本文探討在微波暗室一致性測試之前構(gòu)建低電磁干擾（EMI）原型的關(guān)鍵步驟，包括設(shè)計低輻射的電路以及預(yù)兼容檢測。預(yù)兼容檢測包括使用三維電磁場仿真軟件對印刷電路板（PCB）版圖模型進行仿真及EMI分析，再使用頻譜分析儀（SA）對原型PCB進行近場電磁掃描。最后，執(zhí)行微波暗室測試驗證設(shè)計。
　　最低EMI電路設(shè)計
　　要確保低輻射發(fā)射（RE），設(shè)計電路原理圖和PCB版圖時必須應(yīng)用最佳實踐經(jīng)驗，包括為供電回路、USB數(shù)據(jù)線、以太網(wǎng)等信號添加鐵氧體磁珠以過濾EMI。 此外，供電回路上適當(dāng)放置充足數(shù)量的去耦合電容器可以最大限度地減少電源分配網(wǎng)絡(luò)阻抗，進而降低數(shù)字負(fù)載產(chǎn)生的噪聲紋波幅度，并減少輻射風(fēng)險。同時，優(yōu)化 開關(guān)電源的閉合回路補償網(wǎng)絡(luò)設(shè)計以實現(xiàn)穩(wěn)定閉合回路，能夠確保電壓輸出可控，并最大幅度地降低開關(guān)噪聲紋波幅度。噪聲紋波幅度降低可以顯著抑制原型的 EMI風(fēng)險。
　　高頻或快上升/下降沿信號的PCB走線應(yīng)參考連續(xù)回路（例如參考地平面），以降EMI風(fēng)險。走線不能經(jīng)過任何分 割平面和孔洞。如果信號需要通過過孔完成層間傳輸，緊鄰信號過孔位置應(yīng)放置至少一個接地過孔，作為信號電流從接收端返回發(fā)射端的回流路徑。如果沒有適當(dāng)?shù)?回流路徑，返回電流可能在PCB中隨意傳輸，成為潛在的EMI源。
　　出色的接地方案也是最大限度降低EMI的關(guān)鍵因素。所有 PCB設(shè)計都必須避免接地回路，因為返回信號電流經(jīng)過時接地回路將形成輻射發(fā)射機。設(shè)計接地為寬參考面可以構(gòu)建出色的接地方案。不同電路組（例如射頻、模 擬和數(shù)字電路）的地平面應(yīng)當(dāng)物理隔離，并通過鐵氧體磁珠建立電路連接，以幫助防止高頻噪聲在電路組之間傳播。
　　完成PCB版圖 設(shè)計后應(yīng)執(zhí)行仿真進行EMI分析，以便在制造前確保PCB具有較低的輻射發(fā)射風(fēng)險。省略EMI仿真可能無法保證PCB的EMI性能，會導(dǎo)致重新設(shè)計。如果 EMI仿真結(jié)果符合技術(shù)規(guī)范要求，設(shè)計人員即可開始PCB制造，然后使用頻譜分析儀對原型PCB執(zhí)行近場電磁掃描。EMI仿真和近場電磁掃描等預(yù)兼容檢測 可以增加設(shè)計人員的信心，確信原型具有較低的EMI。完成預(yù)兼容檢測后，被測器件即可執(zhí)行實際微波暗室EMI一致性測試。
　　仿真EMI分析
　　完成PCB版圖設(shè)計后，將版圖文件導(dǎo)入EMPro 2013.07 執(zhí)行3D EMI仿真。選擇差分信號進行有限元法（FEM）三維電磁場仿真。三維電磁場仿真是設(shè)置電磁邊界條件和模型網(wǎng)格尺寸并求解麥克斯韋方程的過程。為確保仿真 結(jié)果精度，邊界尺寸應(yīng)設(shè)為 PCB厚度的8倍以上，網(wǎng)格尺寸應(yīng)設(shè)為PCB寬度的1/5以下。運行三維電磁場的計算機需要配置16G以上的內(nèi)存和100G以上的存儲容量，以確保分析順 利進行。
　　設(shè)置遠(yuǎn)場傳感器捕獲發(fā)射電磁場，并利用EMPro的EMI仿真模版計算遠(yuǎn)場發(fā)射功率，然后設(shè)置10m距離的電場探頭，繪制頻域響應(yīng)圖。再執(zhí)行時域有限差分法（FDTD）模式的三維電磁場仿真，并與FEM模式的仿真結(jié)果進行對比。
　　參見30MHz～1GHz頻率的電場強度仿真圖（圖1）（電場強度單位dBμV，頻率單位GHz），輻射功率電平（藍色曲線為FEM模式仿真，紅色曲線為FDTD模式仿真）低于約45dBμV的FCC最大閾值（綠色虛線）。