芯茂微一級代理--粵華信科技供應(yīng)：LP20R100FN  TO220F   內(nèi)置MOS同步整流控制器芯片
LP20R100FN 為高性能的開關(guān)電源 100V 同步整流系列產(chǎn)品，兼容多種開關(guān)電源控制系統(tǒng)。
LP20R100FN支持 DCM、QR 以及 CCM 工作模式。
LP20R100FN 采用專利的整流管開通判定技術(shù)，可以有效的避免因激磁振蕩引起的驅(qū)動芯片誤開通。LP20R100FN 具有極快的關(guān)斷速度，可以大幅度降低在 CCM 工作條件下因關(guān)斷延遲造成的效率損失。
LP20R100FN集成 VCC 供電技術(shù)。啟動當(dāng)系統(tǒng)上電后，通過內(nèi)置 MOS 的體二極管對輸出電容充電，輸出電壓上升。LP20R100FN 通過 D腳連接輸出電壓，當(dāng)輸出電壓上升時，經(jīng)過芯片內(nèi)部供電電路，給 VCC 充電，當(dāng) VCC 的電壓充到開啟閾值電壓時，芯片內(nèi)部控制電路開始工作，MOS 正常的導(dǎo)通和關(guān)斷。MOS 正常的導(dǎo)通時，電流不再從體二極管流過，而從 MOS 的溝道流過。芯片正常工作時，所需的工作電流仍然會通過 D腳，給 VCC 供電。同步整流管導(dǎo)通DCM 工作時，由于電感的激磁作用，當(dāng)初級芯片關(guān)斷時，會產(chǎn)生振蕩。為了防止誤檢測振蕩信號，導(dǎo)致同步整流管的異常開啟，LP20R100FN 采用專利的整流管開通技術(shù)。當(dāng)初級芯片關(guān)斷時，次級 LP20R100FN 的漏極 D與 GND 之間的電壓迅速下降PXX 通過檢測D和GND之間的下降電壓閾值和下降速率，能準確的判斷同步整流管的開啟。開通條件：當(dāng)滿足 TOFF>TOFFMIN & dVDS/dt> K &dt>30ns&VDS同步最小導(dǎo)通時間（TONMIN）當(dāng)同步開啟后，為了避免誤關(guān)斷同步整流。LP20R100FN 設(shè)置了最小導(dǎo)通時間TONMIN。同步導(dǎo)通階段同步導(dǎo)通時，退磁電流減小，VDS 電壓上升；當(dāng)VDS 電壓高于-60mV 時，會減小驅(qū)動電壓，使得MOS 管的導(dǎo)通阻抗增大，維持VDS 的導(dǎo)通電壓-60mV；有利于同步關(guān)斷時，由于驅(qū)動電壓低，加快關(guān)斷速度。但為了兼顧效率，VGS 最小電壓限定3V。同步整流管關(guān)斷為了避免同步整流管導(dǎo)通時，因激磁振蕩幅度較大，導(dǎo)致誤檢測關(guān)斷信號，使同步整流管異常的關(guān)斷；LP20R100FN 通過整流管關(guān)斷電壓閾值，能準確地判斷同步整流管的關(guān)斷。關(guān)斷條件：同步整流一旦開通，在比較器屏蔽時間 TONMIN內(nèi)不進行關(guān)斷動作。當(dāng)開通時間 Ton 超過 TONMIN時間后，即 Ton>TONMIN& Vds >VOFF，關(guān)斷同步。同步最小關(guān)斷時間（TOFFMIN）當(dāng)同步超過關(guān)斷閾值（-5mV）關(guān)斷后，為了避免誤開啟同步整流。LP20R100FN 設(shè)置了最小關(guān)斷時間 TOFFMIN。死區(qū)時間（TDEAD）LP20R100FN 有固定的死區(qū)時間，典型值600ns。保護功能LP20R100FN 集成了VCC 欠壓保護，過壓鉗位等保護功能。PCB 設(shè)計在設(shè)計 LP20R100FN PCB 時，需要遵循以下指南：主功率回路走線要短粗。
LP20R100FN 采用 TO220F-3L 封裝。
特點
? 開關(guān)電源同步整流應(yīng)用
? 兼容 DCM、QR 以及CCM工作模式
? 支持最高工作頻率200kHz? 內(nèi)置 100V 耐壓功率管
? 專利的整流管開通技術(shù)? 集成 VCC 供電
? 芯片供電欠壓保護
? 芯片過壓鉗位
? 外圍元器件少
應(yīng)用
? 充電器和適配器
? 反激控制器
? 其他開關(guān)電源控制系