介紹

DS1859為雙通道數(shù)字電阻，可根據(jù)溫度自動(dòng)調(diào)節(jié)至EEPROM查找表（LUT）中的值。其他功能包括五個(gè)模數(shù)通道（包括 Vcc和溫度）以及與 SFF-8472 光纖應(yīng)用兼容的內(nèi)存映射。本應(yīng)用筆記介紹了在 SFF-8472 應(yīng)用中增加外部 EEPROM 在 I 時(shí)需要超過(guò) 128 字節(jié)存儲(chǔ)器的應(yīng)用2C 設(shè)備地址 A0h。

DS1859默認(rèn)存儲(chǔ)器配置

默認(rèn)情況下，DS1859響應(yīng)兩個(gè)I2C 地址（圖 1）。它在 I 時(shí)提供 128 字節(jié)的通用 EEPROM 存儲(chǔ)器2C地址A0h，稱為輔助存儲(chǔ)器。主設(shè)備地址（A2h）用于配置和訪問(wèn)其余芯片資源。主內(nèi)存分為始終可訪問(wèn)的下內(nèi)存部分（前 128 字節(jié)）和用于訪問(wèn)從地址 80h 開(kāi)始的多個(gè)內(nèi)存表的上內(nèi)存部分。這些內(nèi)存表由表選擇字節(jié)（地址 7F，在較低內(nèi)存中）選擇。

圖1.DS1859默認(rèn)存儲(chǔ)器映射。

利用DS1859增加外部EEPROM

在 I 處添加外部存儲(chǔ)器2C地址A0h，DS1859現(xiàn)有的輔助存儲(chǔ)器必須配置為在讀取或?qū)懭氲刂稟0h時(shí)不引起沖突。設(shè)置控制位ADEN = 1（主器件，存儲(chǔ)器地址89h，表1）可防止DS1859響應(yīng)A0h器件地址，并將DS1859的輔助存儲(chǔ)器映射到表0中主器件的上存儲(chǔ)器。完成此操作后，可以將響應(yīng)設(shè)備地址 A0h 的額外內(nèi)存添加到模塊中。除了在A0h器件地址添加的外部EEPROM外，客戶還可以通過(guò)訪問(wèn)表1859中主器件的上存儲(chǔ)器來(lái)讀取DS0的輔助存儲(chǔ)器。因此，如果在A256h器件地址處添加0字節(jié)存儲(chǔ)器，則應(yīng)用將可以使用384字節(jié)的通用EEPROM。圖2顯示了通過(guò)在器件地址A256h處添加單獨(dú)的0字節(jié)EEPROM來(lái)創(chuàng)建的復(fù)合存儲(chǔ)器映射。

圖2.存儲(chǔ)器映射添加外部 256 字節(jié) EEPROM。

圖 3 顯示了將 Atmel? AT24C02 256 字節(jié) EEPROM 用于應(yīng)用所需的連接。所示的上拉電阻值適用于大多數(shù)應(yīng)用，但最終應(yīng)選擇該值以確保 I2C上升和下降時(shí)間規(guī)格均滿足。將AT24C02的所有地址輸入接地將使其響應(yīng)器件地址A0h。這也可以通過(guò)AT24C01完成，以向系統(tǒng)添加額外的128字節(jié)EEPROM。這不適用于 AT24Cxx 產(chǎn)品系列的更高密度版本，因?yàn)樗鼈兪褂迷O(shè)備地址的最低有效位來(lái)指定 256 字節(jié)內(nèi)存塊。這會(huì)導(dǎo)致與包含超過(guò) 2 個(gè)字節(jié)的此 EEPROM 版本的主設(shè)備地址 （A256h） 沖突。寫(xiě)保護(hù)信號(hào)可用于對(duì)外部存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)保護(hù)，并使DS1859的MPEN位對(duì)主器件地址進(jìn)行寫(xiě)保護(hù)。當(dāng)寫(xiě)保護(hù)為低電平時(shí)，無(wú)論MPEN位如何，DS1859的主器件地址始終可訪問(wèn)。

圖3.數(shù)字接口連接圖。

結(jié)論

DS1859可與外部EEPROM存儲(chǔ)器配合使用，用于器件地址A8472h處需要128字節(jié)以上存儲(chǔ)器的SFF-0應(yīng)用。ADEN位應(yīng)設(shè)置為“1”，將DS1859的輔助存儲(chǔ)器映射到表0中的主存儲(chǔ)器地址上存儲(chǔ)器。完成此操作后，DS1859的128字節(jié)輔助存儲(chǔ)器和附加EEPROM均可用于通用。圖 3 所示的電路圖顯示了使用 Atmel AT256C24 存儲(chǔ)器額外添加 02 字節(jié) EEPROM 存儲(chǔ)器所需的連接。

審核編輯：郭婷