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      Vishay

      SI7923DN-T1-E3

      MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8

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      SI7923DN-T1-E3 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        -3 V
      • 配置
        Dual
      • 通道數(shù)量
        2
      • 連續(xù)漏極電流
        4.3 A
      • 類型
        2個P溝道
      • 漏源電阻
        47 mΩ
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        -30 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,6.4A
        47 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        47 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        3 V
      • 柵極電荷@10V
        21 nC
      • 晶體管類型
        2個P溝道(雙)
      • 接通延遲時間
        10 ns
      • 功率耗散
        1.3 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        38 ns
      • 元件數(shù)量
        2
      • 下降時間
        12 ns
      • 上升時間
        12 ns
      • FET功能
        邏輯電平門

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        PowerPAK1212-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      Dimension

      • 高度
        1.04 mm
      • 長度
        3.05 mm
      • 寬度
        3.05 mm

      SI7923DN-T1-E3 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      SI7923DN-T1-E3 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
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        來源
      • SI7923DN-T1-E3
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      SI7923DN-T1-E3 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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