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Infineon

IRLML0030TRPBF

MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23

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IRLML0030TRPBF 器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    1.7 V
  • 閘/源截止電壓
    1.7 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    5.3 A
  • 輸入偏置電容
    382 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    40 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    30 V
  • 漏源導通電阻@10V,5.2A
    27 mΩ
  • 漏源導通電阻
    27 mΩ
  • 漏極/柵極電壓
    30 V
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@25uA
    2.3 V
  • 柵極電荷@4.5V
    2.6 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    5.2 ns
  • 恢復時間
    17 ns
  • 反向傳輸電容
    39 pF
  • 功率耗散
    1.3 W
  • 擊穿電壓
    30 V
  • 關閉延遲時間
    7.4 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    4.4 ns
  • 上升時間
    4.4 ns
  • FET類型
    N溝道

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    SOT-23

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1.02 mm
  • 長度
    3.04 mm
  • 寬度
    1.4 mm

IRLML0030TRPBF EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

IRLML0030TRPBF 數(shù)據(jù)手冊

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    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

IRLML0030TRPBF 圖片

  • Huaqiu Chip

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