一種雙低噪聲放大器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)介紹了適用于平衡接收機(jī)前端應(yīng)用的2GHz頻段的LNA模塊。該模塊設(shè)計(jì)用于操作由5 V電源供電，帶有便于調(diào)節(jié)的控制電壓最佳噪聲系數(shù)的偏置條件該設(shè)計(jì)采用Avago Technologies專(zhuān)有的0.5μm GaAs制造增強(qiáng)模式偽晶高電子遷移率晶體管（e-PHET）工藝。此模塊適用于平衡放大器與外部3dB混合電路結(jié)合使用時(shí)的應(yīng)用，提供0.55–0.8 dB的極低噪聲系數(shù)（NF），與38–42的中等高OIP3（輸出三階截獲點(diǎn)）增益為28–32 dB時(shí)為dBm。它還能夠提供更多的P-1 dB在180mA電流消耗時(shí)大于20dBm。

　　接收機(jī)前端電路的設(shè)計(jì)者面臨越來(lái)越多的挑戰(zhàn)在沒(méi)有影響性能。例如，NF小于1此外，dB和30dB的增益是常見(jiàn)的要求至良好的線(xiàn)性。在無(wú)線(xiàn)基站中，接收放大器通常連接到非理想源（例如，具有長(zhǎng)電纜的天線(xiàn)）。為了緩解這種情況，這樣的放大器通常在采用混合動(dòng)力的平衡模式下運(yùn)行耦合器。在Avago Technologies，取得了重大進(jìn)展已通過(guò)專(zhuān)有技術(shù)同時(shí)實(shí)現(xiàn)低噪聲、高增益、良好的線(xiàn)性度和效率0.5μm GaAs電子HEMT工藝。在本文中，我們提出在設(shè)計(jì)一個(gè)滿(mǎn)足所有緊湊型5x6x1.1 mm3中的上述挑戰(zhàn)模塊，只需要外部3dB混合耦合器和一些標(biāo)準(zhǔn)的去耦合電容器。

　　圖1顯示了一個(gè)典型的平衡放大器設(shè)計(jì)。通常，平衡放大器要么完全由分立部件組成，要么部分集成有源器件（例如，雙封裝中的晶體管）。這樣的設(shè)計(jì)充滿(mǎn)了技術(shù)挑戰(zhàn)，例如獲得匹配的組件和控制由于布局和零件造成的性能變化。更不用說(shuō)工程師的時(shí)間了在優(yōu)化數(shù)十個(gè)組件時(shí)消耗部件組裝和庫(kù)存成本。在本文中，我們描述了一種完全集成的印刷電路板包括MMIC和離散匹配部件的模塊。唯一的外部部件是混合耦合器和一些標(biāo)準(zhǔn)（高值）去耦合電容器。這為設(shè)計(jì)人員提供了靈活性，可以根據(jù)其頻率、帶寬和插入來(lái)實(shí)現(xiàn)他們喜愛(ài)的混合損耗和功率處理要求。從中可以明顯看出圖1中的框圖顯示了一個(gè)平衡放大器由兩個(gè)鏡像單端放大器組成。在里面一些應(yīng)用，例如發(fā)射機(jī)驅(qū)動(dòng)放大器用戶(hù)可以單獨(dú)使用單端放大器，從而節(jié)省了板面積。