電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）7月7日，中國證監(jiān)會官網(wǎng)顯示，國產(chǎn)DRAM存儲器企業(yè)長鑫科技集團(tuán)股份有限公司（以下簡稱“長鑫存儲”）在安徽證監(jiān)局進(jìn)行輔導(dǎo)備案登記，中金、中信建投擔(dān)任輔導(dǎo)機(jī)構(gòu)。這一紙公告，讓存儲獨(dú)角獸長鑫科技再次站到聚光燈下。



長鑫存儲成立于2016年，是一家一體化存儲器制造公司，專注于動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片(DRAM)的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司目前已推出多款DRAM商用產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。


預(yù)計(jì)2025年拿下全球8%市場份額，滿產(chǎn)后達(dá)月產(chǎn)36萬片晶圓

官網(wǎng)資料顯示，2016年長鑫存儲(合肥)DRAM基地一期項(xiàng)目誕生；2017年到2018年是公司的開工建設(shè)投入期；2017年3月長鑫存儲(合肥)基地一期項(xiàng)目開工建設(shè)；2018年1月合肥基地一期廠房建設(shè)完成，開始設(shè)備搬入，同年7月，試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品。直到2019年11月，長鑫存儲獲得首筆訂單，產(chǎn)品銷售由此啟動。在三年時(shí)間里，長鑫存儲成功在國產(chǎn)DRAM領(lǐng)域打開突破口。

在2019年世界制造業(yè)大會上，合肥長鑫集成電路制造基地項(xiàng)目正式在合肥簽約，總投資超過2200億元。其中長鑫12吋存儲器晶圓制造基地項(xiàng)目總投資約為1500億元，成為彼時(shí)安徽省單體投資最大的工業(yè)項(xiàng)目，同時(shí)也是國內(nèi)首個(gè)以19nm工藝為切入點(diǎn)的項(xiàng)目。長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明提到，該項(xiàng)目三期滿產(chǎn)后，產(chǎn)能達(dá)到每月36萬片。

在2020年至2022年期間，長鑫存儲陸續(xù)啟動多個(gè)新項(xiàng)目以擴(kuò)大產(chǎn)能。2020年6月、2021年12月，長鑫存儲分別啟動長鑫(北京)DRAM項(xiàng)目一期、二期，其中一期試產(chǎn)線于2022年1月通線。

隨著項(xiàng)目建設(shè)的推進(jìn)，長鑫存儲的生產(chǎn)能力持續(xù)提升。據(jù)Omdia預(yù)測，其2025年的DRAM芯片產(chǎn)量預(yù)計(jì)將從2024年的162萬塊增長至273萬塊，同比增長高達(dá)68%；月均DRAM晶圓產(chǎn)量已由2024年初的10萬片（主要為DDR4）提升至20萬片與此同時(shí)，DDR5產(chǎn)品的產(chǎn)能也在穩(wěn)步爬坡。

截至目前，長鑫存儲已經(jīng)推出了LPDDR5 內(nèi)存芯片、DDR4 內(nèi)存芯片、LPDDR4X 內(nèi)存芯片、DDR4 模組等產(chǎn)品。其中LPDDR5系列產(chǎn)品是公司在2023年11月推出的產(chǎn)品，包括12Gb的LPDDR5顆粒，12GB LPDDR5芯片及6GB LPDDR5芯片，面向中高端移動設(shè)備市場。12GB LPDDR5芯片已在小米、傳音等手機(jī)品牌的機(jī)型上完成驗(yàn)證。



資料顯示，與上一代19nm工藝相比，18.5nm工藝在性能和能效方面均有顯著提升：芯片容量可增加30%，功耗降低20%，性能提升約10%，同時(shí)成本還能下降15%。憑借這一先進(jìn)工藝，長鑫存儲形成了顯著的技術(shù)優(yōu)勢。例如，其 LPDDR5系列產(chǎn)品的速率可以達(dá) 6400Mbps，功耗能夠降低 30%，打開對低功耗有需求的移動市場等應(yīng)用領(lǐng)域。未來，其產(chǎn)品將在人工智能、大數(shù)據(jù)等高性能計(jì)算領(lǐng)域展現(xiàn)出更廣闊的應(yīng)用前景與競爭力。

業(yè)內(nèi)對高性能存儲的產(chǎn)品的高度關(guān)注還在于：2022年10 月，美國商務(wù)部發(fā)布新的對華半導(dǎo)體限制措施，其中針對用于128 層及以上 3D NAND、18nm 及以下 DRAM 制造的相關(guān)設(shè)備進(jìn)行限制，這一政策導(dǎo)致長鑫存儲在擴(kuò)大產(chǎn)能方面遭遇了一定的挑戰(zhàn)。未來，長鑫存儲能否實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。

