上面是一個(gè)正常情況下，電容兩端電壓的充電波形。但事實(shí)上，MOSFET 除 了在 GS 端存在電容之外，它還有 GD 電容，DS 電容。那么，GD 之間的電容， 我們把它稱之為米勒電容，實(shí)際上米勒電容有一個(gè)米勒效應(yīng)的。 米勒效應(yīng)，實(shí)際上是有一個(gè)固有的轉(zhuǎn)移特性。在這個(gè)轉(zhuǎn)移特性里面有什么關(guān)系 呢？就是：柵極的電壓 Vgs 和漏極的電流 Id 保持一個(gè)比例關(guān)系。

其實(shí)，對(duì)于 MOSFET 來說，有一個(gè)起始開通電壓，叫做 Vth

當(dāng) MOSFET 達(dá)到起始開通電壓 Vth 之后，Id 就開始有電流了，但是這個(gè)時(shí)候， 電流小，然后 Vgs 電壓繼續(xù)上升，Id 也會(huì)繼續(xù)上升，當(dāng)上升到米勒效應(yīng)的時(shí)候， 就會(huì)發(fā)生固有轉(zhuǎn)移特性

我們知道了，當(dāng) gs 電容的電壓達(dá)到 Vth 時(shí)，Id 有電流的，就表示有通路，那么 柵極的電壓就有了另一條通路了

也就是上面這幅圖中紫色的這條通路。那么 GS 電容在達(dá)到 Vth 之后，會(huì)繼 續(xù)上升，當(dāng)?shù)竭_(dá) t2 時(shí)刻時(shí)，Id 電流就達(dá)到最大了，也可以說電流保持不變是吧。 那么，既然漏極的電流保持不變，根據(jù)固有轉(zhuǎn)移特性，是不是柵極電壓也保持不 變?。ü逃修D(zhuǎn)移特性：柵極電壓 Vgs 和漏極電流 Id 保持一個(gè)比例關(guān)系）。

我們把柵極電壓不變的這段區(qū)域叫做米勒平臺(tái)區(qū)，而且 MOSFET 處于放大狀 態(tài)。那么會(huì)有人有疑問了，既然是達(dá)到放大狀態(tài)，為什么電流能達(dá)到最大值呢？ 這和內(nèi)阻分析法不是有矛盾嗎？實(shí)際上是沒有矛盾的。

我們用三極管來舉例:

假設(shè)上面這個(gè)三極管處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)，放大倍數(shù)β=100，當(dāng) be 流過 1mA 電流時(shí)，Ic 的電流是 100mA。由于三極管處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)，那么 C 極的電位是 0.3V 的飽和壓降，那么，根據(jù)上面這個(gè)電路圖來看，如果忽略 CE 壓降的話，根 據(jù)歐姆定律：Ic=12V/100R=120mA。但實(shí)際上三極管所能達(dá)到的最大 Ic 電流是 100mA。那么，我們來看看三極管飽和導(dǎo)通時(shí)的功耗問題

飽和導(dǎo)通：

Ib=1mA，Ic=100mA

三極管功耗：

b 極功耗：0.7V*1mA

c 極功耗：0.3V*100mA

很明顯，三極管在飽和導(dǎo)通時(shí)，功耗不大。那么，再來看一下三極管放大狀態(tài)時(shí) 的功耗

由于三極管的射極電壓跟隨，輸出電壓是 5V，而左邊是 12V（忽略 100R 壓 降），那么 CE 壓差就是 7V 了。此時(shí)三極管處于放大導(dǎo)通狀態(tài)，而三極管的 be 電流還是 1mA

放大導(dǎo)通：

Ib=1mA Ic=100mA

三極管功耗：

b 極功耗 0.7V*1mA

c 極功耗 7V*100mA

根據(jù)上面的分析，三極管放大狀態(tài)的功耗是飽和狀態(tài)的 23 倍。三極管在放 大導(dǎo)通狀態(tài)下，C 極電流是具有 100mA 的輸出能力的。但是，一般情況下，我 們都是降額使用，否則會(huì)發(fā)熱損壞掉。所以，三極管工作在放大狀態(tài)，就特別要 考慮功耗問題

我們?cè)倩氐街暗?MOSFET 放大狀態(tài)，對(duì)于 MOSFET 來說，它的 Id 電流其實(shí) 是受后級(jí)負(fù)載決定的，不是工程師所能控制的。但是 MOSFET 在開通過程中，必 須要經(jīng)過這個(gè)放大區(qū)，只不過這個(gè)放大區(qū)功耗特別的大，所以就需要這個(gè)放大區(qū) 的時(shí)間就要特別的短。MOSFET 在這個(gè)區(qū)域特別危險(xiǎn)，壞的最多

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