反激式(Flyback)轉(zhuǎn)換器又稱單端反激式或“Buck-Boost”轉(zhuǎn)換器。因其輸出端在原邊繞組斷開電源時(shí)獲得能量故而得名。離線型反激式轉(zhuǎn)換器原理圖如圖。
一、反激式轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)有:
1. 電路簡單,能高效提供多路直流輸出,因此適合多組輸出要求。
2. 轉(zhuǎn)換效率高,損失小。
3. 變壓器匝數(shù)比值較小。
4. 輸入電壓在很大的范圍內(nèi)波動(dòng)時(shí),仍可有較穩(wěn)定的輸出,目前已可實(shí)現(xiàn)交流輸入在 85~265V間。無需切換而達(dá)到穩(wěn)定輸出的要求。
二、反激式轉(zhuǎn)換器的缺點(diǎn)有:
1. 輸出電壓中存在較大的紋波,負(fù)載調(diào)整精度不高,因此輸出功率受到限制,通常應(yīng)用于150W以下。
2. 轉(zhuǎn)換變壓器在電流連續(xù)(CCM)模式下工作時(shí),有較大的直流分量,易導(dǎo)致磁芯飽和,所以必須在磁路中加入氣隙,從而造成變壓器體積變大。
3. 變壓器有直流電流成份,且同時(shí)會(huì)工作于CCM / DCM兩種模式,故變壓器在設(shè)計(jì)時(shí)較困難,反復(fù)調(diào)整次數(shù)較順向式多,迭代過程較復(fù)雜。
第二節(jié)。 工作原理
在圖1所示隔離反馳式轉(zhuǎn)換器(The isolated flyback converter)中, 變壓器“ T ”有隔離與扼流之雙重作用。因此“ T ”又稱為Transformer- choke.電路的工作原理如下:
當(dāng)開關(guān)晶體管 Tr ton時(shí),變壓器初級Np有電流 Ip,并將能量儲(chǔ)存于其中(E = LpIp / 2)。由于Np與Ns極性相反,此時(shí)二極管D反向偏壓而截止,無能量傳送到負(fù)載。當(dāng)開關(guān)Tr off 時(shí),由楞次定律 : (e = -N△Φ/△T)可知,變壓器原邊繞組將產(chǎn)生一反向電勢,此時(shí)二極管D正向?qū)ǎ?fù)載有電流IL流通。反激式轉(zhuǎn)換器之穩(wěn)態(tài)波形如圖2.
由圖可知,導(dǎo)通時(shí)間 ton的大小將決定Ip、Vce的幅值:
Vce max = VIN / 1-Dmax
VIN: 輸入直流電壓 ; Dmax : 最大工作周期
Dmax = ton / T
由此可知,想要得到低的集電極電壓,必須保持低的Dmax,也就是Dmax<0.5,在實(shí)際應(yīng)用中通常取Dmax = 0.4,以限制Vcemax ≦ 2.2VIN.
開關(guān)管Tr on時(shí)的集電極工作電流Ie,也就是原邊峰值電流Ip為: Ic = Ip = IL / n. 因IL = Io,故當(dāng)Io一定時(shí),匝比 n的大小即決定了Ic的大小,上式是按功率守恒原則,原副邊安匝數(shù) 相等 NpIp = NsIs而導(dǎo)出。 Ip亦可用下列方法表示:
Ic = Ip = 2Po / (η*VIN*Dmax) η: 轉(zhuǎn)換器的效率
公式導(dǎo)出如下:
輸出功率 : Po = LIp2η / 2T
輸入電壓 : VIN = Ldi / dt設(shè) di = Ip,且 1 / dt = f / Dmax,則:
VIN = LIpf / Dmax 或 Lp = VIN*Dmax / Ipf
則Po又可表示為 :
Po = ηVINf DmaxIp2 / 2f Ip = 1/2ηVINDmaxIp
∴ Ip = 2Po / ηVINDmax
上列公式中 :
VIN : 最小直流輸入電壓 (V)
