SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記(二)SiC特性以及對(duì)驅(qū)動(dòng)要求
2023-02-27 |
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資料介紹
SIC MOSFET的特性 1、導(dǎo)通電阻隨溫度變化率較小,高溫情況下導(dǎo)通阻抗很低,能在惡劣的環(huán)境下很好的工作。2、隨著門極電壓的升高,導(dǎo)通電阻越小,表現(xiàn)更接近于壓控電阻。3、開(kāi)通需要門極電荷較小,總體驅(qū)動(dòng)功率較低,其體二極管Vf較高,但反向恢復(fù)性很好,可以降低開(kāi)通損耗。4、具有更小的結(jié)電容,關(guān)斷速度較快,關(guān)斷損耗更小。5、開(kāi)關(guān)損耗小,可以進(jìn)行高頻開(kāi)關(guān)動(dòng)作,使得濾波器等無(wú)源器件小型化,提高功率密度
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