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標(biāo)簽 > 中微半導(dǎo)體
中微半導(dǎo)體(深圳)股份有限公司成立于2001年,是集成電路(IC)設(shè)計(jì)企業(yè),專注于數(shù)模混合信號(hào)芯片、模擬芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)與銷售。主要產(chǎn)品包括家電控制芯片、消費(fèi)電子芯片、電機(jī)與電池芯片、傳感器信號(hào)處理芯片及功率器件等,廣泛應(yīng)用于家用電器、消費(fèi)電子、電機(jī)電池、醫(yī)療健康、工業(yè)控制、汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。
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中微半導(dǎo)體MOCVD生產(chǎn)項(xiàng)目落戶江西 將進(jìn)一步發(fā)展壯大南昌市LED產(chǎn)業(yè)鏈
今年,南昌以LED光電產(chǎn)業(yè)為核心的“南昌光谷”招商引資迎來了重大突破:在LED高端核心裝備MOCVD方面,引進(jìn)了中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱...
2018-11-09 標(biāo)簽:led中微半導(dǎo)體MOCVD 6447 0
2018年是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵期 2025年核心器件國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到95%
第三代半導(dǎo)體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。預(yù)測(cè)2018年是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化準(zhǔn)備的關(guān)鍵期,第三代半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)將迎來景氣拐點(diǎn)。到2025年...
2017-12-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中微半導(dǎo)體 3537 0
中微半導(dǎo)體略勝Veeco一籌,中微起訴Veeco確立為有效專利
在中微半導(dǎo)體和Veeco專利之爭(zhēng)的過程中,中微半導(dǎo)體大客戶華燦光電的股價(jià)則幾乎落至跌停,近日,專利復(fù)審委確立了中微半導(dǎo)體的涉案專利為有效專利。
2017-12-13 標(biāo)簽:中微半導(dǎo)體veeco 2269 0
中微起訴Veeco上海專利侵權(quán)和發(fā)布永久禁令獲法院同意
在中微和Veeco上海專利侵權(quán)案件中,中微半導(dǎo)體宣布贏得了針對(duì)Veeco上海的專利禁令申請(qǐng),中微MOCVD設(shè)備已在國(guó)內(nèi)眾多LED生產(chǎn)線上投入量產(chǎn)。
2017-12-11 標(biāo)簽:中微半導(dǎo)體veeco 1335 0
愛國(guó)科學(xué)家齊發(fā)力 中國(guó)芯必將崛起
央視報(bào)道:中微半導(dǎo)體設(shè)備公司將在今年年底正式敲定5nm刻蝕機(jī)
2017-10-10 標(biāo)簽:中微半導(dǎo)體麒麟970 8732 0
難以置信!中國(guó)宣布已經(jīng)領(lǐng)先掌握5nm技術(shù)
近日,媒體報(bào)道了這樣的一則消息,中微半導(dǎo)體設(shè)備公司將在今年年底正式敲定5nm刻蝕機(jī)!打破格局!顛覆核心技術(shù)!當(dāng)所有的巨頭還在為10nm,7nm技術(shù)大肆進(jìn)...
2017-04-07 標(biāo)簽:中微半導(dǎo)體5nm 1.4萬 0
中微半導(dǎo)體成功應(yīng)對(duì)美國(guó)巨頭專利訴訟
上海工資創(chuàng)投集合國(guó)際半導(dǎo)體界海歸人員共同組建的中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司,向記者們?cè)敿?xì)介紹了其應(yīng)對(duì)美國(guó)行業(yè)巨頭5年侵犯商業(yè)秘密和專利權(quán)纏訴,終獲“一...
2016-10-26 標(biāo)簽:中微半導(dǎo)體Nuance專利訴訟 1987 0
中微半導(dǎo)體海外知識(shí)產(chǎn)權(quán)糾紛四連勝
5年來,位于浦東新區(qū)的中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司和兩家美國(guó)半導(dǎo)體公司展開了持久的專利訴訟戰(zhàn),并贏得了四次勝訴。在5月29日舉行的2012長(zhǎng)三角知...
2012-06-19 標(biāo)簽:中微半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán) 1180 0
中微發(fā)布面向22納米及以下芯片生產(chǎn)的第二代離子刻蝕設(shè)備
中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中微”)于本周SEMICON West期間發(fā)布面向22納米及以下芯片生產(chǎn)的第二代300毫米甚高頻去耦合反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備...
2011-07-13 標(biāo)簽:納米中微半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備 1329 0
應(yīng)用材料與中微半導(dǎo)體達(dá)成訴訟和解
應(yīng)用材料與中微半導(dǎo)體達(dá)成訴訟和解 美國(guó)應(yīng)用材料公司(Applied Materials)與中微半導(dǎo)體設(shè)備公司(Advanced Micro-Fabr...
2010-01-22 標(biāo)簽:中微半導(dǎo)體 1195 0
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