Dmax : 最大導(dǎo)通占空比
Lp : 變壓器初級電感 (mH)
Ip : 變壓器原邊峰值電流 (A)
f : 轉(zhuǎn)換頻率 (KHZ)
圖2 反激式轉(zhuǎn)換器波形圖
由上述理論可知,轉(zhuǎn)換器的占空比與變壓器的匝數(shù)比受限于開關(guān)晶體管耐壓與最大集電極電流,而此兩項(xiàng)是導(dǎo)致開關(guān)晶體成本上升的關(guān)鍵因素,因此設(shè)計(jì)時(shí)需綜合考量做取舍。
反激式變換器一般工作于兩種工作方式 :
1. 電感電流不連續(xù)模式DCM (Discontinuous Inductor Current Mode)或稱 “ 完全能量轉(zhuǎn)換 ”: ton時(shí)儲(chǔ)存在變壓器中的所有能量在反激周期 (toff)中都轉(zhuǎn)移到輸出端。
2. 電感電流連續(xù)模式CCM ( Continuous Inductor Current Mode) 或稱 “ 不完全能量轉(zhuǎn)換 ” : 儲(chǔ)存在變壓器中的一部分能量在toff末保留到下一個(gè)ton周期的開始。
DCM和CCM在小信號傳遞函數(shù)方面是極不相同的,其波形如圖3.實(shí)際上,當(dāng)變換器輸入電壓VIN 在一個(gè)較大范圍內(nèi)發(fā)生變化,或是負(fù)載電流 IL在較大范圍內(nèi)變化時(shí),必然跨越著兩種工作方式。因此反激式轉(zhuǎn)換器要求在DCM / CCM都能穩(wěn)定工作。但在設(shè)計(jì)上是比較困難的。通常我們可以以DCM / CCM臨界狀態(tài)作設(shè)計(jì)基準(zhǔn)。,并配以電流模式控制PWM.此法可有效解決DCM時(shí)之各種問題,但在 CCM時(shí)無消除電路固有的不穩(wěn)定問題??捎谜{(diào)節(jié)控制環(huán)增益編離低頻段和降低瞬態(tài)響應(yīng)速度來解決CCM時(shí)因傳遞函數(shù) “ 右半平面零點(diǎn) ”引起的不穩(wěn)定。
DCM和CCM在小信號傳遞函數(shù)方面是極不相同的,其波形如圖3.
圖3 DCM / CCM原副邊電流波形圖
實(shí)際上,當(dāng)變換器輸入電壓VIN在一個(gè)較大范圍內(nèi)發(fā)生變化,或是負(fù)載電流 IL在較大范圍內(nèi)變化時(shí),必然跨越著兩種工作方式。因此反激式轉(zhuǎn)換器要求在DCM / CCM都能穩(wěn)定工作。但在設(shè)計(jì)上是比較困難的。通常我們可以以DCM / CCM臨界狀態(tài)作設(shè)計(jì)基準(zhǔn)。,并配以電流模式控制PWM.此法可有效解決DCM時(shí)之各種問題,但在CCM時(shí)無消除電路固有的不穩(wěn)定問題。可用調(diào)節(jié)控制環(huán)增益編離低頻段和降低瞬態(tài)響應(yīng)速度來解決CCM時(shí)因傳遞函數(shù) “ 右半平面零點(diǎn) ”引起的不穩(wěn)定。
在穩(wěn)定狀態(tài)下,磁通增量ΔΦ在ton時(shí)的變化必須等于在“toff”時(shí)的變化,否則會(huì)造成磁芯飽和。
因此,
ΔΦ = VIN ton / Np = Vs*toff / Ns
即變壓器原邊繞組每匝的伏特/秒值必須等于副邊繞組每匝伏特/秒值。
比較圖3中DCM與CCM之電流波形可以知道:DCM狀態(tài)下在Tr ton期間,整個(gè)能量轉(zhuǎn)移波形中具有較高的原邊峰值電流,這是因?yàn)槌跫夒姼兄礚p相對較低之故,使Ip急劇升高所造成的負(fù)面效應(yīng)是增加了繞組損耗(winding lose)和輸入濾波電容器的漣波電流,從而要求開關(guān)晶體管必須具有高電流承載能力,方能安全工作。
