一、IGBT的老化測試挑戰(zhàn) 1.1 老化現(xiàn)象及其影響 IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心器件,在長期使用中不可避免地會出現(xiàn)老化現(xiàn)象。其性能衰變主要體現(xiàn)在開關(guān)速度變慢、導(dǎo)通壓降增大、閾值電壓
發(fā)表于 07-01 18:01
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充電樁老化測試設(shè)備主要包括以下三類,涵蓋批量測試、便攜檢測及負(fù)載模擬等核心功能: 一、批量老化測試設(shè)備 ?多路并行
發(fā)表于 06-27 16:03
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在半導(dǎo)體領(lǐng)域,電源管理芯片老化測試是評估器件可靠性和篩選潛在缺陷的重要環(huán)節(jié),通過模擬極端工況加速芯片老化以暴露材料、工藝或設(shè)計中的薄弱點。隨
發(fā)表于 03-04 16:14
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選擇適合的交流回饋老化測試負(fù)載是一個涉及多個因素的決策過程,需要綜合考慮設(shè)備的特性、測試需求以及預(yù)算等因素。以下是一些建議:
明確測試需求:
發(fā)表于 01-14 09:31
,這種能夠?qū)⒅绷麟娹D(zhuǎn)換為交流電的裝置,廣泛應(yīng)用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)、風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)以及各類電子設(shè)備中。老化測試旨在模擬逆變器在實際使用中的長期運行狀態(tài),以評估其性能衰減和壽命。但是,如果在沒有負(fù)載的條件下進(jìn)行
發(fā)表于 01-06 18:10
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BROADCHIP廣芯電子IC芯片產(chǎn)品方案應(yīng)用
發(fā)表于 12-19 12:57
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在科研與工業(yè)生產(chǎn)中,了解材料在長時間自然環(huán)境下的老化性能至關(guān)重要。為了快速準(zhǔn)確地模擬這一過程,臭氧老化試驗箱應(yīng)運而生。這款設(shè)備以其獨特的功能和高效的測試能力,成為了材料科學(xué)研究與質(zhì)量控制領(lǐng)域不可或缺
發(fā)表于 11-21 09:53
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LED(發(fā)光二極管)因其高效能和長壽命,廣泛應(yīng)用于照明、顯示和信號等領(lǐng)域。然而,為了確保LED在實際應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性,進(jìn)行老化測試是不可或缺的一步。老化測試可以模擬LED在長期使
發(fā)表于 10-26 17:14
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1、TAS5805M有相關(guān)的老化測試報告嗎?
2、客戶做soundbar,功放選用TAS5805M,需要在什么條件下做老化測試,有什么建議嗎?
發(fā)表于 10-16 08:27
IC測試主要的目的是將合格的芯片與不合格的芯片區(qū)分開,保證產(chǎn)品的質(zhì)量與可靠性。隨著集成電路的飛速發(fā)展,其規(guī)模越來越大,對電路的質(zhì)量與可靠性要求進(jìn)一步提高,集成電路的
發(fā)表于 10-12 08:03
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涉及如何通過測試信號的生成與傳輸,對IC的性能、功能和可靠性進(jìn)行全面評估。 測試原理包括測試信號的生成與傳輸、測試響應(yīng)的采集與分析,
發(fā)表于 09-24 09:51
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交流充電樁智能老化測試架(饋能式)用于單相交流充電樁老化測試,確保產(chǎn)品出貨符合要求。適用于符合GB/T 18487.1-2015、IEC 62196-2-2016、SAE J1772-
發(fā)表于 08-19 14:52
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,貫穿設(shè)計、制造、封裝以及應(yīng)用的全過程,在保證芯片性能、提高產(chǎn)業(yè)鏈運轉(zhuǎn)效率方面具有重要作用。IC測試貫穿整個集成電路產(chǎn)業(yè)鏈資料來源:基業(yè)常青IC
發(fā)表于 08-06 08:28
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檢測的設(shè)備,能夠?qū)a(chǎn)品設(shè)備置于人工營造的惡劣環(huán)境中,從而測試產(chǎn)品的性能。 通過對多組測試數(shù)據(jù)的長時間分析比較,企業(yè)可以有效了解設(shè)備的使用壽命以及對不同環(huán)境的抵抗能力,從而有效完善產(chǎn)品設(shè)計,查缺補漏。因此
發(fā)表于 07-30 15:49
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隨著電子產(chǎn)品的復(fù)雜性和集成度不斷提高,企業(yè)對老化電流測試的需求也在增加。客戶擁有48路老化電流測試通道,需要進(jìn)行不間斷同步采集。在正常工作狀態(tài)下,電流大約為80毫安,而在靜態(tài)工作狀態(tài)下
發(fā)表于 07-17 11:46
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