2nm芯片將于2025年量產(chǎn)，將啟用全新技術(shù)
臺積電報告稱正全力以赴地開發(fā)下一代工藝節(jié)點。臺積電計劃在今年晚些時候?qū)⑼懂a(chǎn)首批 3 納米工藝，并在 2025 年底前做好 2 納米工藝的準(zhǔn)備。
2 納米節(jié)點的時間表上，魏哲家表示：“我們的 N2 開發(fā)正在進行中。我們有信心，N2將繼續(xù)保持我們的技術(shù)領(lǐng)先地位，支持客戶的增長。而且我們?nèi)匀挥媱澰?025年投產(chǎn)。預(yù)生產(chǎn)將在 2024 年開始”。也就是說臺積電2nm芯片將于2025年量產(chǎn)。
同時，臺積電（TSMC）曾對外公開表示，該公司在3nm工藝開發(fā)上取得突破。其中在今年8月將可能率先投片第二版3nm制程的N3B，2023年第二季度將有可能量產(chǎn)3nm制程的N3E，比預(yù)計提前了半年。
N3制程節(jié)點仍使用FinFET晶體管的結(jié)構(gòu)，推出的時候?qū)⒊蔀闃I(yè)界最先進的PPA和晶體管技術(shù)，同時也會是臺積電另一個大規(guī)模量產(chǎn)且持久的制程節(jié)點。
據(jù)悉，在 N2 上臺積電首次使用 GAA FET（全環(huán)繞柵極晶體管），逐漸取代 finFET （鰭式場效應(yīng)晶體管）。三星已經(jīng)開始使用他們版本的GAA，英特爾計劃在2024年實施他們的版本。
文章綜合 cnBeta.COM、CNMO手機中國
編輯：黃飛
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