９.２.３ 開關(guān)特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
開關(guān)
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
3282瀏覽量
95408
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)
01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過(guò)晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用
。其中，關(guān)斷損耗（Eoff）作為衡量器件開關(guān)性能的重要指標(biāo)，直接影響著系統(tǒng)的效率、發(fā)熱和可靠性。本文將聚焦于基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性，深入探討其
碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢(shì)
在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下，功率器件的性能和效率面臨著越來(lái)越高的要求。碳化硅（SiC）作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能，逐漸成為功率電子
碳化硅功率器件的特性和應(yīng)用
）功率器件，成為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的基本特性、主要類型、應(yīng)用領(lǐng)域、市場(chǎng)前景以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
碳化硅功率器件的散熱方法
碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其耐高壓、耐高溫、高開關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性，在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，碳化硅功率
碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析
碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技
碳化硅在半導(dǎo)體中的作用
碳化硅（SiC）在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色，其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢(shì)： 一、
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET
發(fā)表于 01-04 12:37
青銅劍技術(shù)推出全新碳化硅驅(qū)動(dòng)核
近年來(lái)，隨著碳化硅技術(shù)的不斷成熟，行業(yè)對(duì)碳化硅功率器件的應(yīng)用需求正日益趨向多樣化、集成化及輕量化。碳化硅功率
碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢(shì)
碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅（SiC），作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域： 電子
碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用
碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù)，因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用
碳化硅（SiC）功率器件近年來(lái)在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì)。本
碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用
碳化硅（SiliconCarbide，簡(jiǎn)稱SiC）功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率
碳化硅功率器件的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制，已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長(zhǎng)的高性能、高效率、高可靠性的應(yīng)用需求。在這一背景下，碳化硅（SiC）功率
碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和分類
碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論