在CCM狀態(tài)中,原邊峰值電流較低,但開關(guān)晶體在ton狀態(tài)時(shí)有較高的集電極電流值。因此導(dǎo)致開關(guān)晶體高功率的消耗。同時(shí)為達(dá)成CCM,就需要有較高的變壓器原邊電感值Lp,在變壓器磁芯中所儲(chǔ)存的殘余能量則要求變壓器的體積較DCM時(shí)要大,而其它系數(shù)是相等的。
綜上所述,DCM與CCM的變壓器在設(shè)計(jì)時(shí)是基本相同的,只是在原邊峰值電流的定義有些區(qū)別 ( CCM時(shí) Ip = Imax - Imin )。
第三節(jié) FLYBACK TANSFORMER DESIGN
一、FLYBACK變壓器設(shè)計(jì)之考量因素:
1. 儲(chǔ)能能力。 當(dāng)變壓器工作于CCM方式時(shí),由于出現(xiàn)了直流分量,需加AIR GAP,使磁化曲線向 H 軸傾斜,從而使變壓器能承受較大的電流,傳遞更多的能量。
Ve: 磁芯和氣隙的有效體積。
or P = 1/2Lp (Imax2 - Imin2)
式中Imax, Imin —— 為導(dǎo)通周期末,始端相應(yīng)的電流值。
由于反激式變壓器磁芯只工作在第一象限磁滯回線,磁芯在交、直流作用下的B.H效果與AIR GAP大小有密切關(guān)聯(lián),如圖4.在交流電流下氣隙對ΔBac無改變效果,但對ΔHac將大大增加,這是有利的一面,可有效地減小CORE的有效磁導(dǎo)率和減少原邊繞組的電感。
在直流電流下氣隙的加入可使CORE承受更加大的直流電流去產(chǎn)生HDC,而BDC卻維持不變,因此在大的直流偏置下可有效地防止磁芯飽和,這對能量的儲(chǔ)存與傳遞都是有利的。 當(dāng)反激變壓器工作于CCM時(shí),有相當(dāng)大的直流成份,這時(shí)就必須有氣隙。
外加的伏秒值,匝數(shù)和磁芯面積決定了B軸上ΔBac值; 直流的平均電流值,匝數(shù)和磁路長度決定了H軸上HDC值的位置。 ΔBac對應(yīng)了ΔHac值的范圍??梢钥闯?,氣隙大ΔHac就大。 如此,就必須有足夠的磁芯氣隙來防止飽和狀態(tài)并平穩(wěn)直流成分。
圖 4 有無氣隙時(shí)返馳變壓器磁芯第一象限磁滯回路
2. 傳輸功率 。 由于CORE材料特性,變壓器形狀(表面積對體積的比率),表面的熱幅射,允許溫升,工作環(huán)境等的不特定性,設(shè)計(jì)時(shí)不可把傳輸功率與變壓器大小簡單的作聯(lián)系,應(yīng)視特定要求作決策。因此用面積乘積法求得之AP值通常只作一種參考。 有經(jīng)驗(yàn)之設(shè)計(jì)者通??山Y(jié)合特定要求直接確定CORE之材質(zhì),形狀,規(guī)格等。
3. 原,副邊繞組每匝伏數(shù)應(yīng)保持相同。設(shè)計(jì)時(shí)往往會(huì)遇到副邊匝數(shù)需由計(jì)算所得分?jǐn)?shù)匝取整,而導(dǎo)致副邊每匝伏數(shù)低于原邊每匝伏數(shù)。 如此引起副邊的每匝伏秒值小于原邊,為使其達(dá)到平衡就必須減小 ton時(shí)間,用較長的時(shí)間來傳輸電能到輸出端。 即要求導(dǎo)通占空比D小于0.5. 使電路工作于DCM模式。但在此需注意: 若 Lp太大,電流上升斜率小,ton時(shí)間又短(<50%),很可能在“導(dǎo)通”結(jié)束 時(shí),電流上升值不大,出現(xiàn)電路沒有能力去傳遞所需功率的現(xiàn)象。 這一現(xiàn)象是因系統(tǒng)自我功率限制 之故??赏ㄟ^增加AIR GAP和減小電感Lp,使自我限制作用不會(huì)產(chǎn)生來解決此問題。
