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超800億美元!功率半導體強勢增長,理想、比亞迪自研SiC模塊引領(lǐng)行業(yè)變革

章鷹觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:章鷹 ? 2025-06-27 00:09 ? 次閱讀
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(電子發(fā)燒友網(wǎng)報道 文/章鷹)“華潤微公司在深圳的投資已經(jīng)超過200億元,潤鵬半導體12英寸集成電路生產(chǎn)線項目已經(jīng)在2024年12月順利實現(xiàn)投產(chǎn),也意味著我們正式加入深圳市半導體的大家庭。” 華潤微電子有限公司副總裁馬衛(wèi)清在2025中國(深圳)集成電路峰會表示。

2025年功率半導體市場有哪些機遇?全球功率半導體的頭部廠商和中國廠商在占有率上有哪些變化?汽車企業(yè)自研SIC器件有哪些進展?本文結(jié)合華潤微電子有限公司副總裁馬衛(wèi)清的觀點和比亞迪、理想等汽車企業(yè)的最新實踐進行分析。

2025年功率半導體銷售規(guī)模將達815億美元,中國企業(yè)在IGBT、MOS嶄露頭角

全球功率半導體市場集中度較高,前五家均為歐美日廠商,包括英飛凌、安森美意法半導體,2024年累計占比約42%。其中英飛凌占比18%,安森美占比9%,意法半導體占比7%,三菱電機和富士電機分別占比5%和4%。中國廠商士蘭微、比亞迪進入前十行列。

中國功率半導體上市公司全球市占率在細分領(lǐng)域已經(jīng)嶄露頭角,2023年國內(nèi)功率公司晶閘管/二極管/小信號等累計占全球5.3%,MOS占8.5%,IGBT占19%,整體國產(chǎn)替代仍然有較大空間。在全球智能傳感器方面,全球領(lǐng)導的品牌依然是博世、霍尼韋爾、西門子等,國內(nèi)廠商整體處于追隨者地位。

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華潤微副總裁馬衛(wèi)清表示,盡管功率半導體行業(yè)面臨著諸多挑戰(zhàn),包括面臨突破國際巨頭的市場壟斷、應(yīng)對供應(yīng)鏈的不穩(wěn)定以及跨越終端市場的高準入門檻等,但隨著AI、新能源以及電動汽車等新興產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,功率半導體產(chǎn)業(yè)正迎來新一輪的創(chuàng)新發(fā)展機遇,有望實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)升級與突破。

比如在新能源體系的變革下,功率半導體市場規(guī)模將顯著受惠于新能源產(chǎn)業(yè)光伏、儲能、風電、汽車電動化/智能化、AI等應(yīng)用蓬勃發(fā)展,2024年功率半導體全球市場規(guī)模預(yù)計達到757億美元,2025年有望達到815億美元,中國是全球最大的功率半導體消費國,2024年需求預(yù)計達到283億美元,占全球需求超37%,2025年市場規(guī)模有望達到381億美元。

他還提到,AI技術(shù)飛速發(fā)展,賦能傳統(tǒng)行業(yè)不斷升級,人機互聯(lián)方式從桌面互聯(lián)網(wǎng)經(jīng)移動互聯(lián)網(wǎng)邁向萬物互聯(lián)。在當下AI時代,多模態(tài)AI成為新應(yīng)用的優(yōu)質(zhì)載體,并且推動功率半導體、傳感器產(chǎn)品和高端集成電路,配合AI驅(qū)動帶來的芯片產(chǎn)品性能提升,如汽車智能化DC-DC、IGBT、SIC、MCU、CPU、GPU、FPGA等以及人形機器人CIS、IMU等的需求爆發(fā)。

800V車型快速上市,帶來SiC器件需求快速增長!汽車企業(yè)自研SiC器件加速

華潤微副總裁馬衛(wèi)清指出,新能源汽車供應(yīng)鏈變短,主機廠更愿意與芯片廠商直接對話,甚至進行自研芯片,以提高效率和響應(yīng)速度。電子發(fā)燒友調(diào)研顯示,比亞迪汽車旗下的比亞迪半導體,比亞迪半導體自研的1200V/1040A SiC模塊在不改變原有模塊封裝尺寸的基礎(chǔ)上將模塊功率大幅度提升了近30%。

2025年3月17日,比亞迪e平臺技術(shù)發(fā)布會上,比亞迪董事長兼總裁王傳福發(fā)布了“兆瓦閃充”技術(shù),這一創(chuàng)新技術(shù)可實現(xiàn)最高充電電壓1000V,最大充電電流1000A,最高充電倍率10C,最大充電功率1MW,最高峰值充電速度可實現(xiàn)1秒2公里,5分鐘充電400公里。

比亞迪集團執(zhí)行副總裁廉玉波宣布,比亞迪正式發(fā)布1500V車規(guī)級SiC功率芯片,這也是行業(yè)首次量產(chǎn)應(yīng)用的、最高電壓等級的車規(guī)級SiC功率芯片。首搭車型覆蓋漢L EV、唐L EV、仰望U7、騰勢N9。

此外,長安汽車的車規(guī)級SiC芯片流片成功。3月4日,長安汽車與重慶大學聯(lián)合研發(fā)的SiC功率芯片首輪流片成功下線。該項目在2023年4月啟動,此次流片下線的SiC功率芯片在耐壓和閾值電壓等關(guān)鍵參數(shù)上均表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能。器件耐壓性能突出,擊穿電壓最高可達1700V以上;閾值電壓一致性表現(xiàn)優(yōu)異,通過率達到98%,實測值分布集中,具有較強的抗干擾能力,在大批量使用時更易于配對,從而節(jié)約成本。

6月13日,理想汽車首次公開發(fā)布了新一代電驅(qū)動核心技術(shù)——自研高壓碳化硅功率模塊LPM(Li Power Module)。“這款產(chǎn)品歷時3年半完成了從設(shè)計到量產(chǎn)的全過程,即將在下個月搭載于理想汽車新一代純電車型理想i8中首發(fā)上市,并且未來會陸續(xù)搭載在所有理想純電車型上?!崩硐肫噭恿︱?qū)動部門電子電力高級總監(jiān)袁寶成表示。

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這款產(chǎn)品給汽車帶來兩大優(yōu)勢:一、理想i8采用SiC功率模塊,相對IGBT模塊增加6%續(xù)航,約40公里。在此基礎(chǔ)上,通過關(guān)鍵技術(shù)組合,理想汽車自研SiC功率模塊可以把續(xù)航再提升1%,以理想i8為例,續(xù)航就又增加了大概7公里。

二、模塊體積縮小。理想汽車在自研SiC模塊上,做了一個巨大改動:徹底拋棄了外露的傳統(tǒng)功率端子和螺栓連接方式,轉(zhuǎn)而采用了更精巧的內(nèi)部開窗設(shè)計——直接在模塊本體上直接開出窗口,讓大電容和銅排可以直接“對號入座”。理想SiC模塊與市場常見的半橋模塊相比“占地面積”直接減半,模塊Y方向尺寸減少了40mm。

據(jù)悉,目前理想汽車已在功率半導體領(lǐng)域持續(xù)投入多年,具備了從功率半導體到整車、從設(shè)計到制造的全鏈條能力。未來,這家汽車公司也將在SiC功率模塊等純電核心技術(shù)上持續(xù)耕耘。

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