SiC內(nèi)卷和洗牌加速，目前國產(chǎn)SiC器件性能與國際大廠相比是否還有差距？車載SiC國產(chǎn)化何時才能實現(xiàn)？SiC產(chǎn)業(yè)未來的方向又在哪里？

2024年10月22日，由EEVIA主辦的第12屆中國硬科技產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新趨勢峰會暨百家媒體論壇在深圳灣萬怡酒店隆重舉行，Big-Bit資訊記者受邀親臨現(xiàn)場，見證了這場科技盛宴的精彩瞬間。

第12屆中國硬科技產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新趨勢峰會暨百家媒體論壇現(xiàn)場

艾邁斯歐司朗、Qorvo、RAMXEED（原富士通半導體）、飛凌微、安謀科技、清純半導體等6家知名企業(yè)詳細展示了車載LED、傳感器、高性能存儲器、端側(cè)SoC芯片，AI圖像圖處理芯片和車載SiC芯片等場景的最新SiC產(chǎn)品。

Big-Bit資訊將通過論壇演講內(nèi)容，帶大家一起了解上述企業(yè)究竟有哪些“科技與狠活”。

艾邁斯歐司朗：智能駕駛中的光與智

艾邁斯歐司朗深耕光源市場已有百余年，在汽車光源領域也已經(jīng)超過四十年的歷史，是名副其實的汽車照明龍頭企業(yè)，在汽車照明光源市場有著無可比擬的優(yōu)勢。此次論壇，艾邁斯歐司朗高級市場經(jīng)理羅理為與會聽眾介紹了3款艾邁斯歐司朗人車互動方面的創(chuàng)新光源。

艾邁斯歐司朗高級市場經(jīng)理 羅理

首款光電結(jié)合的車載LED。艾邁斯歐司朗最新推出的25600像素EVIYOS? 2.0，是業(yè)界第一款光與電子相結(jié)合的LED，底部集成了CMOS電路控制LED的亮和滅，25600個像素點壓縮到40平方毫米的曲光面上，每個像素點粗細僅50微米，且都可以獨立尋址開關，為汽車照明工程師設計提供了更多可能性和想象空間。

艾邁斯歐司朗車載LED應用示例

首款智能RGB LED。OSIRE?E3731i這款產(chǎn)品是業(yè)界首個推出基于OSP開放架構(gòu)的、把LED和驅(qū)動集成在一個封裝的SiC產(chǎn)品，是艾邁斯歐司朗為應對新能源汽車信息顯示越來越豐富，逐漸成為人車互動載體而推出的SiC產(chǎn)品，解決了當前汽車LED使用顆粒數(shù)增加、保障RGB混色均勻等痛點問題，并實現(xiàn)成本和數(shù)量的平衡。通過OSP開放協(xié)議，免除了MCU廠家的限制，只需要雙絞線和高低電頻，一個SPI接口就可串聯(lián)高達1,000顆的RGBi，且可預埋在SiC主控域控制器上，通過OTA升級更新，大大簡化了架構(gòu)布局，提高了整車的通用性。

360°輻射側(cè)發(fā)光LED。SYNIOS? P1515的封裝是1.5×1.5mm2，通過創(chuàng)新性的SiC封裝設計，把整個尾燈信號燈面發(fā)光源的結(jié)構(gòu)壓縮到5毫米甚至更低，其均勻地分布在側(cè)面、360°環(huán)繞的出光方式，可以為工程師帶來更多結(jié)構(gòu)上的創(chuàng)新，如替代傳統(tǒng)頂發(fā)光LED，使得整體結(jié)構(gòu)更加簡單；或者用于實現(xiàn)類似于OLED的超薄均勻性面發(fā)光。

隨著新能源汽車市場的快速發(fā)展，中國汽車市場正逐漸脫離跟隨者的角色，艾邁斯歐司朗也緊跟步伐，扎根于中國，在技術(shù)創(chuàng)新實現(xiàn)降本增效的基礎上，不斷追求解放SiC技術(shù)設計師的思路和思維，增加SiC產(chǎn)品工程師架構(gòu)設計的可塑性，從而為SiC業(yè)界和SiC市場提供更多的選擇。

