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      ON Semiconductor

      HUF76639S3ST

      MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK

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      HUF76639S3ST 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        50 A
      • 額定電壓
        100 V
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        51 A
      • 輸入偏置電容
        2.4 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        23 mΩ
      • 漏源電壓
        100 V
      • 漏源極擊穿電壓
        100 V
      • 漏源導通電阻@10V,51A
        26 mΩ
      • 漏源導通電阻
        26 mΩ
      • 柵源電壓
        16 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        3 V
      • 柵極電荷
        86 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        10 ns
      • 功率耗散
        180 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        151 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時間
        110 ns
      • 上升時間
        55 ns

      Physical

      • 配置
        Single
      • 抗輻射加固
        No
      • 工作溫度
        -55 °C, 175 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數(shù)量
        800
      • 制造商封裝
        TO-263

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes

      HUF76639S3ST EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      HUF76639S3ST 數(shù)據(jù)手冊

      HUF76639S3ST 圖片

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