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晶圓廠設備支出將連續(xù)四年顯著增長,中國貢獻將超越韓國

集成電路園地 ? 來源:未知 ? 作者:龔婷 ? 2018-03-14 17:03 ? 次閱讀
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根據SEMI世界晶圓廠預測報告( World Fab Forecast)的最新更新顯示,晶圓廠設備支出將在2019年增長5%,也也是連續(xù)第四年增長。按正常計劃,預計中國將成為2018年和2019年晶圓廠設備支出增長的主要驅動因素(見下圖)。自20世紀90年代中期以來,這個行業(yè)連續(xù)三年沒有增長。

SEMI預測三星將在2018年和2019年引領晶圓廠設備支出,但三星每年投資較2017年下降。相比之下,中國將在2018年大幅增加晶圓設備支出達57%,2019年達到60%,主要體現在跨國公司和國內公司的晶圓廠項目。中國支出的飆升預計將在2019年超過韓國成為首要支出地區(qū)。

在2017年創(chuàng)紀錄的投資后,2018年韓國晶圓廠設備支出將下降9%至180億美元,2019年將增加14%至160億美元。然而,這兩年將超過該地區(qū)2017年前的支出水平。 2018年第三大晶圓廠投資地區(qū)***晶圓廠設備支出將下降10%至約100億美元,但預計2019年反彈15%至110億美元以上。(有關其他地區(qū)消費趨勢的詳情可在SEMI最新的World Fab Forecast中找到。)

正如預期的那樣,隨著項目轉向周期內早期建造的設備工廠,中國的晶圓廠設備支出正在增加。 2017年在中國開始建設的26座工廠將于今年和明年開始裝機。見下圖。

非中國公司在中國的晶圓設備投資中占有最大份額。不過,中國企業(yè)預計2019年將增加晶圓廠,將其在中國的支出份額從2017年的33%增加到2019年的45%。

產品領域支出

3D NAND將帶動產品領域支出,在2018年和2019年各增長3%,分別達到160億美元和170億美元。 DRAM在2018年將強勁增長26%,達到140億美元,但預計2019年將下降14%至120億美元。代工廠將在2018年將設備支出增加2%至170億美元,2019年將增長26%到220億美元,主要用于支持7納米投資和新產能的增長。

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原文標題:晶圓廠設備支出將連續(xù)四年顯著增長,中國貢獻將超越韓國

文章出處:【微信號:cjssia,微信公眾號:集成電路園地】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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