Qorvo：從突破射頻到UWB和應用于下一代移動設備的傳感器

Qorvo是一家全球領先的的連接和電源解決方案供應商，作為首個將ACS TUNER天線方案帶到中國市場的品牌，經(jīng)過二十多年的深耕，目前Qorvo產(chǎn)品已廣泛應用于互聯(lián)移動、電源、AI服務器和汽車。Qorvo中國高級銷售總監(jiān)江雄詳細介紹了目前Qorvo應用于各個領域的最新SiC產(chǎn)品。

Qorvo中國高級銷售總監(jiān) 江雄

基于人機交互的Sensor Fusion（傳感器融合），關于Force Sensor部分，今年最熱的就是iPhone16采用了融合壓力傳感器單獨拍攝鍵，這個按鍵被業(yè)界定義為AI鍵，未來會集成更多的功能和用途。Force Sensor在很多領域例如智能穿戴、筆記本、智能家電等，尤其是汽車上，從車外到車內(nèi)、車門、方向盤、控制面板，已有多家知名整車廠商使用Qorvo的MEMS Sensor方案，最多的一款用了28顆Sensor了，可以讓人機交互體驗更加流暢，界面更加時尚，也可以增加更多的方式。

此外，江雄還詳細介紹了Qorvo的Phase 8射頻前端模組、濾波器、Wi-Fi芯片、功率器件等相關SiC新產(chǎn)品及其應用進展，致力于通過技術(shù)為用戶提供更好的performance、更創(chuàng)新的SiC技術(shù)方案、更小SiC產(chǎn)品尺寸和更高的集成度。

RAMXEED：高可靠性和無遲延應用首選

RAMXEED（原富士通半導體）總經(jīng)理馮逸新為與會嘉賓詳細介紹了富士通集團的發(fā)展歷程。

RAMXEED（原富士通半導體）總經(jīng)理 馮逸新

富士通從1956年開始研發(fā)半導體，80年代成長為頂級的半導體公司，是IDM的典型代表，并將于2025年1月1日正式撤出半導體市場，以全新面貌——RAMXEED回歸大眾視野。

目前RAMXEED只專注于高性能存儲器FeRAM、ReRAM和以FeRAM、ReRAM為基礎的SiC定制產(chǎn)品，SiC產(chǎn)品生產(chǎn)銷量主要在日本，以定制芯片ASIC為主；其次就是亞太，主要是在中國和中國臺灣，中國臺灣主要是FA和醫(yī)療電子標簽，大陸主要是表計、FA、新能源汽車充電樁、PV（光伏發(fā)電的設備）逆變器和儲能應用。

本屆論壇，RAMXEED帶來新產(chǎn)品鐵電隨機存儲器（FeRAM），是為數(shù)不多實現(xiàn)ReRAM量產(chǎn)的半導體供應商，目前最大容量12Mbit，能耐高溫（125°C），傳輸速度快（50MHz、108MHz），功耗低（1.65V），且尺寸?。―FN封裝），在智能電網(wǎng)、汽車、充電樁、工廠和樓宇自動化、船舶、工程機械、醫(yī)療電子、云計算、游戲等方面均有成熟應用，并詳細介紹了其未來SiC技術(shù)迭代路徑，并可根據(jù)SiC市場需求把速度做得更快。

飛凌微：端側(cè)SoC與感知融合 助力車載智能視覺升級

思特威副總裁、飛凌微首席執(zhí)行官邵科主要從端側(cè)AI處理優(yōu)勢及主要SiC技術(shù)應用場景、飛凌微M1智能視覺處理系列芯片及其在車載視覺中的SiC技術(shù)應用三個方面進行了分享。

思特威副總裁、飛凌微首席執(zhí)行官 邵科

邵科提到，最近十年中視覺系統(tǒng)有兩大方面發(fā)展非常迅速，一是圖像傳感器、視覺類的SiC產(chǎn)品用得越來越多，從原來安防監(jiān)控到現(xiàn)在的手機，再到門鈴、掃地器、人臉支付等日常生活的方方面面，視覺應用越來越寬泛；

