N溝道增強(qiáng)型MOS管的四個(gè)區(qū)域

1）可變電阻區(qū)（也稱非飽和區(qū)）

滿足Ucs》Ucs（th）（開(kāi)啟電壓），uDs《UGs-Ucs（th），為圖中預(yù)夾斷軌跡左邊的區(qū)域其溝道開(kāi)啟。在該區(qū)域UDs值較小，溝道電阻基本上僅受UGs控制。當(dāng)uGs一定時(shí)，ip與uDs成線性關(guān)系，該區(qū)域近似為一組直線。這時(shí)場(chǎng)效管D、S間相當(dāng)于一個(gè)受電壓UGS控制的可變電阻。

2）恒流區(qū)（也稱飽和區(qū)、放大區(qū)、有源區(qū)）

滿足Ucs≥Ucs（h）且Ubs≥UcsUssth），為圖中預(yù)夾斷軌跡右邊、但尚未擊穿的區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)，當(dāng)uGs一定時(shí)，ib幾乎不隨UDs而變化，呈恒流特性。i僅受UGs控制，這時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管D、S間相當(dāng)于一個(gè)受電壓uGs控制的電流源。場(chǎng)效應(yīng)管用于放大電路時(shí)，一般就工作在該區(qū)域，所以也稱為放大區(qū)。

3）夾斷區(qū)（也稱截止區(qū)）

夾斷區(qū)（也稱截止區(qū)）滿足ucs《Ues（th）為圖中靠近橫軸的區(qū)域，其溝道被全部夾斷，稱為全夾斷，io=0，管子不工作。

4）擊穿區(qū)位

擊穿區(qū)位于圖中右邊的區(qū)域。隨著UDs的不斷增大，PN結(jié)因承受太大的反向電壓而擊穿，ip急劇增加。工作時(shí)應(yīng)避免管子工作在擊穿區(qū)。

轉(zhuǎn)移特性曲線可以從輸出特性曲線。上用作圖的方法求得。例如在圖3（ a）中作Ubs=6V的垂直線，將其與各條曲線的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)的i、Us值在ib- Uss 坐標(biāo)中連成曲線，即得到轉(zhuǎn)移性曲線，如圖3（b）所示。

mos場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運(yùn)用時(shí)只需關(guān)注以下主要參數(shù)：飽和漏源電流IDSS夾斷電壓Up，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開(kāi)啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、最大耗散功率PDSM和最大漏源電流IDSM。

（1）飽和漏源電流

飽和漏源電流IDSS是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流。

（2）夾斷電壓

夾斷電壓UP是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道管的UGS一ID曲線，可明白看出IDSS和UP的意義。如圖4-26所示為P溝道管的UGS-ID曲線。

（3）開(kāi)啟電壓

開(kāi)啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。如圖4-27所示為N溝道管的UGS-ID曲線，可明白看出UT的意義。如圖4-28所示為P溝道管的UGS-ID曲線。

（4）跨導(dǎo)

跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。9m是權(quán)衡場(chǎng)效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。

（5）漏源擊穿電壓

漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能接受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必需小于BUDS。

（6）最大耗散功率

最大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。運(yùn)用時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量。

（7）最大漏源電流

最大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許經(jīng)過(guò)的最大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM。

MOS管工作原理

MOS管的工作原理（以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管）它是利用VGS來(lái)控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí)，通過(guò)工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

mos場(chǎng)效應(yīng)管作用

一、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

二、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。

三、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。

四、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。

五、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。