4. 電感值Lp 。 電感Lp在變壓器設(shè)計(jì)初期不作重點(diǎn)考量。 因?yàn)長p只影響開關(guān)電源的工作方式。 故此一參數(shù)由電路工作方式要求作調(diào)整。 Lp的最大值與變壓器損耗最小值是一致的。 如果設(shè)計(jì)所得Lp大,又要求以CCM方式工作,則剛巧合適。 而若需以DCM方式工作時(shí),則只能用增大AIR GAP,降低Lp來達(dá)到要求,這樣,一切均不會(huì)使變壓器偏離設(shè)計(jì)。
在實(shí)際設(shè)計(jì)中通過調(diào)整氣隙大小來選定能量的傳遞方式(DCM / CCM) 。 若工作于DCM方式,傳遞同樣的能量峰值電流是很高的。 工作中開關(guān)Tr,輸出二極體D以及電容C產(chǎn)生最大的損耗,變壓器自身產(chǎn)生最大的銅損(I2R)。 若工作于CCM方式,電感較大時(shí),電流上升斜率低雖然這種狀況下?lián)p耗最小,但這大的磁化直流成分和高的磁滯將使大多數(shù)鐵磁物質(zhì)產(chǎn)生磁飽和。 所以設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)使用一個(gè)折衷的方法,使峰值電流大小適中,峰值與直流有效值的比值比較適中。 只要調(diào)整一個(gè)合適的氣隙,就可得到這一傳遞方式,實(shí)現(xiàn)噪音小,效率合理之佳況。
5. 磁飽和瞬時(shí)效應(yīng)。 在瞬變負(fù)載狀況下,即當(dāng)輸入電壓為VINmax而負(fù)載電流為Iomin時(shí),若Io突然增加,則控制電路會(huì)立即加寬脈沖以提供補(bǔ)充功率。 此時(shí),會(huì)出現(xiàn)VINmax和Dmax并存,即使只是一個(gè)非常短的時(shí)間,變壓器也會(huì)出現(xiàn)飽和,引起電路失控。 為克服此一瞬態(tài)不良效應(yīng),可應(yīng)用下述方法:
變壓器按高輸入電壓(VINmax),寬脈沖(Dmax)進(jìn)行設(shè)計(jì)。 即設(shè)定低的ΔB工作模式,高的原邊繞組匝數(shù),但此方法之缺點(diǎn)是使變壓器的效率降低。
例 : 60watts ADAPTER POWER MAIN X‘FMR
INPUT : 90 ~ 264 Vac 47 ~ 63 HZ ;
OUTPUT : DC 19V 0 ~ 3.16A ; Vcc = 12 VDC 0.1A
η≧ 0.83 ; f s = 70KHZ ; Duty cylce over 50%
△t ≦40o (表面) @ 60W ; X’FMR限高 21mm.
CASE Surface Temperature ≦ 78℃ 。
Note : Constant Voltage & Current Design (CR6848,CR6850)
Step1. 選擇CORE材質(zhì),確定△B
本例為ADAPTER DESIGN,由于該類型機(jī)散熱效果差,故選擇CORE材質(zhì)應(yīng)考量高Bs,低損耗及高μi材質(zhì),結(jié)合成本考量,在此選用Ferrite Core, 以TDK 之 PC40 or PC44為優(yōu)選, 對比TDK DATA BOOK, 可知 PC44材質(zhì)單位密度
相關(guān)參數(shù)如下: μi = 2400 ± 25% Pvc = 300KW / m2 @100KHZ ,100℃
Bs = 390mT Br = 60mT @ 100℃ Tc = 215℃
為防止X‘FMR出現(xiàn)瞬態(tài)飽和效應(yīng), 此例以低△B設(shè)計(jì)。
選 △B = 60%Bm, 即△B = 0.6 * (390 - 60) = 198mT ≒0.2 T
Step2 確定Core Size和 Type.
