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本文主要對(duì)電源的軟開(kāi)關(guān)功能進(jìn)行測(cè)試。

當(dāng)MOSFET管所在回路的原邊繞組在過(guò)零點(diǎn)處工作時(shí)，由于感應(yīng)作用在原邊副繞組上的電流也處于過(guò)零點(diǎn)。檢測(cè)通過(guò)此處的電流即可判斷判斷MOS管的導(dǎo)通時(shí)機(jī)。而B(niǎo)D7682FJ正是完成這樣的工作，通過(guò)電路優(yōu)化精準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)技術(shù)。這個(gè)芯片的主要特點(diǎn)在于支持軟啟動(dòng)和提供高頻的開(kāi)關(guān)頻率，BD7682FJ設(shè)計(jì)了超時(shí)開(kāi)關(guān)動(dòng)作功能，這對(duì)于理解電路最終控制電路的工作原理也是非常重要的。

觀察過(guò)零檢測(cè)信號(hào)ZT，這個(gè)信號(hào)用于判決柵極信號(hào)輸出，判決條件在這個(gè)地方設(shè)計(jì)了兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)：

1 當(dāng)檢測(cè)電壓不超過(guò)Vzt2時(shí)超過(guò)15μS，判斷為啟動(dòng)或者低電壓輸出，此時(shí)MOSFET管輸出；

2 當(dāng)檢測(cè)電壓低于Vzt1時(shí)輸出底部檢測(cè)信號(hào)，在檢測(cè)信號(hào)后延時(shí)5μS的情況下不出現(xiàn)新的檢測(cè)脈沖情況下使能并對(duì)MOSFET管輸出信號(hào)。

搭建測(cè)試環(huán)境如下：

下圖是對(duì)BD7682FJ進(jìn)行測(cè)試，分別測(cè)試了其在輕載情況下的過(guò)零檢測(cè)輸入腳和mos管輸出腳的工況，以及MOSFET管源漏兩端的電壓情況?？梢钥闯鐾ㄟ^(guò)使用BD7682FJ可以實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，提高了開(kāi)關(guān)頻率，圖中測(cè)試頻率達(dá)到了32KHz。

過(guò)零檢測(cè)輸入腳（下）和MOS管輸出腳（上）的工況

MOSFET管源漏兩端的電壓

審核編輯：湯梓紅