目前，簡便易行的產(chǎn)生脈沖THz輻射的主要方法有兩種，即光電導(dǎo)激發(fā)機(jī)制和光整流效應(yīng)。前者是利用超快脈沖激光觸發(fā)直流偏置下的光電半導(dǎo)體，因光生載流子在偏置電場作用下加速運動而輻射THz電磁波。光電導(dǎo)THz電磁輻射發(fā)射系統(tǒng)的性能與光電導(dǎo)芯片、天線的幾何結(jié)構(gòu)和觸發(fā)激光脈沖寬度有關(guān)。其中，光電導(dǎo)芯片是產(chǎn)生THz電磁波的關(guān)鍵部件，性能良好的光電導(dǎo)芯片應(yīng)該具有載流子壽命短，遷移率高和能夠承受高電壓，大電流的能力。光整流效應(yīng)是一種非線性效應(yīng)，利用亞皮秒量級激光脈沖和非線性介質(zhì)相互作用產(chǎn)生的低頻電極化場也可以輻射出THz電磁波，用整流效應(yīng)輻射THz電磁波的強(qiáng)度和頻率分布決定于激光脈沖的特征和非線性介質(zhì)的性質(zhì)。由于光整流效應(yīng)產(chǎn)生的THz波的能量僅僅來源于入射激光脈沖的能量，而光電導(dǎo)激發(fā)機(jī)制輻射THz波的能量主要加載在光電導(dǎo)體上的偏置電場，所以用光電導(dǎo)激發(fā)機(jī)制輻射的THz電磁波能量通常比用光整流效應(yīng)產(chǎn)生的THz波能量強(qiáng)。結(jié)合用半絕緣GaAs材料研制橫向型超快光電導(dǎo)開關(guān)的研究經(jīng)驗，我們已經(jīng)研制了具有條形電極結(jié)構(gòu)的GaAs光電導(dǎo)偶極天線，在fs超快激光脈沖觸發(fā)下進(jìn)行了THz電磁波的發(fā)射和測試實驗，得到了頻譜寬度大于2THz、脈沖寬度約1ps的THz電磁波。