二是神經(jīng)網(wǎng)絡，像AI算法發(fā)展越來越快速、應用越來越多，會催生大量的視覺應用需求，主要包括三大類：

第一類是在端側(cè)采集數(shù)據(jù)，在云端做處理，時效性要求相對較低；

第二類是在端側(cè)采集數(shù)據(jù)，同時在本地中央計算來處理AI數(shù)據(jù)；

第三類是直接在端側(cè)采集數(shù)據(jù)，同時在端側(cè)處理，挑戰(zhàn)相對較大。

這種發(fā)展趨勢要求視覺處理對圖像性能要求越來越高，對圖像處理芯片的性能要求也越來越高。

飛凌微今年推出的M1系列三款SiC產(chǎn)品，均是SiC業(yè)內(nèi)最小的封裝尺寸（BGA 7mm*7mm封裝）。

飛凌微M1系列芯片

M1是一款高性能ISP芯片，能夠接收800萬像素的圖像數(shù)據(jù)或同時接收兩張300萬像素的圖像數(shù)據(jù)；

M1 Pro基于高性能ISP加入了輕量級CPU、NPU算力，可處理人臉識別、姿態(tài)識別等輕量級AI應用；

M1 Max算力是M1 Pro的兩倍，能夠在端側(cè)處理更多的數(shù)據(jù)。

M1系列芯片在車載ADAS、影像類產(chǎn)品和后視鏡等方面都有SiC技術(shù)應用落地。

安謀科技：“芯”機遇 NPU加速終端算力升級

安謀科技產(chǎn)品總監(jiān)鮑敏祺主要分享了端側(cè)AI應用的新機遇，尤其是新的AIGC大模型帶來算力的提升，在圖像識別、信息總結(jié)、智能提示等方面展現(xiàn)出強大的SiC技術(shù)應用功能，提升了使用SiC產(chǎn)品效率和用戶體驗，使得端側(cè)AI應用得到更多的關注和認可。

安謀科技產(chǎn)品總監(jiān) 鮑敏祺

但目前這種新興SiC技術(shù)應用仍面臨不小的挑戰(zhàn)：

一是算力限制：由于memory帶寬的限制，端側(cè)模型的大小通常在1-3B之間，高帶寬場景下可達7B。

二是成本與功耗：存儲介質(zhì)、計算資源的成本和功耗是端側(cè)AI面臨的主要挑戰(zhàn)；

三是軟件成熟度：需要不斷迭代優(yōu)化，以抓住最重要的目標客戶。

安謀科技周易NPU針對智能汽車、手機PC、AIOT等場景分別采用了不一樣的SiC技術(shù)應對策略。

智能汽車策略：安謀科技針對智能汽車領域提供了全面的SiC技術(shù)解決方案應對智艙一體化趨勢，涵蓋了GPU渲染、前級攝像頭處理、以及安全性相關的SPU和VPU需求。

AI加速卡策略：設計注重安全性，支持高效的圖像和視頻輸入處理，以及JPEG解碼能力。根據(jù)SiC技術(shù)應用場景的不同（如NVME存儲、車載、手機等），加速卡的功耗和尺寸受到嚴格控制，保證足夠的算力輸出和整體SiC技術(shù)方案的多樣性，支持未來多模態(tài)模型的SiC技術(shù)需求。

AIOT場景策略：由于面積和功耗的限制，算力需求相對較低，但對安全性的要求更高。安謀科技的SiC技術(shù)解決方案側(cè)重于提供低功耗、高安全性的AI加速能力，適用于聲音和圖像檢測等輕量級任務

周易NPU能夠根據(jù)需求裁剪IP，支持從20 TOPS到320 TOPS的算力范圍，以適應不同的SiC技術(shù)應用場景。

鮑敏祺還提到，針對下一代周易NPU，安謀科技已布局Wenxin、Llama、GPT等模型，在端側(cè)可覆蓋Pad、PC、Mobile，可以從實際場景匹配相應的算力和模型需求，匹配最合適的SiC產(chǎn)品形態(tài)。

清純半導體：車載SiC技術(shù)最新發(fā)展趨勢

清純半導體(寧波)有限公司市場經(jīng)理詹旭標在演講中回顧了新能源汽車行業(yè)的快速增長，分析了目前SiC在主驅(qū)應用中的市場接受度。

清純半導體(寧波)有限公司市場經(jīng)理 詹旭標

SiC技術(shù)因其低導通電阻、低開關損耗等優(yōu)勢，整個電機控制系統(tǒng)有望能降低70%損耗，從而增加5%的行駛里程，已成為提升續(xù)航里程和解決補能焦慮的關鍵，詹旭標指出SiC產(chǎn)品上車已成為行業(yè)共識。

