IGBT模塊上橋臂的驅(qū)動

上橋臂和下橋臂：

IGBT以發(fā)射極電壓為基準(zhǔn)電位驅(qū)動。開關(guān)動作時(shí)，上橋臂IGBT的發(fā)射極電位VE在0伏和母線電壓V+之間變化。在AC200V電路中，要開通上橋臂IGBT時(shí)，需要對門極施加300V加15V，合計(jì)315V的母線電壓。因此，需要不受開關(guān)噪聲干擾影響的上橋臂驅(qū)動電路。

上橋臂驅(qū)動可以使用了光耦合器和高壓驅(qū)動集成電路。

使用光耦合器的上橋臂驅(qū)動：在大容量電路中，使用光耦合器進(jìn)行絕緣，此外還添加離散緩沖器的輸出端。在中容量以下的電路中，使用將上述功能集成為一體的混合集成電路。圖示為后者的例子。

● 使用去除高共模電壓的類型

● 為了盡量縮短空載時(shí)間以減少損耗，使用傳遞延遲時(shí)間tPLH和tPHL小的類型。tPLH和tPHL是相對于輸入信號，輸出從L變?yōu)镠、或從H變?yōu)長的延遲時(shí)間差。

使用驅(qū)動集成電路的上橋臂的驅(qū)動：

驅(qū)動集成電路中有：上橋臂用，半橋路用，上、下橋臂用，3相橋路用等產(chǎn)品。大多數(shù)是600V耐壓產(chǎn)品，也有1200V耐壓產(chǎn)品。

● 自舉二極管應(yīng)該使用高速類型，耐壓應(yīng)該與IGBT相同。

● 自舉電容器應(yīng)該使用高頻特性良好的類型，或如薄膜電容器和陶瓷電容器進(jìn)行并聯(lián)連接。

● 盡量降低電源（Vcc）的電阻抗。