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      3天內不再提示

      Taiwan Semiconductor

      HS1DL M2G

      DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

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      HS1DL M2G 器件參數

      Function

      • 平均整流電流
        1 A
      • 反向電壓
        200 V
      • 反向漏電流
        5 μA
      • 反向恢復時間
        50 ns

      Physical

      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 工作溫度
        150 °C
      • 制造商封裝
        DO-219AB

      HS1DL M2G 數據手冊

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