圖 1 所示 PFC 旁路二極管 D2 的作用是什么，已經(jīng)是一個是老生常談的事，今天我們來好好的討論下

網(wǎng)上有這么幾種說法：

1、當(dāng)啟動的時候，沖擊電流是從 D2 流過，D2 是慢管耐沖擊電流比較大，D1 是快管，會損 壞二極管。

對于這一個觀點(diǎn)，我覺得是次要原因，因?yàn)槲覀冸S意找一個 600V/10A 的快管，他的沖擊電 流也不小的，如下圖所示 120A.

我們電源一般的要求沖擊電流時不會允許這么大，一般我們都會在輸入回路里面加 NTC

這 就會大大的減小了沖擊電流，還有就是沒有 D2 

開機(jī)的瞬間 L1 是會串在里面，L1 時有一定 的感抗

這樣沖擊電流應(yīng)該會更小，更不能說明是保護(hù) D1 的作用了

在這里好像有點(diǎn)說不過去，難道這種說法時錯誤的嗎？？應(yīng)該也不會

據(jù)我所知道是以前是沒有這個二極管的，后來隨著技術(shù)的的發(fā)展而加上的。

原因是 CCM 模式的 PFC 二極管的反向恢復(fù)電流太大，損耗比較大，PFC mos 管的溫升高

效率做不上去，技術(shù)的發(fā)展碳化硅二極管的應(yīng)用開始流行在 CCM 模式里面，碳化硅二極管

與普通的快恢復(fù)的二極管優(yōu)勢很明顯，我們有做個實(shí)驗(yàn)用普通的快恢復(fù)二極管做的 500W

PFC 就換一個碳化硅，輸出功率不變的情況下，輸入會少 7W，效率明顯提升很多，雖然成

本上去了，但是散熱成本降下來了，綜合來看，成本上升很小，但是正確效率提升是一個大

的亮點(diǎn)，這有點(diǎn)扯題外話了。碳化硅二極管的特性是耐沖擊電流太小。

如下圖就是碳化硅的參數(shù)

從上圖中我明顯看到碳化硅的沖擊電流只有 30.5A 還是在 25 攝氏度，高溫下更低。

隨著碳化硅二極管的應(yīng)用，D2 就必須的用。

2、看上面的描述。感覺是不用碳化硅就不需要了用了？臨界模式下 PFC 都是快恢復(fù)的二極管

應(yīng)該不用也可以，我有實(shí)驗(yàn)過不用，反復(fù)開機(jī)沒有任何問題。但是很多工程師會有一下 的疑問。

圖 5 所示：

如果沒有旁路二極管 D2，開機(jī)時的沖擊電流比較大直接流過 PFC 電感 L1，現(xiàn)在很多的 PFC

電感是鐵氧體的磁芯，會出現(xiàn)飽和現(xiàn)象，有了 D2 可以起到一個很好的保護(hù)作用

乍一聽好像是這樣，但是仔細(xì)想想，當(dāng)沖擊電流來的時候電感飽和又會怎么樣了，因?yàn)檫@個

時候我們的 PWM 還沒有輸出，就算飽和了也沒有事情，等我們的 PWM 發(fā)出的時候，電感 已經(jīng)恢復(fù)了。

這是一個我們值得深思的問題，感覺不用是可以的，是不是大家看到 CCM 模式有用就隨大

眾加了，真的是這樣嗎，我想當(dāng)然是不可能的

這個 D2 的出現(xiàn)還有一個非常大的原因就是隨電源技術(shù)的發(fā)展，各種可靠性實(shí)驗(yàn)越來越多

其中的雷擊實(shí)驗(yàn)是越來越嚴(yán)酷，現(xiàn)在有些客戶可能要求差模與共模都是 10KV 內(nèi)阻 2 歐姆

在這么嚴(yán)酷的實(shí)驗(yàn)要求下，D2 就應(yīng)運(yùn)而生了。當(dāng)我說到這里的時候有很多的工程師都來知

道怎么回事了，特別是經(jīng)常做雷擊實(shí)驗(yàn)的工程師肯定是深有體會。下面我們來分析是什么原 因。

如圖 6 所示

當(dāng) PWM 驅(qū)動波形是高電平時，MOSFET 打開，電流從 L1 流入 MOSFET ，這時候 MOSFET 雷

擊的浪涌電流正好發(fā)生，那么一個很大的電流將進(jìn)入 L1 與 MOSFET，L1 會出現(xiàn)飽和，一但

飽和，我們的電感就相當(dāng)與短路，那 MOS 管 Q1 上的壓降等于輸入電壓，因?yàn)?MOS 管是在

開通狀態(tài)，現(xiàn)在的 MOS 管等于是一很小的電阻，一般都是 mΩ級別，那 MOS 管的電流一定

會過應(yīng)力而損壞 MOSFEG。

有人會問我的 L1 電感非常強(qiáng)壯，不會出現(xiàn)飽和，這種可能性太小了，雷擊浪涌實(shí)驗(yàn)感應(yīng)過

來的電流一般都是幾百上千安培，你的有多大的電感，假設(shè)這種情況成立，L1 上可以承受

這么大的電流，電感上的自感電動勢也非常高，會使得 A 點(diǎn)電壓過高，也有會使整流橋電壓過應(yīng)力損壞。

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