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      STMicroelectronics

      STW20NM60

      MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3

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      STW20NM60 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        20 A
      • 額定電壓
        650 V
      • 閾值電壓
        4 V
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        20 A
      • 輸入偏置電容@25V
        1.5 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        290 mΩ
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源極擊穿電壓
        600 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,10A
        290 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        290 mΩ
      • 柵源電壓
        30 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        5 V
      • 柵極電荷@10V
        54 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        25 ns
      • 反向傳輸電容
        35 pF
      • 功率耗散
        192 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        42 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時(shí)間
        11 ns
      • 上升時(shí)間
        20 ns

      Physical

      • 重量
        10 mlb
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度
        -65 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        30
      • 制造商封裝
        TO-247-3

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        0.25 in
      • 長(zhǎng)度
        2 in
      • 寬度
        0.25 in

      STW20NM60 EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      STW20NM60 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • pYYBAGK8BBmAMFDXAAbUCkdsDIA940.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      STW20NM60 圖片

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        Huaqiu Chip

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