)家或地區(qū)能源安全戰(zhàn)略的重要組成部分,在節(jié)能減排、穩(wěn)定增長(zhǎng)的可持續(xù)發(fā)展道路上有重要支撐作用。以及日益迫切的對(duì)于更理智和更有效地使用能源的訴求。第二個(gè)是物聯(lián)網(wǎng)IoT),它推動(dòng)了將各種新技術(shù)和服務(wù)導(dǎo)入工業(yè)應(yīng)用。借助工業(yè) 4.0 等智能產(chǎn)業(yè)計(jì)劃,機(jī)器、工廠和工作場(chǎng)所通過(guò)連接設(shè)備變得更加智能和具有意識(shí),從而實(shí)現(xiàn)更高的自動(dòng)性、效率、可靠性和安全性。

工業(yè)是能源消費(fèi)的主要產(chǎn)業(yè)部門(mén),而工業(yè)能源消費(fèi)質(zhì)量是衡量能源效率高低的主要標(biāo)準(zhǔn)。系統(tǒng)制造商對(duì)提高工業(yè)應(yīng)用的效率越來(lái)越感興趣。能源效率和降低成本的結(jié)合正成為關(guān)鍵的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位。 但是,隨著采用工業(yè)自動(dòng)化(例如機(jī)器人和電控化生產(chǎn)線)應(yīng)用的不斷增加、為這些系統(tǒng)供電的電力成本也水漲船高。為保持競(jìng)爭(zhēng)力,制造商需要能夠開(kāi)發(fā)新的操作方法以降低工廠成本。

一、對(duì)更高效率、更低成本的需求

由于工業(yè)設(shè)備通常是 24 小時(shí)/天的全天候運(yùn)行,因此效率的任何提高都可以立竿見(jiàn)影地大大降低能耗。解決能源問(wèn)題的最直接方法是為這些工業(yè)系統(tǒng)提供動(dòng)力的系統(tǒng)的能效。因此,行業(yè)、政府和制造商都面臨巨大壓力,需要開(kāi)發(fā)出更高效的電源。例如,諸如能源之星(Energy Star)和 80 Plus 之類(lèi)的標(biāo)準(zhǔn)促進(jìn)了電源裝置(PSU)的能效提升。通過(guò)滿(mǎn)足這些標(biāo)準(zhǔn),PSU OEM 可以輕松地向要求苛刻的市場(chǎng)展示其系統(tǒng)的效率。

電源設(shè)計(jì)人員面臨的最大挑戰(zhàn)是:功率密度、散熱性能和轉(zhuǎn)換效率這三個(gè)特性。此外,設(shè)計(jì)人員需要在最小化整體系統(tǒng)成本的同時(shí)滿(mǎn)足這些挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)方法將會(huì)繼續(xù)在這些方面提供一些改進(jìn)。但由于開(kāi)發(fā)人員多年來(lái)一直專(zhuān)注于從這些系統(tǒng)中獲取更多效益,而相關(guān)效益并不是取之不竭的。所以,為了實(shí)現(xiàn)重大改進(jìn),我們需要新的方法。

二、SiC 能夠做到

碳化硅(SiC)是一種Ⅳ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料,具有多種同素異構(gòu)類(lèi)型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類(lèi):一類(lèi)是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型,稱(chēng)為3C或 β-SiC,這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目;另一類(lèi)是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu),其中典型的有6H、4H、15R等,統(tǒng)稱(chēng)為α-SiC。與Si相 比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使SiC可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境,并具有極好的抗輻射性能。碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。它可用作裸片基板,也可以用于肖特基二極管MOSFET 等分立器件以及功率模塊。

歷史上,硅(Si)被用作大多數(shù)電子應(yīng)用的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。但與 SiC 相比,基于 Si 的電源系統(tǒng)在能效方面相形見(jiàn)絀。SiC 提供了諸多領(lǐng)先 Si 的優(yōu)勢(shì)。

審核編輯黃昊宇

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