伴隨新興市場(chǎng)的應(yīng)用需求，士蘭微擬擴(kuò)充12英寸芯片和SiC功率器件產(chǎn)能，加快深入電動(dòng)汽車、光伏等領(lǐng)域。

10月15日，士蘭微發(fā)布公告，公司計(jì)劃非公開發(fā)行股票募集資金65億元，其中30億元用于年產(chǎn)36萬(wàn)片12英寸芯片生產(chǎn)項(xiàng)目建設(shè);7.5億元用于SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目建設(shè);11億元用于汽車半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目(一期)建設(shè);16.5億元用于補(bǔ)充流動(dòng)資金。

據(jù)了解，士蘭微此次投建年產(chǎn)36萬(wàn)片12寸晶圓產(chǎn)線項(xiàng)目，達(dá)產(chǎn)后將新增年產(chǎn)12萬(wàn)片F(xiàn)S-IGBT、12萬(wàn)片T-DPMOSFET、12萬(wàn)片SGT-MOSFET功率芯片產(chǎn)能;SiC功率器件產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)12萬(wàn)片SiC-MOSFET和年產(chǎn)2.4萬(wàn)片SiC-SBD6寸晶圓產(chǎn)能;汽車半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目(一期)達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)720萬(wàn)塊汽車級(jí)功率模塊產(chǎn)能。此次擴(kuò)建晶圓和封裝產(chǎn)線是士蘭微長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展的重要一步，將為公司后續(xù)在IGBT、SiC和車規(guī)級(jí)功率模塊領(lǐng)域的長(zhǎng)期發(fā)展奠定基礎(chǔ)，并提供產(chǎn)能保障。

近年來(lái)公司產(chǎn)能穩(wěn)健增長(zhǎng)，此次12寸晶圓擴(kuò)產(chǎn)將進(jìn)一步提升公司IGBT和MOS晶圓產(chǎn)能。封裝方面，公司目前已具備月產(chǎn)7萬(wàn)只汽車級(jí)PIM模塊的生產(chǎn)能力，已經(jīng)向比亞迪、零跑、匯川等下游廠商實(shí)現(xiàn)批量供貨。當(dāng)前國(guó)內(nèi)汽車主驅(qū)模塊供給仍然緊張，公司前瞻布局該領(lǐng)域，目前已成為國(guó)內(nèi)IGBT主驅(qū)模塊主流供應(yīng)商之一。SiC方面，公司目前已突破并掌握平面柵SiC-MOSFET和SiC-SBD關(guān)鍵技術(shù)。隨著士蘭微IGBT、SiC和車規(guī)級(jí)封裝穩(wěn)步推進(jìn)，長(zhǎng)期成長(zhǎng)空間將進(jìn)一步打開。

另外，士蘭微憑借強(qiáng)勁的研發(fā)實(shí)力，上半年公司基于8寸平臺(tái)Trench 1200V IGBT芯片，完成了10A-200A全系列研發(fā)工作，對(duì)應(yīng)IGBT系列模塊同步投放市場(chǎng);第二顆SJ MOS進(jìn)入流片階段，預(yù)計(jì)年底產(chǎn)出工程樣品;SiC方面，公司SiC SBD產(chǎn)品完成批量出貨，SiC 1200V 80mohm系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，1200V 40mohm產(chǎn)品將在今年第四季度推出。經(jīng)過(guò)進(jìn)一步的產(chǎn)能規(guī)劃，士蘭微研發(fā)進(jìn)展順利，伴隨IGBT、SiC等產(chǎn)品發(fā)展節(jié)奏，產(chǎn)品力有望穩(wěn)健提升。

功率器件是電動(dòng)汽車逆變器的核心能量轉(zhuǎn)換單位。隨著高動(dòng)力性能電動(dòng)汽車市場(chǎng)的發(fā)展，高端的SiC和IGBT等功率器件的需求量也會(huì)得到迅速增長(zhǎng)。士蘭微作為上游器件供應(yīng)商，提前布局IGBT、SiC和車規(guī)級(jí)封裝產(chǎn)能，想必下游應(yīng)用市場(chǎng)的需求已具有預(yù)見(jiàn)性。電動(dòng)汽車、光伏等賽道目前依舊火熱。

據(jù)公告，募投項(xiàng)目投產(chǎn)后，公司12英寸芯片和SiC功率器件的產(chǎn)能將得到提升，有利于擴(kuò)大市場(chǎng)份額，提高公司主營(yíng)業(yè)務(wù)盈利水平，增加公司資產(chǎn)規(guī)模和增強(qiáng)抗風(fēng)險(xiǎn)能力，提升和鞏固公司的行業(yè)地位，促進(jìn)公司的可持續(xù)發(fā)展。

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審核編輯 黃昊宇