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提出了一種低壓低功耗的帶隙基準電壓源電路，設(shè)計基于0.5μm 2P3M BiCMOS Process，并使用了低壓共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)減少了對電源電壓的依賴，消除了精度與余度之間的矛盾，并用HL50S-S3.1S.lib庫文件用 HSPICE 進行了仿真，其電源抑制比PSRR 大約為-78.9dB。
關(guān)鍵詞: 帶隙基準，PTAT，低壓共源共柵電流鏡, BiCMOS
芯片系統(tǒng)集成( system on chip ) 技術(shù)已經(jīng)受到學(xué)術(shù)界及工業(yè)界廣泛關(guān)注. 隨著電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的進一步復(fù)雜化, 對模擬電路基本模塊,如A/D 、D/A 轉(zhuǎn)換器, 濾波器電路以及鎖相環(huán)等電路提出了更高精度及速度的要求. 由于帶隙基準電壓、電流源電路的輸出電壓及電流幾乎不受溫度和電源電壓變化的影響,這就使得片內(nèi)集成的帶隙基準電壓、電流源電路成了模擬集成電路芯片中不可缺少的關(guān)鍵部件。
本文對基準源采用了溫度一級補償?shù)姆椒?。所謂溫度一級補償就是在溫度區(qū)域內(nèi)選取一點，使得基準源的輸出在該點對溫度的導(dǎo)數(shù)為零。只要這一點的位子合適，就能獲得較小的溫度系數(shù)。并使用了與絕對溫度成正比（PTAT: proportional to absolute temperature）的電流來產(chǎn)生基準電壓。帶隙調(diào)節(jié)電路在本質(zhì)上是雙級的，為了降低成本，能與CMOS工藝兼容，我們使用了0.5μm的BICMOS工藝。
關(guān)鍵詞: 帶隙基準，PTAT，低壓共源共柵電流鏡, BiCMOS
芯片系統(tǒng)集成( system on chip ) 技術(shù)已經(jīng)受到學(xué)術(shù)界及工業(yè)界廣泛關(guān)注. 隨著電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的進一步復(fù)雜化, 對模擬電路基本模塊,如A/D 、D/A 轉(zhuǎn)換器, 濾波器電路以及鎖相環(huán)等電路提出了更高精度及速度的要求. 由于帶隙基準電壓、電流源電路的輸出電壓及電流幾乎不受溫度和電源電壓變化的影響,這就使得片內(nèi)集成的帶隙基準電壓、電流源電路成了模擬集成電路芯片中不可缺少的關(guān)鍵部件。
本文對基準源采用了溫度一級補償?shù)姆椒?。所謂溫度一級補償就是在溫度區(qū)域內(nèi)選取一點，使得基準源的輸出在該點對溫度的導(dǎo)數(shù)為零。只要這一點的位子合適，就能獲得較小的溫度系數(shù)。并使用了與絕對溫度成正比（PTAT: proportional to absolute temperature）的電流來產(chǎn)生基準電壓。帶隙調(diào)節(jié)電路在本質(zhì)上是雙級的，為了降低成本，能與CMOS工藝兼容，我們使用了0.5μm的BICMOS工藝。
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