串行接口存儲(chǔ)器的產(chǎn)品陣容有16Kbit至4Mbit的SPI接口產(chǎn)品，以及4Kbit至1Mbit的I2C接口產(chǎn)品。電源電壓除主要的3.3V工作產(chǎn)品外，正在擴(kuò)充1.8V工作產(chǎn)品。封裝除能夠與EEPROM及串行閃存兼容的SOP外，還提供可穿戴設(shè)備用SON（Small Outline Non-leadedpackage）及WL-CSP（Wafer Level Chip Size Package）等超小型封裝產(chǎn)品。

與其他非易失性存儲(chǔ)器相比，串行接口存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)在于——寫(xiě)入快、讀寫(xiě)耐久性高、功耗低。

*1 ：當(dāng)工作溫度低于+85℃時(shí)，數(shù)據(jù)保持時(shí)間可以延長(zhǎng)，詳細(xì)請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)。

*1 ：當(dāng)工作溫度低于+85℃時(shí)，數(shù)據(jù)保持時(shí)間可以延長(zhǎng)，詳細(xì)請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)。

*2 ：滿(mǎn)足SPI以及Quad SPI接口

*3 ：高速讀取模式時(shí)，可實(shí)現(xiàn)最大40MHz操作。

*4 ：有二進(jìn)制計(jì)數(shù)器功能

*5 ：雙SPI模式時(shí)，可實(shí)現(xiàn)最大7.5MHz操作。

并行接口存儲(chǔ)器為采用TSOP或SOP封裝的256Kbit至4Mbit的產(chǎn)品，工作時(shí)的電源電壓為3.3V，但MB85R4M2T能夠在1.8V-3.6V的大范圍內(nèi)進(jìn)行工作。封裝方式為能夠與SRAM兼容的TSOP或SOP。

在SRAM及使用數(shù)據(jù)保持電池的應(yīng)用中，并行接口存儲(chǔ)器被作為進(jìn)一步降低能耗或減少電池的解決方案。

*1 ：當(dāng)工作溫度低于+55℃或+85℃時(shí)，數(shù)據(jù)保持時(shí)間可以延長(zhǎng)，詳細(xì)請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)。

未來(lái)富士通還將通過(guò)技術(shù)來(lái)發(fā)來(lái)提高一些技術(shù)規(guī)格，如工作電壓和存取速度，并提供多種產(chǎn)品。富士通半導(dǎo)體能夠利用其它公司不能提供的富士通獨(dú)有技術(shù)，提供廣泛的單獨(dú)FRAM產(chǎn)品。