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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>MOSFET講解-06（可下載）

      MOSFET講解-06（可下載）

      2025-04-17 | pdf | 412.81 KB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      我們知道了三極管 MOS 管在進(jìn)入飽和導(dǎo)通之前，必然會(huì)經(jīng)過放大 區(qū)。好在三極管經(jīng)過放大區(qū)的時(shí)間很短，但是 MOS 管在米勒平臺(tái)這段 區(qū)域的時(shí)間會(huì)更長，也會(huì)更容易損壞。

      上面是 Vgs 波形，接下來我們來看 Vds 波形是什么樣子的

      我們知道當(dāng) Vgs 電壓達(dá)到 Vth 時(shí)，MOS 管進(jìn)入放大導(dǎo)通區(qū) 域，而此時(shí) D 端的電位會(huì)從原來的 200V 在 t1~t2 期間內(nèi)會(huì)有略微的下降。

      同時(shí)，我們也知道，在 Vgs 電壓達(dá)到 Vth 時(shí)，Id 開始有電流了

      我們通過固有轉(zhuǎn)移特性知道，Vgs 和 Id 成比例變化的，所以在米 勒平臺(tái)區(qū)域 Id 電流也是幾乎沒有變化，理想情況下，我們就認(rèn)為它 們是不變的

      到了某一時(shí)刻（t3），米勒平臺(tái)效應(yīng)就會(huì)結(jié)束。在米勒平 臺(tái)期間，MOS 管的 DS 內(nèi)阻 Rdson 在逐漸變小

      工作在米勒平臺(tái)區(qū)域，與工作在平臺(tái)后的區(qū)域，管子的功耗問題

      工作在米勒平臺(tái)區(qū)域：管子內(nèi)阻雖然在變小，但是還是很大。由于電 流都是最大，所以功耗大

      工作在平臺(tái)區(qū)域之后：由于 Rdson 極小，所以功耗小

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