1》 求core AP以確定 size
AP= AW*Ae=(Pt*104)/(2ΔB*fs*J*Ku)
= [(60/0.83+60)*104]/(2*0.2*70*103*400*0.2) = 0.59cm4
式中 Pt = Po /η +Po 傳遞功率;
J : 電流密度 A / cm2 (300~500) ; Ku: 繞組系數(shù) 0.2 ~ 0.5 。
2》 形狀及規(guī)格確定。
形狀由外部尺寸,可配合BOBBIN, EMI要求等決定,規(guī)格可參考AP值及形狀要求而決定, 結(jié)合上述原則, 查閱TDK之DATA BOOK,可知RM10, LP32/13, EPC30均可滿足上述要求,但RM10和EPC30可用繞線容積均小于LP32/13,在此選用LP32/13 PC44,其參數(shù)如下:
Ae = 70.3 mm2 Aw = 125.3mm2 AL = 2630±25% le = 64.0mm
AP = 0.88 cm4 Ve = 4498mm3 Pt = 164W ( forward )
Step3 估算臨界電流 IOB ( DCM / CCM BOUNDARY )
本例以IL達(dá)80% Iomax時(shí)為臨界點(diǎn)設(shè)計(jì)變壓器。
即 : IOB = 80%*Io(max) = 0.8*3.16 = 2.528 A
Step4 求匝數(shù)比 n
n = [VIN(min) / (Vo + Vf)] * [Dmax / (1-Dmax)] VIN(min) = 90*√2 - 20 = 107V
= [107 / (19 + 0.6)] *[0.5 / (1- 0.5)]
= 5.5 ≒ 6
匝比 n 可取 5 或 6,在此取 6 以降低鐵損,但銅損將有所增加。
CHECK Dmax:
Dmax = n (Vo +Vf) / [VINmin + n (Vo + Vf)]= 6*(19 + 0.6) /[107 + 6*(19 + 0.6)] = 0.52
Step5 求CCM / DCM臨
ΔISB = 2IOB / (1-Dmax) = 2*2.528 / (1-0.52) = 10.533
Step6 計(jì)算次級電感 Ls 及原邊電感 Lp
Ls = (Vo + Vf)(1-Dmax) * Ts / ΔISB = (19+0.6) * (1-0.52) * (1/70000) / 10=12.76uH
Lp = n2 Ls = 62 * 12.76 = 459.4 uH ≒ 460
此電感值為臨界電感,若需電路工作于CCM,則可增大此值,若需工作于DCM則可適當(dāng)調(diào)小此值。
Step7 求CCM時(shí)副邊峰值電流Δisp
Io(max) = (2ΔIs + ΔISB) * (1- Dmax) / 2 ΔIs = Io(max) / (1-Dmax) - (ΔISB / 2 )
ΔIsp = ΔISB +ΔIs = Io(max) / (1-Dmax) + (ΔISB/2) = 3.16 / (1-0.52) + 10.533 / 2=11.85A
Step8 求CCM時(shí)原邊峰值電流ΔIpp
ΔIpp = ΔIsp / n = 11.85 / 6 = 1.975 A
Step9 確定Np、Ns
1》 Np
Np = Lp * ΔIpp / (ΔB* Ae) = 460*1.975 / (0.2*70.3) = 64.6 Ts
因計(jì)算結(jié)果為分?jǐn)?shù)匝,考慮兼顧原、副邊繞組匝數(shù)取整,使變壓器一、二次繞組有相同的安匝值,故調(diào)整 Np = 60Ts OR Np = 66Ts
考量在設(shè)定匝數(shù)比n時(shí),已有銅損增加,為盡量平衡Pfe與Pcu,在此先選 Np = 60 Ts.
2》 Ns
Ns = Np / n = 60 / 6 = 10 Ts
3》 Nvcc
求每匝伏特?cái)?shù)Va Va = (Vo + Vf) / Ns = (19+0.6) / 10 = 1.96 V/Ts
∴ Nvcc = (Vcc + Vf) / Va =(12+1)/1.96=6.6
Step10 計(jì)算AIR GAP
lg = Np2*μo*Ae / Lp = 602*4*3.14*10-7*70.3 / 0.46 = 0.69 mm
Step11 計(jì)算線徑dw
1》 dwp
Awp = Iprms / J Iprms = Po / η / VIN(min) = 60/0.83/107 = 0.676A
Awp = 0.676 / 4 J取4A / mm2 or 5A / mm2
= 0.1 (取Φ0.35mm*2)
2》 dws
Aws = Io / J = 3.16 / 4 (Φ1.0 mm)
量可繞性及趨膚效應(yīng),采用多線并繞,單線不應(yīng)大于Φ0.4, Φ0.4之Aw= 0.126mm2, 則 0.79 (即Ns采用Φ0.4 * 6)
3》 dwvcc Awvcc = Iv / J = 0.1 /4
上述繞組線徑均以4A / mm2之計(jì)算,以降低銅損,若結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)線包過胖,可適當(dāng)調(diào)整J之取值。
4》 估算銅窗占有率。
0.4Aw ≧Np*rp*π(1/2dwp)2 + Ns*rs*π(1/2dws)2 + Nvcc*rv*π(1/2dwv)2
0.4Aw ≧60*2*3.14*(0.35/2)2+10*6*3.14+(0.4/2)2+7*3.14*(0.18/2)2
≧ 11.54 + 7.54 + 0.178 = 19.26
0.4 * 125.3 = 50.12
50.12 》 19.26 OK
Step12 估算損耗、溫升
1. 求出各繞組之線長。
2. 求出各繞組之RDC和Rac @100℃
3. 求各繞組之損耗功率
4. 加總各繞組之功率損耗(求出Total值)
如 : Np = 60Ts , LP32/13BOBBIN繞線平均匝長 4.33cm
則 INP = 60*4.33 = 259.8 cm Ns = 10Ts
則 INS = 10*4.33 = 43.3 cm
Nvcc = 7Ts
則 INvc = 7 * 4.33 = 30.31cm
查線阻表可知 : Φ0.35mm WIRE RDC = 0.00268Ω/cm @ 100℃
Φ0.40mm WIRE RDC = 0.00203 Ω/cm @ 100℃
Φ0.18mm WIRE RDC = 0.0106 Ω/cm @ 100℃
R@100℃ = 1.4*R@20℃
求副邊各電流值。 已知Io = 3.16A.
