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      ON Semiconductor

      FDW2506P

      Mosfet Array 20V 5.3A 600mW Surface Mount 8-TSSOP

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      FDW2506P 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        -5.3 A
      • 額定電壓
        -20 V
      • 閾值電壓
        800 mV
      • 連續(xù)漏極電流
        5.3 A
      • 輸入偏置電容@10V
        1.015 nF
      • 類型
        2個(gè)P溝道
      • 漏源電阻
        22 mΩ
      • 漏源電壓
        20 V
      • 漏源極擊穿電壓
        -20 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@5.3A,4.5V
        22 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        22 mΩ
      • 柵源電壓
        12 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        1.5 V
      • 柵極電荷@4.5V
        34 nC
      • 晶體管類型
        2個(gè)P溝道(雙)
      • 接通延遲時(shí)間
        13 ns
      • 功率耗散
        1 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        75 ns
      • 元件數(shù)量
        2
      • FET功能
        邏輯電平門

      Physical

      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TSSOP-8

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        1 mm
      • 長(zhǎng)度
        3 mm
      • 寬度
        4.4 mm

      FDW2506P EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      FDW2506P 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      FDW2506P 圖片

      • Farnell

        Farnell

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip