肖特基二極管以發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名。

SBD(Schottky Barrier Diode)是肖特基勢壘二極管的縮寫。

不同于一般二極管的P半導體和N半導體接觸形成，肖特基二極管是利用金屬和半導體接觸形成。

肖特基的兩個主要特點，一個是正向?qū)▔航当容^低，一般在0.15~0.5V之間，導通壓降低可以提高系統(tǒng)的效率。

另一個特點是反向恢復時間短，一般在幾個納秒。

所以肖特基二極管一般用作高頻、大電流整流、低壓、續(xù)流二極管、保護二極管等。

二極管從正向?qū)ǖ椒聪蚪刂褂幸粋€反向恢復的過程，而不是立即由導通到截止。

對上述的肖特基二極管上加電壓。

在0-t1時間內(nèi)，給二極管加正的VF電壓，二極管導通，流過二極管的電流IF=(VF-VD)/RL，VD是二極管的導通壓降。

在t1后，將V1由VF改為-VR，理想條件下，二極管會立刻截止，反向電流IR很小。

但實際情況是，二極管并不是立刻截止，而是由正向IF變?yōu)橐粋€很大的反向電流IR=VR/RL，維持Ts時間后，IR再慢慢降低到一個很小的值，差不多是0.1倍IR，時間為Tt，這時的二極管才進入反向截止狀態(tài)。

通常把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反向截止所經(jīng)過的轉(zhuǎn)換過程稱為反向恢復過程。

其中Ts稱為存儲時間，Tt稱為渡越時間，Ts+Tt稱為反向恢復時間。

由于反向恢復時間的存在，使二極管的開關(guān)速度受到限制。

審核編輯：湯梓紅