在wafer基材加工階段，從第一代硅，第二代砷化鎵到第三代也是現(xiàn)階段熱門(mén)的碳化硅、氮化鎵襯底都是通過(guò)晶錠切片、研磨、拋光后獲得，每片襯底在各工藝后及出廠(chǎng)前，都要對(duì)厚度、翹曲度、彎曲度、粗糙度等幾何形貌參數(shù)進(jìn)行系統(tǒng)量測(cè)，需要相應(yīng)的幾何形貌量測(cè)設(shè)備。

下圖為國(guó)內(nèi)某頭部碳化硅企業(yè)產(chǎn)品規(guī)范，無(wú)論是production wafer，research wafer，還是dummy wafer，出廠(chǎng)前均要對(duì)幾何形貌參數(shù)進(jìn)行量測(cè)，以保證同批、不同批次產(chǎn)品的一致性、穩(wěn)定性，也能防止后序工藝由于wafer warpage過(guò)大，產(chǎn)生碎片、裂片的情況。

中圖儀器針對(duì)晶圓幾何形貌量測(cè)需求，基于在精密光學(xué)測(cè)量多年的技術(shù)積累，歷經(jīng)數(shù)載，自研了WD4000系列無(wú)圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)，適用于線(xiàn)切、研磨、拋光工藝后，進(jìn)行wafer厚度（THK）、整體厚度變化（TTV）、翹曲度（Warp）、彎曲度（Bow）等相關(guān)幾何形貌數(shù)據(jù)測(cè)量，能夠提供Thickness map、LTV map、Top map、Bottom map等幾何形貌圖及系列參數(shù)，有效監(jiān)測(cè)wafer形貌分布變化，從而及時(shí)管控與調(diào)整生產(chǎn)設(shè)備的工藝參數(shù)，確保wafer生產(chǎn)穩(wěn)定且高效。

晶圓制造工藝環(huán)節(jié)復(fù)雜，前道制程所需要的量檢測(cè)設(shè)備種類(lèi)多、技術(shù)難度高, 因此也是所有半導(dǎo)體設(shè)備賽道中壁壘最高的環(huán)節(jié)。伴隨半導(dǎo)體制程的演進(jìn)，IC制造對(duì)于過(guò)程管控的要求越來(lái)越高，中圖儀器持續(xù)投入開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體量檢測(cè)設(shè)備，積極傾聽(tīng)客戶(hù)需求，不斷迭代技術(shù)，WD4000系列在諸多頭部客戶(hù)端都獲得了良好反響!

重點(diǎn)參數(shù)

測(cè)量速度：最快15s
測(cè)量范圍：100μm~2000μm   
測(cè)量精度：0.5um 
重復(fù)性（σ）：0.2um
探頭分辨率：23nm
掃描方式：Fullmap 面掃、米字、 自由多點(diǎn)
測(cè)量參數(shù)：厚度、TTV(總體厚度變化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等
可測(cè)材料：砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、 鈮酸鋰、藍(lán)寶石、硅、碳化硅、氮化鎵、玻璃、外延材料等

懇請(qǐng)注意：因市場(chǎng)發(fā)展和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的需要，本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會(huì)根據(jù)實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改，恕不另行通知，不便之處敬請(qǐng)諒解。

如有疑問(wèn)或需要更多詳細(xì)信息，請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系中圖儀器咨詢(xún)。