Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGFCF20S-D 是一款射頻晶體管，頻率 DC 至 3.7 GHz，功率 41 dBm，功率 (W) 12.59 W，飽和功率 43 至 44 dBm，功率增益 (Gp) 18 至 19 dB。標(biāo)簽：表面貼裝。有關(guān) SGFCF20S-D 的更多詳細(xì)信息，請參見下文。
| 零件號 | SGFCF20S-D |
|---|---|
| 功能 | 高壓 - 塑料 GaN-HEMT |
| 特征 |
|
| 描述 | 住友電工的 GaN-HEMT 為工作電壓為 50V 的高功率 L 波段放大器提供高效率、易于匹配、更高的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。該器件的目標(biāo)應(yīng)用是基站收發(fā)器的微蜂窩的驅(qū)動(dòng)階段和最后階段。 |
| 單/雙 | 單身的 |
|---|---|
| 操作頻率 (GHz) | DC-3.7 |
| 測量頻率 (GHz) | 2.65 |
| 典型值。(dBm) *1 | 44 |
| 噘嘴 (平均) (dBm) *2 | 30.5 |
| Gp @Pout(Ave.) 典型值。(分貝) *2 | 19 |
| ηd @Pout(Ave.) 典型值。(%) *2 | 13.5 |
| VDS (V) | 50 |
| IDS (直流) (毫安) | 100 |
| Rth典型值。(°C/W) *3 | 7 |
| 筆記 | *1: 10%-duty RF 脈沖(直流電源常數(shù)) *2: Pout=(Ave.) , W-CDMA(3GPP3.4 12-00)BS-1 64ch 85% 削波調(diào)制(PAR=8.5dB@0.01 %) *3：抽樣測試：樣本大小 10 件。Criteria(accept / reject)=(0 / 1) 注：Tc (op)=+25°C |
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號
SGFCF20S-D
制造商
住友電工設(shè)備創(chuàng)新
描述
DC 至 3.7 GHz，增益 GaN on SiC HEMT
一般參數(shù)
晶體管類型
HEMT
技術(shù)
碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應(yīng)用行業(yè)
無線基礎(chǔ)設(shè)施
應(yīng)用
WCDMA、LTE、基站
頻率
直流至 3.7 GHz
力量
41分貝
功率(W)
12.59 瓦
飽和功率
43 至 44 dBm
功率增益 (Gp)
18 至 19 分貝
電源電壓
50 伏
電壓 - 漏源 (Vdss)
50 伏
電壓 - 柵源 (Vgs)
-15 伏
排水效率
11.5 至 13.5%
功耗 (Pdiss)
19.4 瓦
熱阻
7 到 8 度 C/W
包裝類型
表面貼裝
RoHS
是的
貯存溫度
-40 至 125 攝氏度
筆記
正向柵極電流：46 mA，反向柵極電流：-0.7 mA
SGN2729-600H-R
SGN3035-150H-R
SGN21-120H-R
SGN26C320I2D
SGN31E030MK
SGN21C050MK
SGN2729-250H-R
SGK5254-30A-R
EGN26C210I2D
SGK5254-120A-R
EGN26C105I2D
EGN16C105MK
EGN21C070MK
EGN35C030MK
EGN21C030MK
EGN21C020MK
EGN26C030MK
EGN26C020MK
EGN21C320IV
EGN21C210I2D
SGN19C210I2D
EGN21C105I2D
EGNC105MK
EGN21C160I2D
EGNC210MK
SGN21C105MK
SGN19C160I2D
SGFCF20S-D
SG36F30S-D
SGFCF20T-D
SGFCF40T-D
SG26F30S-D
SGFCF15S-D
SGFCF10S-D
SGK1314-50A
SGK1314-60A
SGK7785-100A
SGK1314-30A
SGK1314-25A
SGK1011-25A
SGK5867-100A/001
SGK6472-60A
SGK5867-30A
SGK7785-60A