根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Counterpoint Research的數(shù)據(jù)顯示，2025年第一季度，SK海力士、三星和美光仍占據(jù)全球DRAM收入的前三名位置，分別占有36%、34%和25%的營收份額，而長鑫存儲的市場份額僅為6%。

但長鑫存儲在全球DRAM市場的份額正在迅速增長，該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)其出貨量將在2025年同比增長50%，到2025年第四季度，出貨份額或?qū)⑦_(dá)到8%，有望打破“三足鼎立”格局。


注冊資本601.9 億元，估值近1400億元

此次長鑫存儲的上市輔導(dǎo)備案報(bào)告中指出，長鑫科技注冊資本達(dá) 601.9 億元，無控股股東，第一大股東合肥清輝集電企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），直接持有公司21.67%股份。

長鑫存儲首席執(zhí)行官為曹堪宇博士，董事長為朱一明，董事兼總經(jīng)理為趙綸。其中曹堪宇博士于2017年加入長鑫存儲，在加入長鑫存儲前，曹堪宇博士曾擔(dān)任兆易創(chuàng)新戰(zhàn)略市場副總裁。朱一明現(xiàn)任兆易創(chuàng)新董事長。

此前，兆易創(chuàng)新曾宣布公司的DRAM產(chǎn)品將由長鑫獨(dú)家代工。根據(jù)兆易創(chuàng)新的2024年財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)，2024年兆易創(chuàng)新向長鑫存儲及其子公司采購金額為10.18億元。

天眼查數(shù)據(jù)顯示，從2018年至今，長鑫存儲完成了7次融資，獲得包括合肥產(chǎn)投集團(tuán)、安徽省投、大基金二期、兆易創(chuàng)新、TCL創(chuàng)投、小米、美的、阿里、騰訊等知名投資機(jī)構(gòu)入股。

其中，在2024年3月，長鑫存儲完成高達(dá)108億元的戰(zhàn)略融資，成為彼時(shí)最大一筆融資，投前估值約1399.82億元。此次投資中，兆易創(chuàng)新投資了15億元，投資完成后持有長鑫科技約1.88%的股權(quán)。

除了這筆高達(dá)百億元的融資，從長鑫存儲其他的融資情況來看，可以說其是資本的寵兒：2022年，長鑫存儲完成了89.3億元的C+輪融資；在2021年還能完成兩輪融資，分別是9月的5億元C輪融資、7月的數(shù)十億元B輪融資。再往前看，2020年，長鑫存儲完成了高達(dá)156.5億元的A輪融資。

另外，值得關(guān)注的數(shù)據(jù)是，長鑫存儲的估值翻倍增長，天眼查的數(shù)據(jù)顯示，在進(jìn)行2021年的C輪融資時(shí)，長鑫存儲的估值為396.83億元。在進(jìn)行2022年的C+融資，長鑫科技的投后估值躍升至1077.89億元。在2024年年初的戰(zhàn)略融資完成后，估值逼近1400億元，與2022年年初相比增長約30%。由此可以看出市場對其期望值較高。

長鑫存儲融資情況（圖源天眼查）

高性能存儲實(shí)現(xiàn)技術(shù)突圍

當(dāng)前，AI算力爆發(fā)推動高性能存儲的需求增長，從LPDDR5到HBM，長鑫存儲作為國內(nèi)存儲企業(yè)代表，不斷實(shí)現(xiàn)技術(shù)突圍。

Counterpoint的數(shù)據(jù)指出，長鑫存儲LPDDR4的良率約為80%，DDR5的良率還未超過50%。但從技術(shù)進(jìn)程來看，長鑫存儲正在不斷縮小與國際競爭對手的差距。該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，在2025年，每片晶圓生產(chǎn)的比特?cái)?shù)量與領(lǐng)先企業(yè)的差別將有所縮小，由2024年比競爭對手少42%，收窄至32%。這意味著，長鑫存儲制造效率和技術(shù)水平的持續(xù)提升。

長鑫存儲的IPO，標(biāo)志著其向資本市場邁出關(guān)鍵一步，或?qū)閲a(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)注入新動能，也是中國DRAM產(chǎn)業(yè)的重要里程碑。作為國內(nèi)DRAM領(lǐng)域龍頭，長鑫存儲上市后有望加速產(chǎn)能擴(kuò)張與技術(shù)突破，促進(jìn)國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游的合作與發(fā)展，重塑全球競爭格局。