詹旭標還詳細分析了SiC產(chǎn)業(yè)及技術(shù)現(xiàn)狀，對比了國內(nèi)外主流SiC MOSFET技術(shù)的平面柵與溝槽柵結(jié)構(gòu)優(yōu)缺點，以及國際廠家的SiC技術(shù)迭代路線。

目前整個SiC產(chǎn)品市場仍然是以國外企業(yè)占主導地位。頭部5家外資企業(yè)市場份額合計高達91.9%，按Top 10算市場份額更高，國內(nèi)企業(yè)的SiC產(chǎn)品占比非常小。

不管外資還是內(nèi)資廠商，均在大力擴充產(chǎn)能，Wolfspeed規(guī)劃投入64億美元，英飛凌總投資達到50億歐元，國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)能規(guī)劃大概是1000億，但過于分散。

大面積的擴產(chǎn)，也導致SiC產(chǎn)業(yè)逐步開始內(nèi)卷。根據(jù)預測，2026年國內(nèi)襯底的規(guī)劃產(chǎn)能約460萬片，能滿足約3000萬輛新能源汽車的需求，產(chǎn)能將嚴重過剩，而目前SiC器件的價格已在快速下降的過程中。比如從2023年9月份到2024年4月份，SiC市場熱賣的1200V/40mΩ SiC MOS管，平均價格從約35元跌到23元左右，下降幅度約35%，僅為硅基IGBT價格的1.5-2倍，即將抵達觸發(fā)SiC市場變革的臨界點。

從SiC技術(shù)路線角度看，主要分為兩種技術(shù)流派。

第一種是平面柵結(jié)構(gòu)的SiC器件，以Wolfspeed、ST、Onsemi等廠商為代表，特點是工藝成熟，可靠性高，平面柵結(jié)構(gòu)的MOSFET目前也是新能源汽車、光伏、儲能等領域出貨量最大的；

第二種是溝槽柵結(jié)構(gòu)的SiC器件，ROHM、英飛凌、博世為代表，相比于平面柵結(jié)構(gòu)，其特點是比導通電阻（Rsp）更低。

從最近十年的SiC技術(shù)發(fā)展歷史看，每隔3-6年就會迭代一次，每次迭代導通電阻大概下降20%-25%，目前主流國際大廠的技術(shù)水平，如1200V SiC的Rsp約2.3~2.8mΩ，國內(nèi)廠商約2.8~3.3mΩ。

清純半導體基本上是以1年1代的節(jié)奏快速迭代，第一代SiC產(chǎn)品Rsp約3.3mΩ，2023年第二代SiC產(chǎn)品已到2.8mΩ左右，今年會發(fā)布第三代SiC產(chǎn)品，Rsp可以做到2.4mΩ，可完全對齊國際巨頭最先進的SiC技術(shù)水平，且針對主驅(qū)領域推出了24/25/27/30平方毫米等多個尺寸的SiC產(chǎn)品。

詹旭標最后總結(jié)到，目前SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常迅猛，SiC功率器件在光儲充的國產(chǎn)替代已經(jīng)大批量應用，部分企業(yè)已率先完成100%國產(chǎn)替代，車規(guī)級SiC MOSFET技術(shù)與產(chǎn)能已對標國際水平，主驅(qū)芯片國產(chǎn)替代已經(jīng)起步，但由于種種原因，乘用車主驅(qū)SiC MOSFET仍依賴進口。

國內(nèi)在SiC材料、器件領域已進入內(nèi)卷和洗牌快車道，激烈的競爭促使國內(nèi)SiC產(chǎn)品價格快速下降、質(zhì)量不斷提高、SiC產(chǎn)能持續(xù)擴大，相信未來2~3年后局面肯定會大幅改善，并最終主導全球供應鏈。

結(jié)語

本次年度論壇，一眾企業(yè)為我們展示了其最新的SiC產(chǎn)品和SiC技術(shù)，一起為半導體SiC產(chǎn)業(yè)貢獻了一場科技盛宴，同時也描繪了各類芯片產(chǎn)品在新能源汽車、AI大數(shù)據(jù)、光儲、消費電子等領域應用潛力，尤其是SiC產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展和進步令人印象深刻，也讓從業(yè)者倍感振奮。

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審核編輯 黃宇