在了解5V單片機驅動mos管電路之前，先了解一下單片機驅動mos管電路圖及原理，單片機驅動mos管電路主要根據(jù)MOS管要驅動什么東西，要只是一個繼電器之類的小負載的話直接用51的引腳驅動就可以，要注意電感類負載要加保護二極管和吸收緩沖，最好用N溝道的MOS。

如果驅動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等……此時既要隔離傳送控制信號（例如PWM信號），也要給驅動級（MOS管的推動電路）傳送電能。常用的信號傳送有PC923 PC929 6N137 TL521等至于電能的傳送可以用DC-DC模塊。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的DC-DC，這樣可以降低成本。然后MOS管有一種簡單的驅動方式：2SC1815+2SA1015，NPN與PNP一個用于MOS開啟驅動，一個用于MOS快速關斷。

圖一：適合開關頻率不高的場合，一般低于2KHz。

其中R1=10K，R2、R3大小由V+決定，V+越高，R2、R3越大，以保證電阻及三極管功耗在允許范圍，同時保證R2和R3的分壓VPP=V+ 減10V，同時V+不能大于40V。

補充：圖二：適合高頻大功率場合，到達100KHz沒問題，同時可以并聯(lián)多個MOSFET-P管

R2、R3需要滿足和圖一一樣的條件，其實就是圖一加了級推挽，這樣就可以保證MOSFET管高速開關，上面6P小電容是發(fā)射結結電容補償電容，可以改善三極管高速開關特性。

另外：MOSFET的柵極電容較大，在使用的時候應該把它當成一個容抗負載來看。

MOS管驅動電路

在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。

MOS管導通特性

導通的意思是作為開關，相當于開關閉合。NMOS的特性：Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性：Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。

MOS開關管損失

MOS管驅動電路不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗?，F(xiàn)在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。

MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。

導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大?？s短開關時間，可以減小每次導通時的損失；降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關損失。

MOS管驅動

跟雙極性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。

MOS管驅動電路第二注意的是，普遍用于高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該 選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。

上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要有一定的余量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小?，F(xiàn)在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領域里，但在12V汽車電子系統(tǒng)里，一般4V導通就夠用了。MOS管的驅動電路及其損失，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers toMOSFETS。講述得很詳細，所以不打算多寫了。

MOS管應用電路

MOS管最顯著的特性是開關特性好，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源和馬達驅動，也有照明調光。

二、現(xiàn)在的MOS驅動，有幾個特別的應用：

1、低壓應用當使用5V電源，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導致實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候，我們選用標稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風險。同樣的問題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場合。

2、寬電壓應用輸入電壓并不是一個固定值，它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導致PWM電路提供給MOS管的驅動電壓是不穩(wěn)定的。為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內置了穩(wěn)壓管強行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當提供的驅動電壓超過穩(wěn)壓管的電壓，就會引起較大的靜態(tài)功耗。同時，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現(xiàn)輸入電壓比較高的時候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導通不夠徹底，從而增加功耗。

3、雙電壓應用在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。MOS管驅動電路。這就提出一個要求，需要使用一個電路，讓低壓側能夠有效的控制高壓側的MOS管，同時高壓側的MOS管也同樣會面對1和2中提到的問題。

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