AD5160工作原理

　　AD5160是一款256位、數(shù)字控制可變電阻（VR）器件。上電期間，內(nèi)部上電預(yù)設(shè)將游標(biāo)置于中間電平，簡化了上電時的故障狀況恢復(fù)。

　　1、可變電阻器編程

　　可變電阻器操作

　　A端和B端間RDAC的標(biāo)稱電阻可以為5kΩ、10kΩ、50kΩ和100kΩ。在訂購指南部分列出的型號數(shù)字中，最后二到三位表示標(biāo)稱電阻值；例如，在型號AD5160BRJZ10中，10代表10kΩ；AD5160BRJZ50中，50代表50kΩ?？勺冸娮璧臉?biāo)稱電阻（RAB）有256個觸點，通過游標(biāo)端和B端觸點訪問。RDAC鎖存器中的8位數(shù)據(jù)經(jīng)過解碼，用于選擇256種可能的設(shè)置之一。

　　假設(shè)使用一個10kΩ器件，對于數(shù)據(jù)0x00，游標(biāo)的首個連接從B端開始。由于存在一個60Ω游標(biāo)接觸電阻，這種連接導(dǎo)致W端和B端之間至少有60Ω電阻。

　　第二個連接是第一個抽頭點，數(shù)據(jù)0x01對應(yīng)電阻為99Ω（RWB=RAB/256+RW=39Ω+60Ω）。

　　第三個連接是下一個抽頭點，數(shù)據(jù)0x02對應(yīng)電阻為138Ω（2×39Ω+60Ω），以此類推。隨著每個LSB數(shù)據(jù)值的增加，游標(biāo)沿電阻梯向上移動，直至到達(dá)最終抽頭點位置，此時電阻達(dá)9961Ω（RAB?1LSB+RW）。圖39給出了一個簡化的等效RDAC電路框圖，該圖中最后那個電阻串未被訪問；因此，滿量程時除了游標(biāo)電阻，比標(biāo)稱電阻還要小1LSB。

　　確定W端和B端間的數(shù)字編程輸出電阻的通用公式是

　　其中：

　　D為載入8位RDAC寄存器的二進(jìn)制代碼的十進(jìn)制等效值。

　　RAB是端到端電阻。

　　RW是內(nèi)部開關(guān)導(dǎo)通電阻所分配的游標(biāo)電阻。

　　總之，如果RAB=10kΩ且A端處于開路狀態(tài)，那么下列輸出電阻RWB為所示的RDAC鎖存器代碼而設(shè)置。

　　請注意：在零電平條件下，存在60Ω的有限游標(biāo)電阻。注意，此狀態(tài)下要限制端W和端B的電流流動，最大脈沖電流不能超過20mA。否則，內(nèi)部開關(guān)觸點會下降或可能毀壞。

　　與機(jī)械電位計相似，游標(biāo)W和A端間RDAC電阻也產(chǎn)生一個數(shù)字可控互補(bǔ)電阻（RWA）。這些端子使用過程中，B端可以斷開。RWA電阻值設(shè)置從最大電阻值開始，隨著鎖存器所加載的數(shù)據(jù)值增加而降低。此操作的通用公式是

　　如果RAB=10kΩ且B端處于開路狀態(tài)，則下列輸出電阻RWA為所示的RDAC鎖存器代碼而設(shè)置。

　　典型器件間匹配依進(jìn)程而定，變化幅度可高達(dá)±30％。由于電阻元件經(jīng)薄膜技術(shù)處理，RAB溫度系數(shù)為45ppm/°C，變化非常小。

　　2、電位計分壓器編程

　　電壓輸出操作

　　在游標(biāo)與B端和游標(biāo)與A端之間，數(shù)字電位計可輕松用作分壓器，與A端與B端間輸入電壓成正比。VDD到GND必須為正極，而A-B、W-A和W-B的電壓可以為任一極性。如果忽略游標(biāo)電阻作用，取近似效果，那么A端接至5V和B端接至地后，游標(biāo)與B端產(chǎn)生輸出電壓，從0V開始至5V以下1LSB。電壓每個LSB等于經(jīng)過256位電位分壓器分壓的A端與B端間的電壓。針對A端和B端間施加的任何有效輸入電壓，VW處相對于地的輸出電壓定義為

　　在分壓器模式下使用數(shù)字電位計，可提高整個溫度范圍內(nèi)的操作精度。與可變電阻模式不同，輸出電壓主要取決于內(nèi)部電阻之比（RWA與RWB），而不是絕對值。因此，溫度漂移降到15PPM/°C。