副邊平均峰值電流 : Ispa = Io / (1-Dmax ) = 3.16 / (1- 0.52) = 6.583A
副邊直流有效電流 : Isrms = √〔(1-Dmax)*I2spa〕 = √(1- 0.52)*6.5832 = 4.56A
副邊交流有效電流 : Isac = √(I2srms - Io2) = √(4.562-3.162) = 3.29A
求原邊各電流值 :
∵ Np*Ip = Ns*Is
原邊平均峰值電流 : Ippa = Ispa / n = 6.58 / 6 = 1.097A
原邊直流有效電流 : Iprms = Dmax * Ippa = 1.097 * 0.52 = 0.57A
原邊交流有效電流 : Ipac = √D*I2ppa = 1.097*√0.52 = 0.79A
求各繞組交、直流電阻。
原邊 : RPDC = ( lNp * 0.00268 ) / 2 = 0.348Ω
Rpac = 1.6RPDC = 0.557Ω
副邊 : RSDC = ( lNS*0.00203 ) /6 = 0.0146Ω
Rsac = 1.6RSDC = 0.0243Ω
Vcc繞組 : RDC =30.31*0.0106 = 0.321Ω
計(jì)算各繞組交直流損耗:
副邊直流損 : PSDC = Io2RSDC = 3.162 * 0.0146 = 0.146W
交流損 : Psac = I2sac*Rsac = 3.292*0.0234 = 0.253W
Total : Ps = 0.146 + 0.253 = 0.399 W
原邊直流損 : PPDC = Irms2RPDC = 0.572 * 0.348 = 0.113W
交流損 : Ppac = I2pac*Rpac = 0.792*0.557 = 0.348W
忽略Vcc繞組損耗(因其電流甚?。?Total Pp = 0.461W
總的線圈損耗 : Pcu = Pc + Pp = 0.399 + 0.461 = 0.86 W
2》 計(jì)算鐵損 PFe
查TDK DATA BOOK可知PC44材之△B = 0.2T 時(shí),Pv = 0.025W / cm2
LP32 / 13之Ve = 4.498cm3
PFe = Pv * Ve = 0.025 * 4.498 = 0.112W
1. Ptotal = Pcu + PFe = 0.6 + 0.112 = 0.972 W
2. 估算溫升 △t
依經(jīng)驗(yàn)公式 △t = 23.5PΣ/√Ap = 23.5 * 0.972 / √0.88 = 24.3 ℃
估算之溫升△t小于SPEC,設(shè)計(jì)OK.
Step13 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
查LP32 / 13 BOBBIN之繞線幅寬為 21.8mm.
考量安規(guī)距離之沿面距離不小于6.4mm.
為減小LK提高效率,采用三明治結(jié)構(gòu),其結(jié)構(gòu)如下 :
X’FMR結(jié)構(gòu) :
Np#13.2 / 3.22 -- AΦ0.35 * 2301L
SHI#23.2 / 3.2SHI- 42mils * 1213L
Ns#33.2 / 3.28.9 - 6.7Φ0.4 * 6103L
SHI#43.2 / 3.2SHI- 42mils * 1211L
Np#53.2 / 3.2A -- 1Φ0.35 * 2301L
Nvcc#63.2 / 3.23 -- 4Φ0.1872L
#7 連 結(jié) 兩 A 點(diǎn)2L
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