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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NTD50N03T4G-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析

型號: NTD50N03T4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**詳細參數(shù)說明:**
- 型號:NTD50N03T4G-VB
- 絲?。篤BE1307
- 品牌:VBsemi
- 封裝:TO252
- 類型:N-Channel溝道
- 額定電壓:30V
- 額定電流:60A
- 導通電阻:10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:1.6V

**應用簡介:**
這是一款N-Channel溝道的功率場效應晶體管(Power MOSFET),適用于TO252封裝。其特點包括30V的額定電壓,60A的額定電流,低導通電阻等,使其適用于中功率電子應用。

**應用領域:**
該器件常用于電源開關、電機驅動、電源逆變等領域的模塊。在這些模塊中,它可以用于功率調節(jié)、電流控制等功能,提供中功率的電能轉換和控制。

**作用:**
- 在電源開關模塊中,可用于中功率的開關電源的調節(jié)和控制。
- 在電機驅動模塊中,可用于中功率電機的驅動和控制。
- 在電源逆變模塊中,可用于中功率的直流到交流的電能轉換。

**使用注意事項:**
- 嚴格按照數(shù)據(jù)手冊提供的最大額定值操作,以防止器件損壞。
- 注意器件的靜電敏感性,采取適當?shù)姆雷o措施。
- 在設計中考慮散熱和溫度管理,確保器件在正常工作溫度范圍內(nèi)。
- 遵循適當?shù)暮附雍桶惭b標準,以確保可靠的電氣連接和機械強度。

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