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Nexperia(安世半導體)推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET

安世半導體 ? 來源:安世半導體 ? 2023-05-10 11:23 ? 次閱讀
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業(yè)內唯一可同時提供級聯(lián)型(cascade)和增強型(e-mode)氮化鎵器件的供應商。

基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的 E-mode(增強型)功率 GaN FET 。Nexperia(安世半導體)在其級聯(lián)型氮化鎵產品系列上增加了七款新型 E-mode 器件,從 GaN FET 到其他硅基功率器件, Nexperia(安世半導體)豐富的產品組合能為設計人員提供最佳的選擇。

Nexperia(安世半導體)的新產品包括五款額定電壓為 650 V 的 E-mode GaN FET(RDS(on)值介于 80 mΩ 至 190 mΩ 之間),提供 DFN 5x6 mm 和 DFN 8x8 mm 兩種封裝。這些產品可在高電壓(< 650 V)、低功率的數據通訊/電信、消費類充電、太陽能和工業(yè)應用中提高電源轉換效率,還可用于高精度無刷直流電機和緊湊型服務器設計,以實現(xiàn)更高扭矩和更大功率。?

Nexperia(安世半導體)現(xiàn)還提供采用 WLCSP8 封裝的100 V(3.2 mΩ)GaN FET 和采用 FCLGA 封裝的150 V(7 m?)GaN FET 。這些器件適合各種低電壓(<150 V)、高功率應用,例如,數據中心使用的高效 DC-DC 轉換器、快速充電(電動出行類和 USB-C 類)、小尺寸 LiDAR 收發(fā)器、低噪聲 D 類音頻放大器以及功率密度更高的消費類設備(如手機、筆記本電腦和游戲主機)。?

在許多功率轉換應用中, GaN FET 憑借緊湊型解決方案尺寸能實現(xiàn)更高的功率效率,從而顯著降低物料(BOM)成本。因此, GaN 器件在主流電力電子市場逐漸得到了廣泛應用,包括服務器計算、工業(yè)自動化、消費類應用和電信基礎設施。基于 GaN 的器件具備快速轉換/開關能力(高 dv/dt 和 di/dt),可在低功率和高功率轉換應用中提供出色的效率。Nexperia(安世半導體)的 E-mode GaN FET 具有出色的開關性能,這得益于極低的 Qg和 QOSS值,并且低 RDS(on)有助于實現(xiàn)更高的功率效率設計。

這些新器件進一步擴充了 Nexperia(安世半導體)豐富的 GaN FET 產品系列,適合各種功率轉換的應用。產品組合包括支持高電壓、高功率應用的級聯(lián)器件,支持高電壓、低功率應用的 650 V E-mode 器件和支持低電壓、高功率應用的 100/150 V E-mode 器件。此外, Nexperia E-mode GaN FET 采用8英寸晶圓生產線制造以提高產能,符合工業(yè)級的 JEDEC 標準。Nexperia(安世半導體)的 GaN 器件產品系列不斷擴充,充分體現(xiàn)了 Nexperia(安世半導體)堅守承諾,促進優(yōu)質硅器件和寬禁帶技術發(fā)展的決心。

Nexperia (安世半導體)

Nexperia(安世半導體)總部位于荷蘭,是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導體公司,目前在歐洲、亞洲和美國共有15,000多名員工。作為基礎半導體器件開發(fā)和生產的領跑者,Nexperia(安世半導體)的器件被廣泛應用于汽車、工業(yè)、移動和消費等多個應用領域,幾乎為世界上所有電子設計的基本功能提供支持。

Nexperia(安世半導體)為全球客戶提供服務,每年的產品出貨量超過1,000億件。這些產品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面成為行業(yè)基準,獲得廣泛認可。Nexperia(安世半導體)擁有豐富的IP產品組合和持續(xù)擴充的產品范圍,并獲得了 IATF 16949、 ISO 9001、 ISO 14001和 ISO 45001標準認證,充分體現(xiàn)了公司對于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴苛要求的堅定承諾。

Nexperia:效率致勝。

審核編輯:湯梓紅

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原文標題:新品快訊?| Nexperia(安世半導體)推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET

文章出處:【微信號:Nexperia_China,微信公眾號:安世半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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