碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工，包括長晶、切割、研磨拋光、沉積外延；第二部分芯片加工，這部分跟硅基IGBT類似。

第一部分，晶圓加工

首先，以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC，通過物理氣相傳輸（PVT）制備單晶

第二，使用多線切割設(shè)備切割SiC，晶體切成薄片，厚度不超過1毫米

第三，通過不同粒度的金剛石研磨液，將晶圓研磨至所需要的平整度和粗糙度。

第四，對(duì)SiC晶圓進(jìn)行機(jī)械拋光，和化學(xué)機(jī)械拋光，得到鏡面SiC拋光晶圓

第五，利用光學(xué)顯微鏡和儀器，檢測SiC晶圓的微管密度，表面粗糙度、電阻率、翹曲TTV，表面劃痕等參數(shù)

第六，拋光后的SiC晶圓用清洗劑，和純水清洗，去除拋光液等表面污染物

第七，用超高純氮?dú)夂透稍餀C(jī)，對(duì)晶圓進(jìn)行吹氣和干燥

第八，利用化學(xué)氣象沉積等方法，在襯底上生成SiC外延片，最后制作相關(guān)器件

第二部分芯片加工環(huán)節(jié)

第一，注入掩膜。首先清洗晶圓，淀積一層氧化硅薄膜，接著通過勻膠、曝光、顯影等工藝步驟形成光刻膠圖形，最后通過刻蝕工藝將圖形轉(zhuǎn)移到刻蝕掩膜上。

第二，離子注入。將做好掩膜的晶圓放入離子注入機(jī)，注入高能離子。之后移除掩膜，進(jìn)行退火以激活注入離子。

第三，制作柵極。在晶圓上依次淀積柵氧層、柵電極層形成門級(jí)控制結(jié)構(gòu)。

第四，制作鈍化層。淀積一層絕緣特性良好的電介質(zhì)層，防止電極間擊穿。

第五，制作漏源電極。在鈍化層上開孔，并濺射金屬形成漏源電極。

轉(zhuǎn)載自：今日半導(dǎo)體

審核編輯：湯梓紅