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      Texas Instruments (TI)

      TPS2811D

      IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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      TPS2811D 器件參數(shù)

      Function

      • 驅(qū)動(dòng)配置
        低壓側(cè)
      • 驅(qū)動(dòng)器數(shù)量
        2
      • 輸出端數(shù)量
        2
      • 輸出電流
        2 A
      • 類型
        N通道, P通道 MOSFET
      • 電源電壓
        14 V, 4 V
      • 電壓(Min)
        4 V
      • 電壓(Max)
        14 V
      • 接通延遲時(shí)間
        50 ns
      • 功率耗散
        730 mW
      • 供電電流
        200 nA, 5 mA
      • 傳播延遲
        50 ns
      • 下降時(shí)間
        35 ns
      • 上升時(shí)間
        35 ns

      Physical

      • 重量
        0.002677 oz
      • 端子間距
        1.27 mm
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -40 °C, 125 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        75
      • 制造商封裝
        SOIC-8

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        1.58 mm
      • 長(zhǎng)度
        4.9 mm
      • 寬度
        3.91 mm

      TPS2811D EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      TPS2811D 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      TPS2811D 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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        Digikey