碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領域。

近年來，全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉移。目前,我國已經(jīng)成為全球最重要的半導體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時代半導體、揚州揚杰等）；模塊類（嘉興斯達、南京銀茂、中車永電、西安衛(wèi)光、湖北臺基、寧波達新等）；設計類（青島佳恩、無錫紫光、上海陸芯、浙江天毅、深圳芯能、成都森未等）；代工類（上海華虹、蕪湖啟迪、深圳方正微、中芯集成電路等）。

目前常用的碳化硅功率半導體器件主要包括：碳化sbd(schottkybarrierdiode，肖特基二極管)與碳化硅mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金屬氧化物半導體場效應管)，其中碳化硅mosfet器件屬于單級器件，開通關斷速度較快，對柵極可靠性提出了更高的要求，而由于碳化硅材料的物理特性，導致柵級結構中的柵氧層缺陷數(shù)量較多，致使碳化硅mosfet器件柵極早期失效率相比硅mosfet器件較高，限制了其商業(yè)化發(fā)展。為提高碳化硅mosfet器件柵級工作壽命，需要對碳化硅功率半導體器件進行基于柵極的測試，在將碳化硅功率半導體器件壽命較低的器件篩選出來，提高碳化硅功率半導體器件的使用壽命。

SiC功率器件的電學性能測試主要包括靜態(tài)、動態(tài)、可靠性、極限能力測試等，其中：
（1）靜態(tài)測試：通過測試能夠直觀反映SiC器件的電學基本性能，可簡單評估器件的性能優(yōu)劣。
各種靜態(tài)參數(shù)為使用者可靠選擇器件提供了非常直觀的參考依據(jù)、同時在功率器件檢測維修中發(fā)揮了至關重要的作用。小編推薦一款SiC靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)ENJ2005-C，該設備可測試各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的靜態(tài)參數(shù)，系統(tǒng)提供與機械手、探針臺、電腦的連接口，可以支持各種不同輔助設備的相互連接使用。

（2）動態(tài)測試：主要測試SiC器件在開通關斷過程中的性能。
通常我們希望的功率半導體器件的開關速度盡可能得高、開關過程段、損耗小。但是在實際應用中，影響開關特性的參數(shù)有很多，如續(xù)流二極管的反向恢復參數(shù)，柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容、柵極電荷的存在，所以針對于此類參數(shù)的測試，變得尤為重要。開關特性決定裝置的開關損耗、功率密度、器件應力以及電磁兼容性。直接影響變換器的性能。因此準確的測量功率半導體器件的開關性能具有極其重要的意義。小編推薦一款SiC動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)EN-1230A，該設備可測試各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的動態(tài)參數(shù)，如開通時間、關斷時間、上升時間、下降時間、導通延遲時間、關斷延遲時間、開通損耗、關斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復時間、反向恢復充電電量、反向恢復電流、反向恢復損耗、反向恢復電流變化率、反向恢復電壓變化率、集電極短路電流、輸入電容、輸出電容、反向轉移電容、柵極串聯(lián)等效電阻、雪崩耐量等。

半導體IGBT（動態(tài)&靜態(tài)）測試系統(tǒng)

（3）可靠性測試：考量SiC器件是否達到應用標準，是商業(yè)化應用的關鍵。
半導體功率器件廠家在產(chǎn)品定型前都會做一系列的可靠性試驗，以確保產(chǎn)品的長期耐久性能。

（4）極限能力測試：如浪涌電流測試，雪崩能量測試
浪涌電流是指電源接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。

雪崩耐量即向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時，電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減，此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量。推薦ENX2020A雪崩能量測試系統(tǒng)，能夠準確快速的測試出SiC·二極管、SiC·MOSFET等半導體器件的雪崩耐量。

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