　　SPI兼容型三線式串行總線

　　AD5160內(nèi)置三線式SPI兼容型數(shù)字接口（SDI、CS和CLK）。8位串行字必須以MSB優(yōu)先方式加載。字格式如表6所示。正邊沿敏感CLK輸入需要干凈的躍遷以避免將錯誤數(shù)據(jù)輸入串行輸入寄存器。標(biāo)準(zhǔn)邏輯系列性能表現(xiàn)良好。若產(chǎn)品評估中需要用到機(jī)械開關(guān)，可采用觸發(fā)器或其他合適的手段去抖。當(dāng)CS為低電平時，數(shù)據(jù)在每個正時鐘沿讀入串行寄存器（見圖37）。

　　有效時序要求取決于規(guī)格表內(nèi)的數(shù)據(jù)建立時間和數(shù)據(jù)保持時間。當(dāng)CS線路回到邏輯高電平時，AD5160使用傳輸?shù)絻?nèi)部RDAC寄存器的8位串行輸入數(shù)據(jù)寄存器字。多余的MSB位被忽略。

　　4、ESD保護(hù)

　　如圖40和41所示，所有數(shù)字輸入均受到串聯(lián)輸入電阻和并聯(lián)齊納ESD結(jié)構(gòu)保護(hù)。這也適用于數(shù)字輸入引腳SDI、CLK和CS。

　　5、上電順序

　　因為ESD保護(hù)二極管限制了A端、B端和W端的順從電壓，所以給A端、B端和W端施加任何電壓之前必須給VDD/GND供電；否則，二極管發(fā)生正向偏置，以致VDD意外上電，可能會影響用戶電路的其他方面。理想的上電順序如下：GND，VDD，數(shù)字輸入，然后是VA/B/W。只要在VDD/GND之后上電，VA、VB和VW和數(shù)字輸入的上電順序就無關(guān)緊要。

　　6、布局和電源旁路

　　采用緊湊、最小引線長度的布局設(shè)計是很好的做法。這樣可盡量做到直接輸入，實現(xiàn)最小導(dǎo)線長度。接地路徑應(yīng)具有低電阻、低電感。

　　同樣，采用優(yōu)質(zhì)電容將電源旁路達(dá)到最佳穩(wěn)定性也是最佳做法。可采用0.01μF至0.1μF的盤式或片式陶瓷電容實現(xiàn)器件電源旁路。為了盡可能減少瞬態(tài)干擾，并濾除低頻紋波，電源處應(yīng)運用低ESR1μF至10μF鉭或電解電容（見圖42）。若要盡可能降低接地反彈，可在單點處遠(yuǎn)程連接數(shù)字地和模擬地。

　　AD5160引腳配置和功能描述

　　引腳配置圖：

　　引腳功能描述：

?

　　AD5160外形尺寸

　　數(shù)字電位器AD5160測試程序

　　/********* STC12C5A60S2平臺AD5160數(shù)字電位器程序 時鐘：外部12M晶振

　　電位器串聯(lián)外部電阻連接為可變電阻模式，若不串外部電阻直接接參考電壓源即工作為數(shù)字電位計模式

　　*NOTE：作為可變電阻模式與外部電阻串聯(lián)時存在一定程度容差，若所串電阻大于AD5160本身滿量程電阻（型號有5K\10K\50K\100K）10倍以上則此容差才可忽略 *****/

　　/*AD5160.H*/

　　#ifndef _AD5160_H_ #define _AD5160_H_

　　#include《STC12C5A60S2.h》 #include《intrins.h》

　　typedef unsigned char uchar; typedef unsigned int uint;

　　sbit CPCS = P3^2; //數(shù)字電位器AD5160的片選CS，低電平有效 sbit SDI = P3^4; //數(shù)字電位器AD5160的數(shù)據(jù)SDI sbit SCK = P3^5; //數(shù)字電位器AD5160的時鐘SCLK

　　void AD5160_init（） //AD5160初始化 { CPCS = 1;

　　SCK = 0

　　SDI = 1；

　　}

　　void set_AD5160（uchar dat） //設(shè)定從W抽頭到B端的抽頭數(shù)，以10K版本的為 { //例電阻為RwB = 60+39*rdac 其中W抽頭接觸電阻為60Ω

　　uchar i，rdac=0; CPCS = 1;

　　rdac = dat; //RDAC為寫入AD5160 內(nèi)部8位radc寄存器數(shù)據(jù) SCK = 0;

　　_nop_（）;_nop_（）;_nop_（）;_nop_（）;

　　SCK = 1; //SCK在CS拉低前觸發(fā)一個時鐘

　　_nop_（）;_nop_（）; SCK = 0; _nop_（）;

　　CPCS = 0; //拉低CS啟動數(shù)據(jù)寫入 for（i=0;i《8;i++） { SDI = （rdac&0x80）; rdac《《=1; //高位MSB在先 _nop_（）; SCK = 1; _nop_（）; SCK = 0; }

　　CPCS = 1;

　　_nop_（）; //片選拉高后SCK送一個結(jié)束時鐘，這點很重要 SCK = 1;

　　_nop_（）;_nop_（）; SCK = 0; _nop_（）;

　　}

　　#endif